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[101]取向Li掺杂ZnO薄膜光学性能的研究
被引量:
10
1
作者
朱兴文
李勇强
+2 位作者
陆液
李英伟
夏义本
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期359-362,共4页
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜,研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律.结果表明,399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起;与[002]取向的薄膜相比,未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大,且出现了380nm...
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜,研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律.结果表明,399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起;与[002]取向的薄膜相比,未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大,且出现了380nm附近的带边发射(NBE)峰;在560~580℃热处理下,其晶胞变小、光学带隙变窄、360nm左右的带间发光峰红移;当热处理温度升至610℃时,薄膜中再次出现380nm的NBE峰.
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关键词
ZNO薄膜
Li掺杂
【101】取向
PL谱
下载PDF
职称材料
题名
[101]取向Li掺杂ZnO薄膜光学性能的研究
被引量:
10
1
作者
朱兴文
李勇强
陆液
李英伟
夏义本
机构
上海大学材料学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期359-362,共4页
基金
上海市重点学科(T0101)资助
文摘
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜,研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律.结果表明,399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起;与[002]取向的薄膜相比,未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大,且出现了380nm附近的带边发射(NBE)峰;在560~580℃热处理下,其晶胞变小、光学带隙变窄、360nm左右的带间发光峰红移;当热处理温度升至610℃时,薄膜中再次出现380nm的NBE峰.
关键词
ZNO薄膜
Li掺杂
【101】取向
PL谱
Keywords
ZnO thin film
Li dopant
[
101
] orientation
photoluminescence
分类号
O484 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
[101]取向Li掺杂ZnO薄膜光学性能的研究
朱兴文
李勇强
陆液
李英伟
夏义本
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
10
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职称材料
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