Straining流对柱状晶体在三元过冷熔体中生长的影响

研究了三元过冷熔体中柱状晶体在非等温条件下受straining流作用的生长问题,给出了柱状晶体生长形态的近似解析表达式.发现流入的straining流加快了界面的生长速度,而流出的straining流减缓了界面的生长速度,即straining流使得柱状晶体的界面发生变形.同时发现,随着流动速度的增大,界面变形也更为显著.通过比较straining流对纯熔体、二元熔体、三元熔体中柱状晶体界面的影响,发现相比于纯熔体,柱状晶体在稀合金熔体中的界面形态受straining流的影响更大.

往复区熔对n型温差电材料性能均匀性的影响

本文采用往复区熔法生长了掺杂 Sb I3的 ( Bi2 Te3) 0 .90 ( Sb2 Te3) 0 .0 5( Sb2 Se3) 0 .0 5赝三元 n型半导体温差电材料 ,测定了晶棒轴向温差电性能 .所制备的质量为 2 0 0 0 g,直径为 33mm的 n型晶锭 ,6 0 %左右可利用部分的温差电参数分布为 :温差电动势率 α=2 0 9～ 2 0 6 μV/K;电导率 σ=935～ 1 0 30 /Ω.cm;热导率K=1 .5 2～ 1 .5 5 W/( m· K) ;温差电优值 Z=2 .6 9～ 2 .84× 1 0 - 3/K.