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工笔国画《福荫》的创作思路
1
作者
唐智平
《中国健康教育》
2001年第7期441-442,共2页
关键词
卫生美术
题材
构思
工笔国画
《福荫》
健康教育
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职称材料
GaAs/Si异质外延的新进展
2
作者
黄善祥
林金庭
+6 位作者
陆正
沈浩瀛
王翠莲
郑有(火斗
张荣
严勇
冯端
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期324-331,共8页
本工作从原理和实验技术上证实了氯化物VPE技术可用于CaAs/Si异质外延.CaAs/Si外延层表面平整光亮.对外延层进行了组分测量、高分辨率电镜和X-射线衍射分析.结果表明,外延层是符合化学计量比的CaAs单晶,外延层浓度可控范围为10^(14)～10...
本工作从原理和实验技术上证实了氯化物VPE技术可用于CaAs/Si异质外延.CaAs/Si外延层表面平整光亮.对外延层进行了组分测量、高分辨率电镜和X-射线衍射分析.结果表明,外延层是符合化学计量比的CaAs单晶,外延层浓度可控范围为10^(14)～10^(17)cm^(-3),纵向掺杂分布平坦.用这种材料制成MESFET样管,跨导为40mS/mm.
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关键词
GAAS/SI
异质外延
外延生长
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职称材料
题名
工笔国画《福荫》的创作思路
1
作者
唐智平
机构
深圳市卫生防疫站
出处
《中国健康教育》
2001年第7期441-442,共2页
关键词
卫生美术
题材
构思
工笔国画
《福荫》
健康教育
分类号
R193 [医药卫生—卫生事业管理]
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职称材料
题名
GaAs/Si异质外延的新进展
2
作者
黄善祥
林金庭
陆正
沈浩瀛
王翠莲
郑有(火斗
张荣
严勇
冯端
机构
南京电子器件研究所
南京大学物理系
南京大学固体微结构实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期324-331,共8页
文摘
本工作从原理和实验技术上证实了氯化物VPE技术可用于CaAs/Si异质外延.CaAs/Si外延层表面平整光亮.对外延层进行了组分测量、高分辨率电镜和X-射线衍射分析.结果表明,外延层是符合化学计量比的CaAs单晶,外延层浓度可控范围为10^(14)～10^(17)cm^(-3),纵向掺杂分布平坦.用这种材料制成MESFET样管,跨导为40mS/mm.
关键词
GAAS/SI
异质外延
外延生长
Keywords
[1] O. Zgareshi, J.Electrochem. Soc., 119 (1972), 1430.[2] W. I. Wang, Appl. Phys. Lett., 44(1984), 1149.[3] 陈
福荫
,固体电子学研究与进展,11(1991)2,137.[4] R. Cacloret, L. Hollan, J. B. Loyau, et al. J. Crystal Growth,29(1975), 187,[5] P. E. Gre
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
工笔国画《福荫》的创作思路
唐智平
《中国健康教育》
2001
0
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职称材料
2
GaAs/Si异质外延的新进展
黄善祥
林金庭
陆正
沈浩瀛
王翠莲
郑有(火斗
张荣
严勇
冯端
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1991
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