压缩六角格子[A(BC)]~m结构光子晶体禁带特性

通过引入缺陷和色散介质方法,调控光子的运动状态,研究一种压缩[A(BC)]m结构负折射率光子晶体的TE波和TM波的传输特性和色散特性,研究发现两种模的禁带特性随入射角和色散介质折射率的变化而变化,并且其带隙比普通光子晶体的大,而透射带要窄,这为高品质低损耗的谐振腔、微波天线、透射光栅、光波导等新器件的研制提供理论依据。

〔A（BC）〕^m结构光子晶体光纤传输特性

通过引入缺陷和色散介质方法,调控光子的运动状态,研究一种〔A(BC)〕m结构负折射率光子晶体的TE波和TM波的传输特性和色散特性,得到两种模的色散特性随入射角变化而变化规律,并且其带隙比普通光子晶体的大,而透射带要窄。通过运用传统计算电磁场与电磁波传播的FDTD方法及PML边界条件来仿真〔A(BC)〕m结构光子晶体光纤TM波和TE波的传输模式,研究发现〔A(BC)〕m结构光子晶体光纤模场分布与传统光子晶体光纤相似,但模场形状比传统光子晶体光纤的要好,更接近圆形,实现光在光子晶体光纤中传播的可视化。

硅溶胶包覆制备核壳结构VO_(2)(M)@SiO_(2)研究

通过SiO_(2)包覆VO_(2)(M)材料形成核壳结构,可以显著提高其可见光透过率(T_(lum)),有效减缓VO_(2)(M)的氧化过程,对于增强智能窗的应用价值具有重要意义。Stöber法是制备核壳结构VO_(2)(M)@SiO_(2)的传统方法,采用硅溶胶凝胶法来简化制备工序、降低生产成本并减少工艺调控要素。通过对硅溶胶凝胶实验的初步研究,探讨硅溶胶凝胶包覆VO_(2)(M)的工艺参数,并通过实验验证硅溶胶凝胶包覆VO_(2)(M)的可行性。研究结果表明,当pH为5~6、固含量为15%~20%(质量分数)时,硅溶胶的凝胶化能力最佳。此外,随着凝胶温度升高,凝胶时间缩短,焙烧后得到的SiO_(2)粉体结晶性和热稳定性增加。根据优化后的硅溶胶凝胶工艺参数成功制备了致密稳定的核壳结构VO_(2)(M)@SiO_(2)材料,其包覆程度达到93.3%,薄膜的光学透过率提升至65%,且其相变温度降低和热滞后回线宽度变窄。因此,硅溶胶凝胶法为制备高性能的核壳结构VO_(2)(M)@SiO_(2)材料提供了一种简化工艺和降低成本的方法,对于智能窗等应用具有重要潜力。

基于M估计强混合重尾序列结构变点的鲁棒检验

针对强混合重尾序列结构变点的检测问题,为避免因序列重尾性导致最小二乘估计产生偏差,文章提出了基于M估计的比值型检验统计量,用于检测重尾序列位置结构变点。在一般约束条件下证明了原假设下统计量的极限分布是布朗运动的泛函,并得到备择假设下的一致性。针对因序列相依性导致的经验水平扭曲现象,采用Block Bootstrap抽样方法获得了更为准确的临界值,有效提高了检验功效。数值模拟结果显示,在Block Bootstrap抽样方法下基于M估计的比值型检验在强混合重尾序列结构变点检测中能较好地控制经验水平,经验势也较合理。最后,通过一组汇率数据验证了所提检验方法的可行性。

