一维阵列电子注平面聚焦系统磁场分布特性

针对平面集成行波管对一维阵列电子注聚焦的应用需求,设计了4通道电子注平面磁聚焦系统。将各通道磁场轴向和横向分量沿轴分布特征计算结果与测试结果进行对比,确认了Opera软件计算磁场分布特征的准确性。为与轴对称周期永磁(PPM)聚焦系统电子注通道内磁场分布特性进行对比,建立了轴对称PPM聚焦系统模型,测试结果与计算结果一致性较好。通过平面聚焦系统与轴对称PPM聚焦系统电子注通道内的磁场纵向和横向分布特性对比表明,两种聚焦系统电子注通道内纵向和横向磁场具有相同的分布特征,在离轴相同位置的圆周上横向磁场分量与轴向分量的比值均为Bx/Bz≈0.11,该平面聚焦系统可实现一维阵列圆形电子注的良好聚焦。

一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器的研制

采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的I-V、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电流密度为5nA/cm2),光电流比暗电流高3个数量级以上.其光谱响应表明,单器件在电压为20V时的响应度约为0.09A/W,比400nm时的比值均大5000倍,说明探测器具有良好的紫外可见比.

相控阵超声一维阵列系统焦点形态研究

为了有效评价相控阵设备的功能和性能，有效保护国内用户的权益，从如何有效评价相控阵超声设备的角度出发，研究了聚焦深度、偏转角度和阵列孔径等因素变化时对焦点形态的影响。总结出了相控阵超声设备应用中的一些共性特点，为有效可靠地校准相控阵超声设备提供了理论支持。

一类一维阵列的孤波特征

该文研究了一类由二自由度可积哈密顿系统构成的一维阵列的行波解，发现在长波极限下，问题可约化为分析哈密顿系统在扰动下的同异宿轨道的情形．当无扰系统具有共振时，利用能量──相方法，得到该系统存在同、异宿到不动点和周期轨的充分条件，在该条件下相应地一维阵列存在一组具有孤波特征的行波，同时给出了一个Ｎ脉冲孤立子波的例子．

CaWO_4粉体和CaWO_4一维阵列的制备及光致发光特性

采用溶胶-凝胶法及辅助氧化铝模板法分别制备CaWO4粉体和CaWO4一维阵列,研究合成CaWO4粉体和一维陈列的光致发光特性。结果表明,制备的样品是纯CaWO4粉体;CaWO4粉体的强发光峰是位于410 nm的宽带谱,而CaWO4一维阵列的强发光峰在450 nm处,其光致发光曲线呈现宽化和强发光峰位的红移,这是样品和模板的光致发光光谱耦合的结果。

局部扭曲立方体在一维阵列光网络中的路由与波长分配

探讨局部扭曲立方体LTQ_n通信模式在一维阵列波分复用光网络中的路由与波长分配问题.首先通过LTQ_n的最大导出子图得到拥塞,即所需要的最少波长数;其次给出一个路由与波长分配策略,从而证明了最优波长数为2^(n+1)/3.

二氧化钛一维纳米阵列的制备方法研究进展

功能半导体纳米材料的设计、合成及晶面调控是目前光催化以及光电转换研究领域的重点。作为半导体家族中的重要一员,二氧化钛是一种环境友好、价格低廉的宽带隙n-型半导体材料。本文总结了二氧化钛一维纳米阵列制备方法的最新研究进展,为进一步优化二氧化钛纳米结构的电荷传输速率,提高其光电性质提供参考。

基于线阵列超声相控阵三维成像的实现研究

为进一步增强常规超声相控阵的检测能力,弥补二维检测图像对缺陷空间信息反映的单一性,获取更利于分析和评价的工业超声检测三维图像。采用携带编码器的一维线阵列换能器,借助Phascan平台及其二次开发模块采集原始扫查数据,合成带有位置信息的B扫图像,通过基于区域增长技术的混合绘制法实现缺陷的三维重建。人工缺陷对比试块的三维成像测量结果误差多小于5%,实验研究表明,该成像方法和系统能在空间上对缺陷形成一个直观体现,同时能够精确的反映缺陷的位置、形态以及尺寸等信息,为后续实验研究的开展奠定基础。

