期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
13
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
用于反熔丝FPGA的内建测试电路
被引量:
2
1
作者
马金龙
卢礼兵
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期153-158,共6页
由于反熔丝器件的一次可编程特性,反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在生产阶段很难完成对电路的功能测试验证。针对反熔丝FPGA典型的结构及其内部可编程逻辑模块(PLM)结构,分析了在编程前对PLM进行全功能测试的方法。设计了内建测试电路结...
由于反熔丝器件的一次可编程特性,反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在生产阶段很难完成对电路的功能测试验证。针对反熔丝FPGA典型的结构及其内部可编程逻辑模块(PLM)结构,分析了在编程前对PLM进行全功能测试的方法。设计了内建测试电路结构,用于内部PLM逻辑功能的测试。给出了内建测试电路的寻址寄存器、赋值寄存器以及检测电路的结构设计,电路在1.0μm双层多晶双层金属(2P2M)氧化层-氮化物-氧化层(ONO)反熔丝工艺上成功流片。测试结果表明,电路设计正确,解决了在芯片编程前完成基于反熔丝的一次可编程FPGA的内部PLM逻辑功能测试的难题,为后期研究反熔丝电路奠定了基础。
展开更多
关键词
反熔丝
现场
可编程
门阵列(FPGA)
可编程
逻辑模块(PLM)
一次可编程
器件
内建测试电路
下载PDF
职称材料
基于电容结构的α-SiGe∶H膜电学退化特性
2
作者
郑若成
吴素贞
+3 位作者
洪根深
王印权
徐海铭
吴建伟
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第7期526-531,576,共7页
针对航天一次可编程(OTP)存储器高可靠应用需求,基于电容结构和肖特基接触模型,分析得出α-SiGe∶H膜退化前电流传输机制较好地符合热电子发射-扩散模型,并计算得到零偏α-SiGe∶H/TiW界面肖特基势垒高度为0.41 eV。通过实验发现,在电...
针对航天一次可编程(OTP)存储器高可靠应用需求,基于电容结构和肖特基接触模型,分析得出α-SiGe∶H膜退化前电流传输机制较好地符合热电子发射-扩散模型,并计算得到零偏α-SiGe∶H/TiW界面肖特基势垒高度为0.41 eV。通过实验发现,在电压应力作用下,α-SiGe∶H膜漏电随时间增大并逐渐饱和,且不同应力电压下对应饱和漏电大小及饱和点时间不同。分析应力下漏电增大与非晶网络弱键断裂造成的缺陷相关,漏电机制由初始的扩展态主导转变为由缺陷密度决定的局域态主导,漏电饱和归因于α-SiGe∶H膜中缺陷密度的饱和,采用近邻跳跃电导模型可以很好地拟合实测J-V曲线,并计算得到饱和缺陷密度为5×10^19 eV^-1·cm^-3。
展开更多
关键词
一次可编程
(OTP)存储器
α-SiGe∶H膜
肖特基接触
热电子发射-扩散模型
跳跃电导机制
下载PDF
职称材料
8脚单片机PIC12C5××的性能特点及应用
3
作者
孔令成
《电子技术应用》
北大核心
1998年第2期51-53,共3页
概要介绍了美国MICROCHIP公司生产的8脚8位单片机PIC12C508和PIC12C509的性能特点及工作原理,并结合笔者使用后的体会说明了其应用时的注意事项。
关键词
单片机
定时器
一次可编程
计数器
下载PDF
职称材料
EM78P247单片机及其应用
4
作者
苏德智
《国外电子元器件》
1999年第5期11-14,共4页
EM78P247单片机是一种体积小、功耗低、性价比高的新型单片机,本文介绍了它的主要特性、内部结构框图、引脚功能。
关键词
单片机
一次可编程
磁控管
EM78P247
下载PDF
职称材料
一种OTP存储器片上时序信号产生电路的设计
5
作者
袁蕊林
陈志钧
+1 位作者
张颉夫
陈奕含
《电子元器件应用》
2011年第12期43-45,48,共4页
设计了一种用于OTP存储器的片上时序信号产生电路。由地址变化探测电路和脉冲宽度调整电路组成。地址变化检测电路检测地址信号的变化,再由脉冲宽度调整电路产生一个宽度适中的时序信号,用于内部时序控制。其具有时序信号宽度可控,电路...