超高速激光熔覆制备M2涂层的组织结构与性能研究

超高速激光熔覆技术作为一种新型的表面工程技术,具有快速加工、精密控制、热影响小等优点,适用于多种材料表面的涂层制备。为了研究熔覆速度对M2涂层组织结构和性能的影响,利用超高速激光熔覆技术在Q235钢表面制备了M2涂层。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、硬度计、摩擦磨损仪、电化学工作站分别测试了涂层的微观组织、物相组成、硬度、耐磨性和耐腐蚀性。结果表明:熔覆速度为1.2 m/min时,涂层与基体结合无缝隙,显微硬度为757.1 HV,摩擦系数为0.448,腐蚀电流密度J_(corr)为1.98×10^(-6)A/cm^(2);随着熔覆速度的提高,涂层与基体结合处出现缝隙,晶粒减小,稀释率减小,硬度增大,摩擦系数减小;当熔覆速度为40.0 m/min时,涂层与基体结合处出现较大裂纹,此时晶粒等效平均直径为1.76μm,稀释率为6.8%,平均显微硬度828.1 HV,平均摩擦系数为0.345,腐蚀电流密度J_(corr)为1.26×10^(-7)A/cm^(2)。熔覆速度对超高速激光熔覆涂层的宏观形貌和性能的影响较大。随着熔覆速度的增大,涂层区域出现裂纹。随着熔覆速度的提高,涂层的晶粒等效直径减小,硬度、耐磨性、耐腐蚀性均提高。各涂层的物相组成均为马氏体、残余奥氏体和碳化物。本工作为M2高速钢涂层的制备和参数优化提供了理论依据。

六角GaM(M=S/Se/Te)的电子结构和力学性质的第一性原理计算

依据密度泛函理论(DFT)对层状六角P63/mmc结构的GaM(M=S/Se/Te)进行电子结构与弹性力学特性的模拟研究。优化后的P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)的晶格,与实验结果相吻合。采用HSE06泛函得到的带隙值比PBE得到的与实验值更接近。应变能-应变(E-S)和应力-应变(S-S)两种方法得到的P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)的单晶弹性常数都符合弹性力学稳定性准则。在更接近文献值的应力-应变(S-S)法基础上,对3种材料的多晶弹性模量等力学特性进行了后续分析。泊松比和B/G值表明,P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)显现出脆性。各向异性因子、杨氏模量E、剪切模量G及线性压缩系数β的三维立体图分别展示了材料的弹性各向异性程度。在零温零压下,P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)在[100]方向上的第一横向声速最大,在[001]方向上两个横波TA1和TA2的速度最慢。

后处理优化组织结构改善冷喷涂增材制造M2052合金阻尼性能

冷喷涂增材制造技术具有低的热输入,以及能够有效避免晶粒长大、相变和高热应力等缺陷形成的优势,越来越受到人们的关注。虽然冷喷涂方法能够有效地避免高阻尼锰铜合金在制备过程中的氧化和热裂纹的形成,但冷喷涂过程中粉末严重塑性变形产生的大量位错会导致冷喷涂锰铜合金阻尼性能明显降低。因此,对不同热处理工艺提升冷喷涂Mn-20Cu-5Ni-2Fe(M2052)合金阻尼性能的机理,以及相关的微观组织演变规律进行了研究。结果表明,在冷喷涂过程中,由于粉末颗粒变形不充分,因此形成了一些孔洞。在粉末颗粒边界处形成的孔洞经固溶处理后数量明显减少,这是因原子扩散促进了颗粒间的部分孔洞愈合。另外,在冷喷涂成形过程中粉末颗粒碰撞的界面处会产生巨大的热量,从而发生动态再结晶,形成尺寸约为200—400 nm的纳米晶粒。冷喷涂沉积M2052合金经850℃、1 h固溶处理和恒温420℃不同时间的时效处理后,晶粒发生再结晶和长大,形成了无畸变的等轴晶,这与时效处理导致冷喷涂M2052合金奥氏体调幅分解有关。随着时效时间的增加奥氏体调幅分解程度增加,导致富锰基体中锰含量的增加,从而促进了M2052合金马氏体相变温度的增加。冷喷态M2052合金经固溶(850℃×1 h)+时效(420℃×24 h)处理后,室温下呈现出了最佳的阻尼性能(Ψ_(0.08%)≈26%)。本研究为锰铜合金的阻尼性能的提高提供了理论依据。

高速铁路5 m高声屏障简支箱梁结构设计研究

铁路桥梁通用参考图一般按常规高度声屏障设计,往往无法适用环保要求采用非标准高度声屏障的情况。文章以高速铁路32 m标准双线简支箱梁为依托,对5 m高声屏障箱梁进行结构设计研究。通过有限元计算得出,桥面板受集中力矩作用时,采用实体模型分析能较好地模拟应力分布。对于桥上设置5 m高声屏障简支箱梁,适当加强翼缘钢筋可满足结构设计要求。

