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一维Si_3N_4合成的研究进展
被引量:
2
1
作者
朱瑞娟
刘一军
张电
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第21期33-39,共7页
纤维、晶须、纳米线等一维Si_3N_4材料及纳米带、纳米管、纳米环、纳米电缆等准一维Si_3N_4材料是具有优异的力学和热学性质的宽禁带半导体,在复合材料、催化、微纳器件和机电系统等方面有重要的应用价值。按形貌特征对一维Si_3N_4进行...
纤维、晶须、纳米线等一维Si_3N_4材料及纳米带、纳米管、纳米环、纳米电缆等准一维Si_3N_4材料是具有优异的力学和热学性质的宽禁带半导体,在复合材料、催化、微纳器件和机电系统等方面有重要的应用价值。按形貌特征对一维Si_3N_4进行分类,概括了直接氮化法、碳热还原法、化学气相沉积法和先驱体热解法等合成方法,阐述了气-液-固、气-固、固-液-固等生长机制,详述并总结了一维Si_3N_4的研究现状,进而对其存在的问题和研究方向进行了分析和展望。
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关键词
一维si3
N4
形貌
合成方法
生长机制
下载PDF
职称材料
题名
一维Si_3N_4合成的研究进展
被引量:
2
1
作者
朱瑞娟
刘一军
张电
机构
西安建筑科技大学材料与矿资学院
蒙娜丽莎集团股份有限公司
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第21期33-39,共7页
基金
蒙娜丽莎集团股份有限公司博士后科研工作站资助项目
文摘
纤维、晶须、纳米线等一维Si_3N_4材料及纳米带、纳米管、纳米环、纳米电缆等准一维Si_3N_4材料是具有优异的力学和热学性质的宽禁带半导体,在复合材料、催化、微纳器件和机电系统等方面有重要的应用价值。按形貌特征对一维Si_3N_4进行分类,概括了直接氮化法、碳热还原法、化学气相沉积法和先驱体热解法等合成方法,阐述了气-液-固、气-固、固-液-固等生长机制,详述并总结了一维Si_3N_4的研究现状,进而对其存在的问题和研究方向进行了分析和展望。
关键词
一维si3
N4
形貌
合成方法
生长机制
Keywords
one-dimen
si
onal
si
aN4, morphology, synthe
si
s method, growth mechanism
分类号
O782 [理学—晶体学]
TB484.5 [一般工业技术—包装工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一维Si_3N_4合成的研究进展
朱瑞娟
刘一军
张电
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
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职称材料
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