设计了一种用于OTP存储器的片上时序信号产生电路。由地址变化探测电路和脉冲宽度调整电路组成。地址变化检测电路检测地址信号的变化,再由脉冲宽度调整电路产生一个宽度适中的时序信号,用于内部时序控制。其具有时序信号宽度可控,电路结构简单的特点。电路在TSMC0.18μm工艺下得到验证。
展开更多
关键词
一次可编程
片上时序
地址变化探测
脉冲宽度调整
下载PDF
职称材料
一种单引脚修调电路的设计
被引量:
2
6
作者
李晶
汪西虎
许建蓉
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第11期828-833,共6页
使用一次可编程结构对关键参数进行修调是提升集成电路精度及成品率的一种常用方法。但是,传统的修调电路采用I^2C等通信协议来控制修调过程,需要占用较多的集成电路引脚资源。因此,提出了一种使用归零码码型设计的新型数字修调控制电路...
使用一次可编程结构对关键参数进行修调是提升集成电路精度及成品率的一种常用方法。但是,传统的修调电路采用I^2C等通信协议来控制修调过程,需要占用较多的集成电路引脚资源。因此,提出了一种使用归零码码型设计的新型数字修调控制电路,仅需一个芯片引脚,即可实现修调数据的传输及对修调过程的控制。该电路已成功应用于一款过压保护芯片中,使用该修调电路对芯片的参数进行校正并测试。结果表明,其关键性能参数基准电压和过压阈值的标准差由修调前的14 mV和110 mV降低至8 mV和49 mV,并且芯片的成品率由80%提升至99%以上。
展开更多
关键词
集成电路
数字修调控制电路
一次可编程
(OTP)结构
修调
归零码
下载PDF
职称材料
力旺电子OTP硅知识产权成功导入22FDX工艺
7
作者
力旺电子
《中国集成电路》
2018年第11期8-8,11,共2页
力旺电子近日宣布其一次可编程(OTP)内存硅知识产权NeoFuse成功导入22nm全耗尽绝缘体上硅(fully-depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)工艺平台(22FDX),NeoFuse技术继在FinFET工艺平台完成验证后,再次于FD-SOI工艺证明其优异的特性。...
力旺电子近日宣布其一次可编程(OTP)内存硅知识产权NeoFuse成功导入22nm全耗尽绝缘体上硅(fully-depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)工艺平台(22FDX),NeoFuse技术继在FinFET工艺平台完成验证后,再次于FD-SOI工艺证明其优异的特性。此外,力旺电子NeoFuse技术还可于超低电压操作,系统于启动最初阶段即可开始运作以提供芯片的安全认证,特别适用于智能卡、移动支付及物联网等应用,并具有低漏电及优于一般的面积成本优势。
展开更多
关键词
SOI工艺
绝缘体上硅
知识产权
OTP
电子
FINFET
一次可编程
超低电压
下载PDF
职称材料
Kilopass授权亚科鸿禹,拓展中国大陆市场
8
《中国集成电路》
2010年第1期3-3,共1页
Kilopass科技公司近期宣布北京亚科鸿禹科技有限公司为其中国大陆地区独家代理商。Kilopass公司一直致力于嵌入式一次可编程非易失性存储器IP技术的开发,产品覆盖从0.18微米到40纳米的全部标准CMOS制造工艺。Kilopass是TSMC唯一在先...
Kilopass科技公司近期宣布北京亚科鸿禹科技有限公司为其中国大陆地区独家代理商。Kilopass公司一直致力于嵌入式一次可编程非易失性存储器IP技术的开发,产品覆盖从0.18微米到40纳米的全部标准CMOS制造工艺。Kilopass是TSMC唯一在先进工艺通过IP-9000认证的OTPIP供应商。
展开更多
关键词
中国大陆地区
亚科
非易失性存储器
授权
市场
pass公司
制造工艺
一次可编程
下载PDF
职称材料
宏力中国区营收持续快速增长
9
《中国集成电路》
2012年第5期2-2,共1页
上海宏力半导体制造有限公司日前宣布依托嵌入式闪存、一次可编程和逻辑等特色工艺,中国区营收继连续五年大幅快速增长后,2012年一季度仍呈现增长旺势,并首次达到公司业务总营收三分之一强。
关键词
中国
宏
嵌入式闪存
半导体制造
一次可编程
下载PDF
职称材料
OTP工艺的基本特点和工艺难度简介
10
作者
谢杰
《集成电路应用》
2004年第11期64-67,共4页
什么是OTP?——这样的产品只允许写入一次,所以被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM,OTP-ROM)。
关键词
OTP工艺
“
一次可编程
只读存储器”
工艺难度
集成电路
编程
宏单元
下载PDF
职称材料
最新语音集成电路备有先进的线性编码方式
11
《中国电子商情》
1996年第11期46-47,50-53,共6页
由于多媒体及通信市场的高速发展,语音集成电路已普遍运用于不同的电子产品中,包括多媒体电脑、通信器材、玩具、应答机,及其他消费电子产品。在产品特性方面,厂家向高科技方向生产,推出备有线性编码(LP)的型号,可同时提供脉冲编码调制(...
