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三代树状碳硅烷液晶研究──端基含丁氧基偶氮苯介晶基元 被引量：14
1
作者 张其震 殷晓颖 +3 位作者 王大庆 李光 季怡萍 赵晓光 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第4期619-624,共6页
用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元 (M5 )端基新的三代树状碳硅烷 (D3 )液晶 ,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱 (MALDI TOF MS)、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热 (DSC)和广角X射线衍射 (WAXD)表征 ,D3... 用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元 (M5 )端基新的三代树状碳硅烷 (D3 )液晶 ,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱 (MALDI TOF MS)、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热 (DSC)和广角X射线衍射 (WAXD)表征 ,D3为向列相与M5相同 ,树状物相态由介晶基元相态决定 ,D3相行为 :K79N12 6I116N ,D3熔点比M 5降低 3 3℃ ,D3清亮点比M 5增加 2℃ ,D3液晶态温区比M 5加宽 3 5℃ . 展开更多
关键词 三代树状碳硅烷液晶 丁氧基偶氮苯 介晶基元 合成
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