一次烧成制度对SrTiO_3基电容-压敏复合功能陶瓷材料的影响

研究了一次烧成制度对SrTiO3基电容一压敏复合功能陶瓷材料性能的影响。结果表明：适宜的烧成温度有利于促进SrTiO3的致密化，并获得理想显微结构。中温氧化温度及保温时间对材料的晶界层厚度和晶界势垒高度影响显著。氧化温度低，可使材料具有大的介电常数ε和低压敏电压VlmA，但同时介电损耗tgδ上升，非线性系数α减小；保温时间越长，材料的α值越高，tgδ降低，但ε值减小，V1mA增大。通过对比空气中烧成和石墨还原一次烧成新工艺，认为石墨还原烧成试样有助于促进材料的晶粒生长和半导化过程。