由于多媒体及通信市场的高速发展,语音集成电路已普遍运用于不同的电子产品中,包括多媒体电脑、通信器材、玩具、应答机,及其他消费电子产品。在产品特性方面,厂家向高科技方向生产,推出备有线性编码(LP)的型号,可同时提供脉冲编码调制(PCM)及自动适应差分脉冲编码调制(ADPCM)的编码方式,并可在声音后加上背景音响,或其他音乐效果。产品也内置16至64KB的 ROM,可存储1至4分钟的语音,还有一次可编程(OTP)系统,以支援原型语音循环及快速生成语音循环。另一受访的美国厂家所推出的语音集成电路则备有波表(wavetable)合成电脑音频解决方案。
展开更多
关键词
语音集成电路
语音电路
语音合成
编码方式
电子产品
快速生成
一次可编程
音频解决方案
差分脉冲编码调制
微处理器
下载PDF
职称材料
智芯科技推出国内首个经过硅验证的嵌入式OTP解决方案
12
《集成电路应用》
2005年第1期41-41,共1页
智芯科技日前宣布面向IC设计业推出中国首个经硅验证的嵌入式一次可编程存储器(OTP)解决方案。此方案基于华润上华(CSMC)的0.5μm 2P3M CMOS工艺,包含了业内最完整的服务。
关键词
智芯科技公司
硅验证
OTP
一次可编程
存储器
下载PDF
职称材料
远程控制用OTP微控制器
13
《今日电子》
2004年第5期72-72,共1页
关键词
远程控制
OTP微控制器
一次可编程
ZLP32300
下载PDF
职称材料
题名
用于反熔丝FPGA的内建测试电路
被引量:
2
1
作者
马金龙
卢礼兵
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期153-158,共6页
文摘
由于反熔丝器件的一次可编程特性,反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在生产阶段很难完成对电路的功能测试验证。针对反熔丝FPGA典型的结构及其内部可编程逻辑模块(PLM)结构,分析了在编程前对PLM进行全功能测试的方法。设计了内建测试电路结构,用于内部PLM逻辑功能的测试。给出了内建测试电路的寻址寄存器、赋值寄存器以及检测电路的结构设计,电路在1.0μm双层多晶双层金属(2P2M)氧化层-氮化物-氧化层(ONO)反熔丝工艺上成功流片。测试结果表明,电路设计正确,解决了在芯片编程前完成基于反熔丝的一次可编程FPGA的内部PLM逻辑功能测试的难题,为后期研究反熔丝电路奠定了基础。
关键词
反熔丝
现场
可编程
门阵列(FPGA)
可编程
逻辑模块(PLM)
一次可编程
器件
内建测试电路
Keywords
antifuse
field programmable gate array (FPGA)
programmable logic module (PLM)
one-time programmable device
built-in testing circuit
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于电容结构的α-SiGe∶H膜电学退化特性
2
作者
郑若成
吴素贞
洪根深
王印权
徐海铭
吴建伟
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第7期526-531,576,共7页
文摘
针对航天一次可编程(OTP)存储器高可靠应用需求,基于电容结构和肖特基接触模型,分析得出α-SiGe∶H膜退化前电流传输机制较好地符合热电子发射-扩散模型,并计算得到零偏α-SiGe∶H/TiW界面肖特基势垒高度为0.41 eV。通过实验发现,在电压应力作用下,α-SiGe∶H膜漏电随时间增大并逐渐饱和,且不同应力电压下对应饱和漏电大小及饱和点时间不同。分析应力下漏电增大与非晶网络弱键断裂造成的缺陷相关,漏电机制由初始的扩展态主导转变为由缺陷密度决定的局域态主导,漏电饱和归因于α-SiGe∶H膜中缺陷密度的饱和,采用近邻跳跃电导模型可以很好地拟合实测J-V曲线,并计算得到饱和缺陷密度为5×10^19 eV^-1·cm^-3。
关键词
一次可编程
(OTP)存储器
α-SiGe∶H膜
肖特基接触
热电子发射-扩散模型
跳跃电导机制
Keywords
one-time programmable(OTP)memory
α-SiG∶H film
Schottky contact
thermal electron emission-diffusion model
hopping conduction mechanism
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
8脚单片机PIC12C5××的性能特点及应用
3
作者
孔令成
机构
中国科学院合肥智能机械研究所
出处
《电子技术应用》
北大核心
1998年第2期51-53,共3页
文摘
概要介绍了美国MICROCHIP公司生产的8脚8位单片机PIC12C508和PIC12C509的性能特点及工作原理,并结合笔者使用后的体会说明了其应用时的注意事项。