BC技术在光伏系统中的工程应用与优化研究

本文探讨了BC(Back contact)电池技术在光伏系统中的应用与改进策略,旨在提高光伏系统的转换效率和稳定性。BC技术通过改善电池结构工艺,增加光线吸收率以及改善热损失,为光伏系统的光电池板结构优化和提升电站发电性能及稳定性提供了新的解决方案。结果表明,BC技术在提升电池转换效率,减少电子复合损失及降低发电成本方面具有明显优势,表明BC技术在光伏系统应用中具有巨大的应用潜力。

稀土La^(3+)离子取代对M型锶铁氧体的结构和磁性的影响

采用陶瓷工艺,制备了Sr1-xLaxFe12O19M型锶铁氧体。系统地研究了稀土La3+取代Sr2+对M型六角铁氧体的结构和磁性的影响。La3+离子取代部分的Sr2+离子能明显改善M型铁氧体的内禀磁性。

La、Co取代对M型锶铁氧体结构和磁性能的影响

采用陶瓷法制备了La、Co取代的M型锶铁氧体Sr1-xLaxFe12-xCoxO19（x=0．05～0．20）。用X射线衍射仪、振动样品磁强计和永磁材料测量仪对粉末样品的结构与磁学性能进行了观测。系统地研究了La、Co取代对M型锶铁氧体结构和磁性能的影响。实验结果表明，随着替代量x的增大，内禀矫顽力Hcj增大，而比饱和磁化强度δs和剩磁Br先增大后减小。La、Co部分取代能明显改善M型锶铁氧体的内禀磁性。

地连墙结构m法计算中的问题和改进

指出了地连墙结构采用m法进行计算时存在的两个问题和解决方法。(1)平面问题的地连墙计算中地基土的m值与空间桩的差异问题,介绍了平面问题中确定地基土的m值的方法,算例表明地连墙计算中地基土的m值应取为空间桩计算中的20％～35％;(2)地连墙的墙前土抗力可能会超过被动土压力的计算值,为此介绍了对墙前土抗力进行限制的改进计算方法,对工程结构的计算表明这种改进计算是有效和必要的。

基于谱分析的30m望远镜三镜支撑结构地震分析

为了满足30m望远镜(TMT)三镜系统(M3S)对抗震性能的要求,对在返回周期为200年和1000年的地震载荷条件下的三镜支撑结构的性能进行了分析。首先,根据三镜支撑结构的特点,对TMT整体的地震响应谱进行了修正,得到了适用于三镜支撑结构的地震响应谱。然后,分析了三镜支撑结构在不同等级地震激励下的位移、应力和加速度响应。分析结果显示,当返回周期为1000年的地震从水平面内两个正交方向及竖直方向同时传递到三镜支撑结构中时,系统响应最大;此时,三镜支撑结构中各部件的最大加速度为2.844g,最大位移为1.544mm,最大应力为552.316MPa,三镜上最大应力为1.401MPa。根据材料力学性能可知,侧支撑杆会发生破坏,需要采取地震防护措施对三镜进行保护。本文在进行谱分析时较完整地考虑了各项因素,结果数据精确可靠,可为三镜系统的详细设计提供指导。

TRIM蛋白家族结构与抗病毒功能

TRIM（Tripartitemotif）家族的名称是由于其具有3个保守的结构域而得来。这三个结构域从N端到c端的顺序依次是RING结构域（RINGdo．main）、1个或2个B．box结构域、一个卷曲螺旋结构域（Coiled—coildomain），此外该家族还具有一个可变的C一末端，因此TRIM家族也称为RBCC家族。

广东东源M_S4.8地震序列震源位置及周边地区P波三维速度结构

利用震源位置和速度结构的联合反演,得到2012年2月16日广东东源MS4.8地震序列的震源位置及震源区速度结构模型,并进一步采用双差定位法对该序列位置重新定位.结果显示,东源MS4.8地震是一次自上而下、自西向东的单侧破裂过程,破裂面积约3km×5km.震源区地壳结构复杂,埋深712km处为一个速度达6.2km/s的高速体,主震的起始破裂位置位于高速体的顶部速度梯度较大的区域,破裂面穿越整个高速体,余震止于高速体下方的低速区底部(埋深约16km).东源县锡场镇下方的这种高、低速相间的结构,表明地壳层间相邻物质性状的差异利于应变能的积累和释放,因此东源地区具备发生中强地震的构造条件.

