0.18μm一次编程(OTP)存储器的数据保持性能研究

数据保持能力一直是评估非挥发性存储器可靠性的重要组成部分。栅氧化层的缺陷和浮栅的表面正离子均会诱发存储在浮栅里面的电子跃迁,引起存储器数据丢失。优化浮栅前洗工艺和阱退火工艺,能有效消除浮栅表面的正离子和栅氧化层的缺陷,从而提高数据保持能力和芯片的可靠性。

基于电容结构的α-SiGe∶H膜电学退化特性

针对航天一次可编程(OTP)存储器高可靠应用需求,基于电容结构和肖特基接触模型,分析得出α-SiGe∶H膜退化前电流传输机制较好地符合热电子发射-扩散模型,并计算得到零偏α-SiGe∶H/TiW界面肖特基势垒高度为0.41 eV。通过实验发现,在电压应力作用下,α-SiGe∶H膜漏电随时间增大并逐渐饱和,且不同应力电压下对应饱和漏电大小及饱和点时间不同。分析应力下漏电增大与非晶网络弱键断裂造成的缺陷相关,漏电机制由初始的扩展态主导转变为由缺陷密度决定的局域态主导,漏电饱和归因于α-SiGe∶H膜中缺陷密度的饱和,采用近邻跳跃电导模型可以很好地拟合实测J-V曲线,并计算得到饱和缺陷密度为5×10^19 eV^-1·cm^-3。

智芯科技推出国内首个经过硅验证的嵌入式OTP解决方案

智芯科技日前宣布面向IC设计业推出中国首个经硅验证的嵌入式一次可编程存储器(OTP)解决方案。此方案基于华润上华(CSMC)的0．5μm 2P3M CMOS工艺，包含了业内最完整的服务。

OTP工艺的基本特点和工艺难度简介

什么是OTP?——这样的产品只允许写入一次，所以被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。