关键词
单片机
定时器
一次可编程
计数器
分类号
TP362.12 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
EM78P247单片机及其应用
4
作者
苏德智
机构
广东省中山市中山学院
出处
《国外电子元器件》
1999年第5期11-14,共4页
文摘
EM78P247单片机是一种体积小、功耗低、性价比高的新型单片机,本文介绍了它的主要特性、内部结构框图、引脚功能。
关键词
单片机
一次可编程
磁控管
EM78P247
分类号
TP368.103 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TN123.03 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
一种OTP存储器片上时序信号产生电路的设计
5
作者
袁蕊林
陈志钧
张颉夫
陈奕含
机构
电子科技大学微电子与固体电子学院
出处
《电子元器件应用》
2011年第12期43-45,48,共4页
文摘
设计了一种用于OTP存储器的片上时序信号产生电路。由地址变化探测电路和脉冲宽度调整电路组成。地址变化检测电路检测地址信号的变化,再由脉冲宽度调整电路产生一个宽度适中的时序信号,用于内部时序控制。其具有时序信号宽度可控,电路结构简单的特点。电路在TSMC0.18μm工艺下得到验证。
关键词
一次可编程
片上时序
地址变化探测
脉冲宽度调整
分类号
TN957.5 [电子电信—信号与信息处理]
下载PDF
职称材料
题名
一种单引脚修调电路的设计
被引量:
2
6
作者
李晶
汪西虎
许建蓉
机构
西安邮电大学电子工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第11期828-833,共6页
基金
陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2020JM-583)。
文摘
使用一次可编程结构对关键参数进行修调是提升集成电路精度及成品率的一种常用方法。但是,传统的修调电路采用I^2C等通信协议来控制修调过程,需要占用较多的集成电路引脚资源。因此,提出了一种使用归零码码型设计的新型数字修调控制电路,仅需一个芯片引脚,即可实现修调数据的传输及对修调过程的控制。该电路已成功应用于一款过压保护芯片中,使用该修调电路对芯片的参数进行校正并测试。结果表明,其关键性能参数基准电压和过压阈值的标准差由修调前的14 mV和110 mV降低至8 mV和49 mV,并且芯片的成品率由80%提升至99%以上。
关键词
集成电路
数字修调控制电路
一次可编程
(OTP)结构
修调
归零码
Keywords
integrated circuit
digital trimming control circuit
one time programmable(OTP)structure
trim
return-to-zero code
分类号
TN431.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
力旺电子OTP硅知识产权成功导入22FDX工艺
7
作者
力旺电子
机构
不详
出处
《中国集成电路》
2018年第11期8-8,11,共2页
文摘
力旺电子近日宣布其一次可编程(OTP)内存硅知识产权NeoFuse成功导入22nm全耗尽绝缘体上硅(fully-depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)工艺平台(22FDX),NeoFuse技术继在FinFET工艺平台完成验证后,再次于FD-SOI工艺证明其优异的特性。此外,力旺电子NeoFuse技术还可于超低电压操作,系统于启动最初阶段即可开始运作以提供芯片的安全认证,特别适用于智能卡、移动支付及物联网等应用,并具有低漏电及优于一般的面积成本优势。
关键词
SOI工艺
绝缘体上硅
知识产权
OTP
电子
FINFET
一次可编程
超低电压
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
Kilopass授权亚科鸿禹,拓展中国大陆市场
8
出处
《中国集成电路》
2010年第1期3-3,共1页
文摘
Kilopass科技公司近期宣布北京亚科鸿禹科技有限公司为其中国大陆地区独家代理商。Kilopass公司一直致力于嵌入式一次可编程非易失性存储器IP技术的开发,产品覆盖从0.18微米到40纳米的全部标准CMOS制造工艺。Kilopass是TSMC唯一在先进工艺通过IP-9000认证的OTPIP供应商。
关键词
中国大陆地区
亚科
非易失性存储器
授权
市场
pass公司
制造工艺
一次可编程
分类号
TN912.26 [电子电信—通信与信息系统]
Q969.511.1 [生物学—昆虫学]
下载PDF
职称材料
题名