新型高性能纤维M5的结构与性能

介绍了一种新型液晶芳族杂环聚合物,聚(2,5-二羟基-1,4-苯撑吡啶并二咪唑)(简称M5)。简述了聚合物的分子结构特征,以及由此聚合物干喷湿纺成型制备的高性能纤维,并通过与其它高性能纤维的比较,阐述了M5纤维优良的性能,特别是其良好的压缩与剪切特性,并展望了M5纤维的应用前景。

金属间化合物MgB_2电子结构与超导电性的研究

利用正电子湮没实验,结合理论模拟计算研究了金属间化合物MgB2系列样品。结果表明,在不同压强下,样品的电子结构发生了变化,Mg原子层电子向B原子层方向转移,与B原子层面上的空穴载流子复合,导致费米能级降低,其附近的态密度减小,使可配对电子减少;同时由于压力作用,样品材料晶格弹性减弱,电声耦合失匹,抑制了材料的超导电性。最后对激光辐照下的MgB2系列样品进行了分析,可能在一定光剂量范围内,有助于超导电性,过量的光子掺杂将会抑制其超导电性。

基于“m”法的深基坑支护结构三维分析方法

结合工程实例,提出了一种可以考虑土体、支撑系统、挡土墙三者共同作用的基坑支护结构三维简化分析方法。基于“m”法的基本计算理论,将地基土体考虑成坑内的土弹簧单元和坑外的水土压力,并建立支护结构和土弹簧的三维有限元模型来分析支护结构的内力与变形。应用该方法分析了上海铁路南站北广场深基坑工程的支护结构,计算结果与实测值基本吻合,并且可以从整体上把握结构的受力特性。

M_6^(0,±)(M=Os,Ir,Pt)团簇结构与性质的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论(DFT)中的杂化密度泛函(B3LYP)方法,在LANL2DZ基组水平上对M06,±(M=Os,Ir,Pt)团簇的各种可能构型进行了几何结构优化,得出各团簇的最稳定构型,并对其能量、振动频率、热力学性质、核独立化学位移(NICS)和极化率进行了理论研究.结果表明,M06,±(M=Os,Ir)团簇的基态都是三棱柱结构,Pt-6团簇的基态是平面三角形结构;M06,±(M=Os,Ir,Pt)团簇生成焓都为负值,热力学上是稳定的;NICS值都为负值,表明M06,±(M=Os,Ir,Pt)团簇都具有芳香性,其中Os-6团簇的芳香性最强;从光谱分析来看,Os6的IR和Raman谱的较强吸收峰的个数最多,Ir6的IR和Raman谱的最强吸收峰都只有一个,IR最强吸收峰在137.0和143.5 cm-1之间,Raman谱最强的吸收峰位于169.5 cm-1处;Pt6的IR和Raman谱的最强吸收峰分别位于50.2和194.7 cm-1处.

AB_2型LaMgNi_(3.7)M_(0.3)(M=Ni、Al、Mn、Co、Sn、Cu)贮氢合金的晶体结构及电极性能

系统研究了LaMgNi3.7 M0.3(M=Ni、Al、Mn、Co、Sn、Cu)合金的组织结构和电化学性能.XRD和电子探针显微分析(EPMA)结果表明:该系列合金主相均为LaMgNi4相,其中含Mn、Cu和Co元素在LaMgNi4合金相中有一定的固溶度,LaMgNi3.7Sn0.3合金中的Sn元素主要以LaNiSn相析出;XRD全谱拟合分析表明:LaMgNi3.7Al0.3中Al元素主要占据在LaNi5相的3g位置.合金化元素在LaMgNi4相中的固溶度从大到小的顺序是Mn＞Cu＞Co＞Al＞Sn.电化学实验表明,该系列合金经1～3次循环即可活化,最大放电容量由245.2mAh/g(M=Sn)变化至293.2mAh/g(M=Co),但合金电极的循环稳定性均较差.合金电极的高倍率放电性能(HRD900%)从大到小依次为Al＞Sn＞Cu＞Mn＞Ni＞Co,其中氢原子在合金中的扩散对合金电极的高倍率放电性能起主要作用.