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中心掺杂单缺陷层一维光子晶体带隙缺陷特性
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作者 蔡允高 方兴 董盈红 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第1期37-41,68,共6页
在一维光子晶体(1D PC)结构中心掺杂单个缺陷层,采用传输矩阵法,通过Fortran语言编程进行数值计算,获得了中心掺杂单缺陷层一维光子晶体透射谱;分析并讨论了改变缺陷层折射率值(n′2,n′3)、缺陷层两端的基本周期层数N等因素时光子... 在一维光子晶体(1D PC)结构中心掺杂单个缺陷层,采用传输矩阵法,通过Fortran语言编程进行数值计算,获得了中心掺杂单缺陷层一维光子晶体透射谱;分析并讨论了改变缺陷层折射率值(n′2,n′3)、缺陷层两端的基本周期层数N等因素时光子带隙的缺陷特性。结果表明,在一定范围内调节缺陷层折射率n′2或n′3的值,缺陷带隙的透射率的值呈明显先增大后减小的趋势;此外,在(n′2,n′3)=(2.0,3.0)的条件下,随着N从3增加至10,缺陷带隙的透射率值迅速从0.735 9降至0.032 4,缺陷带隙频宽也相应地从0.047 0减小至0;而光子带隙的归一化频率均为0.230 0-0.320 0,即N不影响光子带隙的频宽。 展开更多
关键词 一维光子晶体(1d PC) 单缺陷层 折射率值 基本周期层数 缺陷特性
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