薄膜、多层膜和一维超点阵材料的X射线分析新进展

Ｘ射线散射和衍射对于厚度为几个原子层到几十微米的薄膜材料是灵敏的。一般而言，Ｘ射线方法是非破坏性的，其中不要求样品制备，它们提供恰如其分的技术路线，以获得薄膜材料的结构等信息；分析能对从完整单晶膜和多晶膜到非晶膜的所有材料进行。本文评述了用Ｘ射线方法表征和研究这类薄膜材料的新进展。全文包括引论、常用的Ｘ射线方法、原子尺度薄膜的研究、工程薄膜和多层膜的研究、一维超点阵结构研究、超点阵界面粗糙度的Ｘ射线散射理论。

In_(1-x)Al_xAs/GaAs一维超点阵结构的X射线衍射和Raman散射研究

用同步辐射和 Cu Kα X射线衍射方法对 In1 - x Alx As/ Ga As一维超点阵结构进行对比式研究 .从低角衍射数据求得超点阵的周期Λ ,由 Ga As(0 0 2 )附近衍射数据求得各结构参数 .对两种光源的衍射结果进行了分析和比较 .解释了该超点阵的 Raman散射谱 ,发现在 Ga1 - x Alx As混晶谱中不存在的 2 75 cm- 1 峰 .