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半导体量子点电调制吸收谱一次微分性质的理论分析 被引量:1
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作者 田强 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期344-347,共4页
分析在电场作用下半导体量子点的介电响应函数 ,在弱场近似下得到半导体量子点的电调制吸收谱的一次微分性质 .由于量子点的量子约束效应 ,半导体中的电子能带不复存在 ,成为一系列离散的能级 ;通常体材料中的电场调制机制不存在了 ,在... 分析在电场作用下半导体量子点的介电响应函数 ,在弱场近似下得到半导体量子点的电调制吸收谱的一次微分性质 .由于量子点的量子约束效应 ,半导体中的电子能带不复存在 ,成为一系列离散的能级 ;通常体材料中的电场调制机制不存在了 ,在电场作用下 ,量子点中的量子能级会随电场而改变 ,激子吸收峰红移 ,因此电场直接影响到介电函数中的激子能级 ,使激子能级产生与电场强度有关而与时间无关的移动 . 展开更多
关键词 半导体量子点 一次微分性质 电调制吸收谱
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