层状钨基氧化物复合材料的合成与电子特性

W_2O_6·H_2O/一元烷基胺复合物[(C_nH_(2n+1)NH_2,n=4、8、12、16)嵌入层状氧化钨W_2O_6·H_2O]的XRD、IR、TG-DSC分析表明:烷基胺C_nH_(2n+1)NH_2能基于质子加合的机制嵌入W_2O_6·H_2O层间,且插层复合物之间烷基胺的插入与抽出是个可逆过程;烷基胺嵌入层间后以全反式构象双层排布,层间距d随烷基胺碳原子数的增加而线性增长,烷基链与层板的夹角为71.6°。插层复合物UV-Vis分析发现,各种复合物的禁带宽度相对半导体氧化钨的禁带宽度变宽了很多,这表明可以通过嵌入不同的物质来调节氧化钨层与层之间的电子传递能力。