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MCML/TG混合结构与三值T门和三值D-latch电路设计 被引量:2
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作者 章专 连明超 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 2012年第5期531-534,共4页
在深入分析MCML和TG的电路特点后,提出将2种结构结合起来进行数字电路设计的思路.该混合结构主要由MCML和TG共同构成,MCML结构产生控制信号,TG进行信号的传输.并以三值T门和三值D锁存器电路为例,验证了这种设计思路的可行性.通过Hspice... 在深入分析MCML和TG的电路特点后,提出将2种结构结合起来进行数字电路设计的思路.该混合结构主要由MCML和TG共同构成,MCML结构产生控制信号,TG进行信号的传输.并以三值T门和三值D锁存器电路为例,验证了这种设计思路的可行性.通过Hspice软件,采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,供电电压1.8V,对所设计的电路进行仿真,分析结果表明:电路逻辑功能正确;输入输出高低电平一致,具有较好的电压兼容性;功耗保持MCML结构的优势,基本与频率无关;与传统的CMOS电路相比,取得了较大的延迟优化. 展开更多
关键词 MOS电流模逻辑 MCML CMOS传输 三值t门
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利用谱方法三值T门组合网络设计Ⅱ:应用 被引量:1
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作者 姜文彬 《系统工程与电子技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第7期889-893,896,共6页
谱方法三值T门组合网络设计的理论基础上 ,给出利用阵列法求三值逻辑函数的Walsh谱系数及利用谱方法设计三值T门组合网络的具体实例。其结果表明了这种方法的有效性。
关键词 三值t门 Walsh谱技术 逻辑设计
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