宏力中国区营收持续快速增长
9
出处
《中国集成电路》
2012年第5期2-2,共1页
文摘
上海宏力半导体制造有限公司日前宣布依托嵌入式闪存、一次可编程和逻辑等特色工艺,中国区营收继连续五年大幅快速增长后,2012年一季度仍呈现增长旺势,并首次达到公司业务总营收三分之一强。
关键词
中国
宏
嵌入式闪存
半导体制造
一次可编程
分类号
TP317.2 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
下载PDF
职称材料
题名
OTP工艺的基本特点和工艺难度简介
10
作者
谢杰
机构
上海贝岭股份有限公司
出处
《集成电路应用》
2004年第11期64-67,共4页
文摘
什么是OTP?——这样的产品只允许写入一次,所以被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM,OTP-ROM)。
关键词
OTP工艺
“
一次可编程
只读存储器”
工艺难度
集成电路
编程
宏单元
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
最新语音集成电路备有先进的线性编码方式
11
出处
《中国电子商情》
1996年第11期46-47,50-53,共6页
文摘
由于多媒体及通信市场的高速发展,语音集成电路已普遍运用于不同的电子产品中,包括多媒体电脑、通信器材、玩具、应答机,及其他消费电子产品。在产品特性方面,厂家向高科技方向生产,推出备有线性编码(LP)的型号,可同时提供脉冲编码调制(PCM)及自动适应差分脉冲编码调制(ADPCM)的编码方式,并可在声音后加上背景音响,或其他音乐效果。产品也内置16至64KB的 ROM,可存储1至4分钟的语音,还有一次可编程(OTP)系统,以支援原型语音循环及快速生成语音循环。另一受访的美国厂家所推出的语音集成电路则备有波表(wavetable)合成电脑音频解决方案。
关键词
语音集成电路
语音电路
语音合成
编码方式
电子产品
快速生成
一次可编程
音频解决方案
差分脉冲编码调制
微处理器
分类号
F426.6 [经济管理—产业经济]
下载PDF
职称材料
题名
智芯科技推出国内首个经过硅验证的嵌入式OTP解决方案
12
出处
《集成电路应用》
2005年第1期41-41,共1页
文摘
智芯科技日前宣布面向IC设计业推出中国首个经硅验证的嵌入式一次可编程存储器(OTP)解决方案。此方案基于华润上华(CSMC)的0.5μm 2P3M CMOS工艺,包含了业内最完整的服务。
关键词
智芯科技公司
硅验证
OTP
一次可编程
存储器
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
远程控制用OTP微控制器
13
出处
《今日电子》
2004年第5期72-72,共1页
关键词
远程控制
OTP微控制器
一次可编程
ZLP32300
分类号
TM571 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于反熔丝FPGA的内建测试电路
马金龙
卢礼兵
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
下载PDF
职称材料
2
基于电容结构的α-SiGe∶H膜电学退化特性
郑若成
吴素贞
洪根深
王印权
徐海铭
吴建伟
《微纳电子技术》
北大核心
2020
0
下载PDF
职称材料
3
8脚单片机PIC12C5××的性能特点及应用
孔令成
《电子技术应用》
北大核心
1998
0
下载PDF
职称材料
4
EM78P247单片机及其应用
苏德智
《国外电子元器件》
1999
0
下载PDF
职称材料
5
一种OTP存储器片上时序信号产生电路的设计
袁蕊林
陈志钧
张颉夫
陈奕含
《电子元器件应用》
2011
0
下载PDF
职称材料
6
一种单引脚修调电路的设计
李晶
汪西虎
许建蓉
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
2
下载PDF
职称材料
7
力旺电子OTP硅知识产权成功导入22FDX工艺
力旺电子
《中国集成电路》
2018
0
下载PDF
职称材料
8
Kilopass授权亚科鸿禹,拓展中国大陆市场
《中国集成电路》
2010
0
下载PDF
职称材料
9
宏力中国区营收持续快速增长
《中国集成电路》
2012
0
下载PDF
职称材料
10
OTP工艺的基本特点和工艺难度简介
谢杰
《集成电路应用》
2004
0
下载PDF
职称材料
11
最新语音集成电路备有先进的线性编码方式
《中国电子商情》
1996
0
下载PDF
职称材料
12
智芯科技推出国内首个经过硅验证的嵌入式OTP解决方案
《集成电路应用》
2005
0
下载PDF
职称材料
13
远程控制用OTP微控制器
《今日电子》
2004
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部