稀土铒掺杂氧化铟纳米带的制备与气敏性能

利用稀土掺杂可以大大改善半导体金属氧化物的气体性能。采用碳热还原法成功制备出纯净的和铒(Er)掺杂的氧化铟(In_(2)O_(3))纳米带。并利用扫描电子显微镜、能量色散X射线光谱法和X射线衍射等各种技术手段观察所获得的纳米带形态结构。通过对制备的单根纯净In_(2)O_(3)纳米带传感器及Er掺杂的单根In_(2)O_(3)纳米带传感器件进行气敏性能测试发现,Er掺杂In_(2)O_(3)纳米带表现出较纯净纳米带器件明显的灵敏度和性能响应。