一维氧化锌柱阵列空间取向激发的荧光光谱研究

用两步气相沉积-氧化法制备了具有高度一致指向性的一维纤锌矿六方结构的氧化锌单晶柱阵列,探测它的不同空间取向激发条件下的荧光光谱。结果表明,一维阵列样品在不同空间取向的激发光照射下,其荧光光谱有明显变化。当低功率35 5nm激光对一维方向进行横向激发时,激子发光的相对强度较大;当用10 6 4nm激光取向激发时,发射光谱的差异更明显。除了荧光光谱的发射峰强弱发生变化外,在一维横向激发时上转换发射光谱产生了新的发射峰,表明在不同的取向激发下一维阵列样品对激发光的吸收有明显变化。由此产生的荧光发射的差异非常明显,表明一维氧化锌柱阵列对能量吸收、能量传递等有很强的方向性。上转换偏振光谱表明,当偏振光的振动方向与阵列的一维方向平行时,发射光谱中4 0 0nm的发光峰强度比偏振方向与一维方向垂直时要大,表明偏振方向对一维阵列的空间取向激发荧光光谱是有影响的。在讨论阵列发光性质如发光光谱,发射强度的时候,必须明确激发光的强度。

应用于中红外波段的阵列化多孔硅一维光子晶体的制备

首先通过光刻工艺制作了阵列化岛状硅衬底,然后利用交替变换阳极腐蚀电流,通过合理地控制制备参数,适当的热氧化条件,成功地制备了禁带中心位于5μm、6μm、7μm、10μm的阵列化多孔氧化硅一维光子晶体.随后在其表面淀积一层低应力的Si3N4,通过原子力显微镜(AFM)和傅里叶红外反射谱(FTIR)测试证明,沉积Si3N4后该结构仍然具有良好的平整度和较高的反射特性.该阵列结构不但具有较好的隔热和高反射特性,而且岛状的阵列结构可使其与其他器件互联变得简单易行,必将为制备多功能、一体化器件提供有利条件.

一维纳米ZnO阵列的制备及其在染料敏化太阳能电池方面的应用研究进展

一维定向生长的纳米ZnO阵列具有较高的高温强度、硬度、优异的化学稳定性和物理化学特性,在气敏传感器、场发射、纳米结构染料敏化太阳能电池等方面有着广泛的应用。制备一维ZnO结构的方法多种多样,如水热法、化学气相沉积法、超声化学法等。综述并比较了一维纳米ZnO阵列的结构特点、生长机理、制备方法及其在染料敏化太阳能电池方面的应用进展和光电特性,分析了一维纳米ZnO阵列的光电传输机理及国内外研究现状、应用前景和发展趋势。

溶液生长ZnO一维纳米阵列及其复合纳米结构的研究进展

对溶液生长ZnO一维纳米阵列的研究进展进行了评述,分析了晶种制备和溶液生长过程中各工艺因素对阵列微观形貌的影响,并介绍了在溶液中通过控制定点成核并利用有机基团调控ZnO晶体生长习性的合成路线用于构筑ZnO复合纳米结构的最新研究,指出了溶液生长ZnO一维纳米阵列和构筑复合结构中存在的问题及今后的研究方向。

解决一维材料黏附行为的实验方法综述

一维(1D)材料(如纳米管和纳米线)的黏附行为在集成一维组件的新型器件以及基于一维阵列的仿生黏合剂的有效制造、功能和可靠性中起着决定性作用。本文汇编并批判性地评估了最近的实验技术,旨在表征由一维材料形成的界面的粘附行为(包括当这些材料与衬底或邻近的一维材料接触时)。讨论了一维材料与表面的构象以及与之相关的多粗糙度接触的发生,并探讨了界面附着和剥离过程中黏附和摩擦的耦合。考虑了一维材料作为增强剂在纳米复合材料中的应用以及相关的界面表征技术。研究了样品制备和黏附测试过程中存在的环境条件对一维界面相互作用的潜在影响,并最终改变了一维材料的粘附行为。最后,简要介绍了当前的挑战和未来的方向,包括测试环境的系统调查和通过表面改性改变附着力。

孔性氧化铝模板与一维纳米新材料的制备

纳米材料尤其是以碳纳米管有序阵列为代表的一维纳米阵列材料的重要价值,促进了人们对模板合成方法的研究。本文简要回顾和总结了近年来有关孔性氧化铝模板的制备及其应用的研究进展,结合我们实验室的部分相关研究工作,揭示了孔性氧化铝模板在合成与组装一维纳米新材料方面的重要作用,以进一步活跃和促进该重要领域的研究和发展。

