Flip Chip技术在集成电路封装中的应用

阐述从集成电路封装发展现状、Flip Chip技术内涵、Flip Chip技术在集成电路封装中的应用剖析、市场发展展望等多个角度,探讨在集成电路封装中,应用Flip Chip技术的必要性和重要性。

Flip-chip芯片关键技术的研究

Flip chip是一种微电子制造表面贴装新工艺,应用于生产还有一些问题未能得到很好的解决。本文通过对组装工艺过程中热应力、封装工艺等关键技术问题的研究,建立了热应力、焊接过程力学模型,为Flip chip的生产进行了一些富有意义的探索。

倒装芯片的底部填充工艺研究

倒装芯片技术被广泛应用于先进封装技术领域,可以有效解决芯片与基板之间因应力不匹配产生的可靠性问题。底部填充工艺通过在芯片和基板的间隙填充有机胶,使得应力可以被重新分配,进而起到保护焊点的作用,提升封装可靠性。随着芯片不断向轻薄化方向发展,芯片尺寸的缩减和结构的精细化导致对填充材料的性能及封装可靠性的要求不断提高,底部填充工艺面临着更大的挑战。材料设计、工艺优化等措施是应对潜在挑战的有效方式。

倒装芯片集成电力电子模块

倒装芯片(Flip Chip,FC)技术广泛应用于微电子封装中,将该技术引入到三维的集成电力电子模块(Integrated Power Electronics Module,IPEM)的封装中,可以构成倒装芯片集成电力电子模块(FC-IPEM)。该文详细介绍FC-IPEM的结构和组装程序。在实验室完成由两只MOSFET和驱动、保护等电路构成的半桥FC-IPEM,并采用它构成同步整流Buck变换器,对半桥FC-IPEM进行电气性能测试,最后给出测试结果。

倒装焊中复合SnPb焊点形态模拟

本文给出了倒装焊 (flip chip)焊点形态的能量控制方程 ,采用SurfaceEvolver软件模拟了倒装焊复合SnPb焊点 (高Pb焊料凸点 ,共晶SnPb焊料焊点 )的三维形态 .利用焊点形态模拟的数据 ,分析了芯片和基板之间SnPb焊点的高度与焊点设计和焊接工艺参数的关系 .研究表明 :共晶SnPb焊料量存在临界值 ,当共晶SnPb焊料量小于临界值时 ,焊点的高度等于芯片上高Pb焊料凸点的半径值 ;当共晶SnPb焊料量大于临界值时 ,焊点的高度随共晶SnPb焊料量的增加而增加 .另外 ,采用无量纲的形式给出了焊点高度与共晶焊料量、焊盘尺寸、芯片凸点的尺寸 ,芯片重量之间的关系模型 ,研究结果对倒装焊焊点形态的控制、工艺参数的优化和提高焊点可靠性具有指导意义 .

倒装焊芯片的焊球制作技术

介绍了芯片倒装焊的重要意义、发展趋势、基本的焊球类型、制作方法及焊球质量的检测技术。

倒扣芯片连接底充胶分层和焊点失效

在热循环疲劳加载条件下 ,使用 C- SAM高频超声显微镜测得了 B型和 D型两种倒扣芯片连接在焊点有无断裂时芯片 /底充胶界面的分层和扩展 ,得到分层裂缝扩展速率 .同时在有限元模拟中使用断裂力学方法计算得到不同情况下的裂缝顶端附近的能量释放率 .最后由实验裂缝扩展速率和有限元模拟给出的能量释放率得到可作为倒扣芯片连接可靠性设计依据的

微机电系统的封装技术

MEMS封装是在微电子封装技术基础上发展起来的一项关键的MEMS技术。介绍了MEMS封装技术的功能、特点与分类。在此基础上,重点介绍了键合技术、上下球栅阵列技术、倒装芯片技术、多芯片技术以及3-D技术等几种重要的MEMS封装技术。最后,进一步探讨了MEMS封装的发展趋势及研究方向。

电镀方法制备锡铅焊料凸点

介绍了利用甲磺酸锡铅合金镀液制备电镀凸点的工艺过程 ,讨论了影响电镀质量的工艺参数 :表面光亮度、分散及覆盖能力、沉积速率等 .研究发现 ,电流密度Dk 与最低搅拌转速密切相关 .在相同的时间里 ,Dk越大 ,镀液的分散能力越稳定 ,合金的沉积速率也越高 .在甲磺酸质量分数、Dk 一定的条件下 ,适当地提高搅拌转速有利于改善凸点的电镀质量 .对电镀凸点的剪切强度测试表明 。

