《半导体技术》编辑部网址变更通知

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美国国家半导体技术中心发展战略分析

未来科技进步极度依赖半导体。面对当前半导体技术实施创新的难度和成本愈发上升的现状,急需一种系统级的研发方法,将复杂的工具、资源和设施连接起来以加速其创新。认识到这一需求,美国《芯片和科学法案》计划国会拨款110亿美元资金用于研发,以支持和扩大美国半导体研究、设计、工程和先进制造,建立强健的半导体生态系统。2023年4月25日,美国国家标准与技术研究院(NIST)发布《国家半导体技术中心的愿景和战略》。其核心投资便是创建国家半导体技术中心(NSTC),形成雄心勃勃的公私伙伴关系。该文件从使命和目标、关键计划、与其他半导体相关项目间的关系、管理运行等方面阐述了NSTC将如何加快美国开发未来芯片和技术的能力,以保障美国在全球创新方面的领导地位。

《半导体技术》专题征稿启事——“功率半导体器件可靠性和失效分析”专题

“一代器件决定一代设备”,功率半导体器件广泛应用于智能电网、轨道交通、新能源汽车、新能源发电与储能以及工业驱动等领域,近年来发展迅速,大力推动了我国各行业的进步。功率半导体器件的可靠性直接决定设备的长期运行和安全稳定,因此,探究其封装可靠性以及实际应用的物理极限和边界,洞悉其失效模式和失效机理,发展在线监测技术,实现器件工作状态的准确评估和剩余寿命的预测至关重要。

半导体技术在救援装备领域中的应用探索

通过介绍传感器技术、通信设备、无人机及医疗救援装备,阐述了半导体技术在救援装备中的具体应用,结合实际情况展望半导体技术在智能救援装备领域的发展趋势,并指出随着半导体技术的创新与发展,可以提高救援装备的耐用性和可靠性,提升应急救援的效率和准确性,最大限度减少灾害带来的损失,减轻救援人员的负担和风险,为救援行动提供更有效的支持。

德州仪器:半导体技术推动机器人智能化安全化发展

如果说控制器、伺服电机等关键部件是组成机器人的重要“器官”,那么半导体元器件则是支撑机器人高效运转的“细胞”。因此,当我们在探讨机器人整机性能表现时,本质上是在关注基础软硬件技术的迭代创新。在2024慕尼黑上海电子展上,德州仪器面向机器人产业带来了多项氮化镓技术产品,推动机器人智能化安全化发展。

三星电子公司半导体技术发展过程

韩国的半导体产业在尖端技术方面经过很短的时间赶上并超过了先进国家，在国际市场中提高了产业竞争力，已成为世界上第三大半导体生产国，并在ＤＲＡＭ（动态随机存储器）生产领域保持着世界第二大供应商的地位。其中，三星电子公司（简称三星）从１９８３年正式开始生产...

现代科学的奇迹——半导体技术

文章简要回顾了半导体技术五十多年的发展历史 ,介绍了晶体管、集成电路、功率半导体器件以及半导体材料的研发过程和当前的水平 ,并展望 2

基于半导体技术的平板显示器及其进展

综述了近年来有源矩阵液晶显示器、场发射显示器和发光二极管显示器的研究进展，重点介绍了它们的工作原理、结构和某些关键制备技术，并对它们的发展前景作了简要的展望。

国际半导体技术发展路线图(ITRS)2013版综述(1)

国际半导体技术发展路线图(The International Technology Roadmap for Semiconductors,ITRS)自1999年第1版问世后,每偶数年份更新,每单数年份进行全面修订。ITRS的目标是提供被工业界广泛认同的对未来15年内研发需求的最佳预测,对公司、研发团体和政府都有指导作用。路线图对提高各个层次上研发投资的决策质量都有重要意义。本篇是连载一。

强制许可中半导体技术的“乱入”之谜——兼谈与合法来源抗辩条款的衔接

我国《专利法》强制许可一章第48—51条规定了6种强制许可的适用事由,第52条却非常突兀地针对半导体技术规定了强制许可适用限制条款。强制许可制度中半导体技术的"乱入"谜题直接源于TRIPS协议第31条(c)款的规定。这一规定看似是美国谈判代表团在Dunkel草案版本谈判最后时刻的临时起意,实质上是基于1984年《半导体芯片保护法案》善意侵权制度的长期争论与酝酿,同时受到美国半导体产业的大力推动的结果。作为应对,我国可以从适用合法来源抗辩条款、拓展强制许可适用事由、放宽善意侵权人免责条件、推进国际条约相关条款的解释与修订等方面着手。

《技术与市场》编辑部声明

近期,我刊发现有不法分子以《技术与市场》期刊名义建立网站,冒用我刊名称及刊号对外征稿并收取版面费。另据作者反映:有人冒用我刊编辑部的名义,通过电话、微信、电子邮件等方式联系已在我刊发表论文的作者,实施金钱诈骗。上述不法行为严重损害了我刊的正当权益和声誉,造成了恶劣的社会影响。

半导体技术对无源电子元件发展的影响

经过半个世纪的发展,半导体技术不仅在制造功能强大的IC及各式各样的半导体分立器件方面,对社会发展起到不可估量的推动作用,而且对其他技术领域也产生了深刻的影响。在当前世界经济衰退浪潮的冲击下,无源电子元件领域借鉴、融合半导体技术以提高自身创新能力,加快产品升级是抵御冲击的值得关注的措施之一。

SiGe半导体技术新进展

综述了 Si Ge材料的性质、主要研究方向以及最新的发展情况 ,并介绍了国外 Si Ge的研究情况。

国际半导体技术发展路线图（ITRS）2011版综述（1）

国际半导体技术发展路线图（The International Technology Roadmap for Semiconductors，ITRS）自1999年第1版问世后，每偶数年份更新，每单数年份进行全面修订。ITRS的目标是提供被工业界广泛认同的对未来15年内研发需求的最佳预测，对公司、研发团体和政府都有指导作用。路线图对提高各个层次上研发投资的决策质量都有重要意义。本篇是连载一。

《国际半导体技术蓝图》(2005版)光刻部分解析

对2005年公布的《国际半导体就十时微蓝图》中光刻部分进行了介绍与分析,并与之前的版本进行比较,列出了光刻技术面临的挑战和潜在技术方案。最后指出,浸入式光刻、纳米压印、极紫外光刻和ML2将是未来几年重点研究对象。

碳化硅半导体技术及产业发展现状

碳化硅半导体（这里指4H-SiC）是新一代宽禁带半导体，它具有热导率高（比硅高3倍）、与GaN晶格失配小（4％）等优势，非常适合用作新一代发光二极管（LED）衬底材料、大功率电力电子材料。

国际半导体技术发展路线图(ITRS)2013版综述(4)

14 建模与模拟 14．1范围 建模与模拟技术覆盖被称为扩展TCAD的半导体建模区域，它是数个使能方法之一，可以减少开发周期和成本。本文中的扩展TCAD覆盖下列典型区域，如图MS1所示：