基于计算电磁学的一维线阵快速近场测量方法

研究了三种针对一维线天线阵列的快速近场测量方法,仅需二维近场扫描数据即可外推出线阵的单切面远场方向图。这三种单切面远场方向图测量方法包括平面/柱面波波谱展开法、等效源求解法和多极子平面波展开法。针对单切面方向图测量中二维格林函数存在的幅度误差,提出了一种幅度误差补偿方法,显著降低了原始近场数据外推变换得到的远场方向图的幅度测量误差。通过矩量法仿真得到的一维低副瓣线天线阵近远场数据及其比较结果验证了所提出方法的有效性,并通过仿真算例对比分析了不同外推方法之间的优缺点。其中基于计算电磁学的等效源展开方法及多极子平面波展开方法因其具有显著减少的采样点数、不存在数据截断以及灵活的采样位置等优点,可广泛应用于多种一维线阵单切面方向图测试应用场景中。

三角形石墨烯量子点阵列的磁电子学特性和磁输运性质

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了三角形石墨烯纳米片用不同连接方式拼接而成的四种一维量子点阵列(1D QDAs)的磁电子学性质和磁输运性质.结合能计算表明所有1D QDAs是非常稳定的.特别是研究发现1D QDAs的电子和磁性质不仅依赖于磁性态,也明显依赖于连接方式,如在无磁态时,不同量子点阵列(QDAs)可为金属或窄带隙半导体.在铁磁态时,不同QDAs能为半金属(half-metal)或带隙不同的双极化磁性半导体.而在反铁磁态时,不同QDAs为带隙不等的半导体.这些结果意味着连接方式对有效调控纳米结构电子和磁性质扮演重要的角色.1D QDAs呈现的半金属或双极化磁性半导体性质对于发展磁器件是非常重要的,而这些性质未曾在本征石墨烯纳米带中出现.同时,我们也研究了一种阵列的磁器件特性,发现其拥有完美的(100%)单或双自旋过滤效应,尤其是呈现超过109%的巨磁阻效应.

PT对称多腔阵列单光子散射的研究

以具有PT对称性的一维耦合多腔阵列为研究对象,主要研究散射核中腔的数量为5时单光子的散射行为,以及在散射核中心腔中有原子时对单光子散射的影响.将5个腔核的结果与3个腔核的结果进行了对比.发现合理的调节散射核中腔的数量、增益率(耗散率)、散射核的耦合系数以及加入原子可以很好地调控单光子的传输.

直接Z型CdO-CdS纳米棒阵列的制备及其光电催化性能研究（英文）

本文通过简单的水热法制备了一种CdO-CdS-维纳米棒阵列,并系统地研究了材料的结构、形貌及其光电化学性质和产氢活性.所得纳米棒为直径100至200 nm的六方柱.通过优化煅烧温度和时间得到了该实验条件下光电催化性能最优的样品.在0 V vs.Ag/AgCl偏压下,CdO-CdS光电流密度为6.5mA/cm2,光电催化产氢活性为240μmol·cm-2·h-1,几乎是纯CdS的2倍.该体系的光电催化性能超过了许多己报道的相似体系.根据材料结构和光电化学性能表征结果,提出了直接z型光催化机理,该机理可以很好地解释光致载流子的高分离效率和优异的氧化还原性能.

两种不同结构纳米叠氮化铜的含能特性研究

针对两种不同结构纳米叠氮化铜(三维多孔结构以及一维阵列结构)开展含能特性研究,重点研究了热性能以及电爆性能。研究结果表明:叠氮化铜的不同纳米结构影响其热性能及电爆性能。当采用镍铬换能元起爆叠氮化铜时,相比于三维多孔结构叠氮化铜,一维阵列结构叠氮化铜对热更敏感,同时可以释放出更多能量。当采用半导体桥换能元起爆叠氮化铜时,不同于三维多孔结构叠氮化铜的热引发机理,一维阵列结构叠氮化铜的50%发火电压更大,作用时间更长,引发机理为等离子引发。

光学合成孔径一维旋转阵列多帧成像优化方法

为提高一维合成孔径阵列的成像分辨率,研究利用旋转基线的方式实现含相位误差情况下的一维阵列多帧成像与复原。首先比较不同子孔径数及排列方式的优劣,确定合适的阵列结构;然后通过旋转基线进行多帧成像,实现频谱在各方向上的覆盖;利用多帧维纳滤波进行复原,以相关系数为评价准则,并结合成像性能与效率在3种备选方案中确定理想的旋转方式;最后通过增加旋转次数,实现频谱的重复覆盖,以消除考虑相位误差对成像质量的影响。实验表明,以60°旋转5次成像时,一维三孔径阵列的活塞误差容限为0.07,倾斜误差容限为40μrad。本文提出的一维旋转阵列多帧成像方法可以在消除一定相位误差影响的同时实现高清晰复原,具有较强的实用价值。