MEMS封装技术研究进展与趋势

介绍了MEMS(microelectromechanicalsystems)封装技术的研究现状和存在的问题,重点介绍了倒装芯片技术(flip chiptechnology简称FCT)、上下球栅阵列封装技术和多芯片模块封装技术三种很有前景的封装技术的特点及其在MEMS领域的应用实例,并且对MEMS封装有可能的发展趋势进行了分析。

芯片高密度封装互连技术

电子封装正朝着高密度封装的方向发展,以满足市场对高性能、高可靠性、低成本、微型化的电子产品的需求.高密度封装具有多学科交叉的特点.综述课题组多年来在芯片高密度封装互连技术,包括倒装芯片(flip chip,FC)凸点制备/转移技术、导电胶高密度互连技术、叠层芯片封装技术及封装可靠性方面的研究工作,并指出未来高密度封装技术的发展方向.

红外焦平面硅基通孔加工及电极互连技术

通过硅通孔技术实现红外焦平面电极垂直互连,提高像元占空比,缩短了互连引线长度,降低了信号延迟。用单晶硅湿法刻蚀方法形成通孔,利用直写技术将耐高温Ag-Pd导体浆料填充通孔,实现红外焦平面阵列底电极与硅基片背面倒装焊凸点互连。

倒装芯片集成电力电子模块寄生参数的建模

采用球栅阵列芯片尺寸封装技术和倒装芯片(Flip Chip,FC)技术构建了半桥集成电力电子模块(Integrated Power Electronics Module,IPEM),半桥FC-IPEM实现三维封装结构。采用阻抗测量法提取模块寄生电感和寄生电容,建立模块的寄生参数模型,对模块进行电气性能测试。结果表明:半桥FC-IPEM构成的同步整流Buck变换器输出滤波电感中的电流波动幅度小于0.6A。

芯片封装互连新工艺热超声倒装焊的发展现状

介绍了一种芯片封装互连新工艺热超声倒装芯片连接工艺。在比较当前多种芯片封装方式的基础上,总结了这一工艺的特点及优越性,并详细论述了当前这一工艺的技术进展与理论研究状况,指出该工艺是芯片封装领域中具有发展潜力的新工艺。

基于SPOC的单片机技术翻转课堂教学设计

单片机技术是一门实践性要求较高的专业课。为减少课程理论和实践之间的差距,改善学生学习效果,使用SPOC资源对单片机技术课程进行翻转课堂的教学设计,让学生根据自身情况进行学习,并在面对面的课堂中解决实际的单片机控制问题。重新调整后的课程提供给学生一种新的学习探索环境,有利于提高实践能力和创新能力。调查结果表明,大多数学生对这种新的教学方式感到满意。

倒装焊复合SnPb焊点应变应力分析

近年来,在微电子工业中,轻、薄、短、小是目前电子封装技术发展的趋势,因此,倒装焊技术应用越来越广,而焊点的可靠性在倒装焊技术中变得越来越重要。采用有限元软件,模拟、分析了焊点高度和下填料对焊点在热载荷作用下的应力应变值。

MEMS封装技术的现状与发展趋势

介绍MEMS(MicroElectromechanicalSystem)封装技术的难点和现状,重点介绍倒装芯片技术(FCT)、上下球栅阵列封装技术(TB-BGA)和多芯片封装技术(MCMs)三种很有前景的封装技术的特点,并且对MEMS封装的发展趋势进行分析。

提高LED外量子效率的研究进展

近年来半导体照明光源-发光二极管(LED)产业和技术发展迅速,取代传统白炽灯的步伐越来越快,相关核心技术的研究也成为各国研究的热点,但LED的发光效率和制造成本依然是阻碍LED绿色照明光源普遍推广应用的一个绊脚石。文章简述了提高外量子效率的几种有效途径,如表面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射层(DBR)结构、激光剥离技术,纳米压印与SU8胶相结合技术、光子晶体技术等。

基于翻转课堂的单片机原理及接口技术课程教学改革分析

翻转课堂是目前非常具有创新性的一种教学模式。在教学过程中,采取翻转课堂能够有效地解决学习实践不足、自主学习能力不强等问题,而对于单片机原理及接口技术课程的教学,翻转课堂的优势能够很好的解决目前该课程所存在的问题。因此在本文中,笔者将对单片机原理及接口技术课程中有关于教学模式进行翻转课堂的改革来进行探讨,阐述其理由并且提出在教学改革中可以采取的措施,以期望能够为单片机原理及接口技术课程实现更好的教学效果。

基于倒扣技术的24GHz混合集成平衡混频器

介绍采用混合贴装倒扣二极管技术制造的新型 2 4GHz平衡混频器 .并对该混频器进行设计、仿真、加工和测试 .它能提供中频 10 0kMz时小于 10dB的变频损耗 ,本振与信号之间优于 35dB的隔离度 .其结构特点利于大批量、低成本生产 。