Li原子的三次电离能

本文用变分法近似计算类氦离子体系的基态能级,并估算 L_1原子的三次电离能。

HALO结构pMOSFETs在V_g=V_d/2应力模式下应力相关的热载流子退化

研究了超薄栅 (2 .5 nm )短沟 HAL O- p MOSFETs在 Vg=Vd/ 2应力模式下不同应力电压时热载流子退化特性 .随着应力电压的变化 ,器件的退化特性也发生了改变 .在加速应力下寿命外推方法会导致过高地估计器件寿命 .在高场应力下器件退化是由空穴注入或者电子与空穴复合引起的 ,随着应力电压的下降器件退化主要是由电子注入引起的 .最后 。

水溶液中常见图像的数学转换

一、(强酸与弱酸)或(强碱与弱碱)的稀释问题例如:等浓度(0.1mol/L)的两种酸HA和HB水稀释过程中pH变化关系图(如图1、2所示).根据公式c(H^(+))=n(H^(+)/V_(总)),酸在稀释过程中,强酸由于完全一次电离,氢离子的物质的量保持不变,而弱酸由于是部分电离,在加水过程中,越稀越电离,氢离子的物质的量一直在增加,当加人相同体积的时候,强酸中氢离子浓度的变化量更大,所以,强酸的pH的变化幅度相比较弱酸的变化幅度要来的更大。

氦窄带的天体摄影

电离发射线(HeⅡ)是一种重要的天体发射线,提供了关于高温天体环境的关键信息。与Hα(氢α线)、[SⅡ](硫一次电离禁线)和[OⅢ](氧二次电离禁线)这三种在天体摄影中最常见的发射线不同,1 HeⅡ及其他一些线谱则相对较少为人所知。HeⅡ发射线主要出现在304A和4686A波长处。304A的HeⅡ线属于极紫外光谱,而4686A线则是位于可见光区域。因此,业余天体摄影中的HeⅡ窄带拍摄用到的就是4686A。