期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
畸变对hopping电导的影响:Thue-Morse纳米结构模型 被引量：2
1
作者 缪智武 丁建文 +1 位作者 颜晓红 唐娜斯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期1213-1217,共5页
发展实空间重正化群方法 ,研究了一维非周期Thue Morse纳米结构链的hopping电导率 .计算表明Thue Morse纳米结构体系的晶粒种类、晶粒尺寸对hopping电导有显著的调制作用 ,界面结构和晶格畸变对hopping电导也有不同程度的影响 .从无序度... 发展实空间重正化群方法 ,研究了一维非周期Thue Morse纳米结构链的hopping电导率 .计算表明Thue Morse纳米结构体系的晶粒种类、晶粒尺寸对hopping电导有显著的调制作用 ,界面结构和晶格畸变对hopping电导也有不同程度的影响 .从无序度对hopping电导的影响来看 ,Thue 展开更多
关键词 晶格畸变 hopping电导 thue-morse纳米结构模型 实空间重正化群方法 晶粒种类 晶粒尺寸 界面结构 一维非周期thue-morse纳米结构链
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部