三光子逐步激光共振电离质谱测定镥同位素比值

本文通过速率方程数值模拟计算和实验相结合的方法 ,研究各种激光参数对镥同位素激光诱导同位素歧视效应的影响。激光诱导同位素歧视效应主要来源于激光第二步跃迁几率的差异 ,本研究提出了减少和消除这一效应的方法。利用这一方法 ,对天然镥样品同位素比值进行测定 。

Si(CH_3)_4的MPD与Si原子的双光子共振三光子电离

在 410～ 40 4nm的紫激光作用下 ,利用平行板电极装置研究了Si(CH3) 4的多光子解离 (MPD)及Si原子的双光子共振三光子电离。观察到了Si(CH3) 4分子经MPD产生的、处于 33PJ″(J″ =0 ,1,2 )态的硅原子 ,依据 43PJ′← 33PJ″(J′、J″=0 ,1,2 )跃迁谱线的强度 ,得到了Si(CH3) 4经MPD产生的、处于 33PJ″(J″=0 ,1,2 )态的硅原子的密度分布值 ,并进行了理论计算 ,依据双光子跃迁的选择定则及其附加定则 ,对 410～ 40 4nm内的跃迁谱峰作了归属。根据这些结果 ,讨论了Si(CH3) 4的MPI机理 ,得到了在这一波段内 ,于本文的实验条件下 ,Si(CH3) 4的MPI机理主要为B类光化学行为的结论。

三能级系统的(1+1′+1′)共振电离动力学的理论研究

根据三能级系统三光子共振激发过程,建立了求解各能级布居数和电离效率的速率方程组,通过拉普拉斯变换方法,得到了在多光子激发电离过程中各能级布居率和电离效率的解析表达式,并运用该表达式研究了铯原子在典型实验条件下,基态6s(S1/2)相继吸收2个光子到达共振态6p(P3/2)、7d(D3/2)后再吸收一个光子电离的(1+1′+1′)过程中,各激发光强度以及激光脉冲宽度对各共振激发态布居率和电离效率的影响,并得到了各能级分别抽空时激发光强度必须满足的条件.

钾原子的双光子共振三光子电离

在钾蒸气中用双光子共振三光子电离法测出了钾原子６Ｓ态的电离流随时间的衰减曲线。由电离流和多光子动力学参数的关系计算了６Ｓ态的光电离截面。当用７６６．４ ｎｍ 和７６９．８ ｎｍ 单光子激发时， 通过能量积聚效应也可诱导钾原子得以电离。

钾原子的能量积聚诱导电离和双光子共振三光子电离

用染料激光激发钾蒸气 ,发现了钾原子的两种电离机制和三个电离通道 :能量积聚诱导的电离 ,4S 6S和4S 4D双光子共振三光子电离。对前两个电离通道 ,分别研究了电离谱与钾蒸气温度和激光强度的关系 ,发现了钾原子的辐射囚禁效应和钾原子电离的非线性现象 。

激光光谱学

O657.38 2001042345 Si（CH3）4的MPD与Si原子的双光子共振三光子电离=Multiphoton dissociation of tetramethylsilane and two-photon resonance three-Photon ionizarion

激光科研应用

O644.18 96042421利用准分子激光制备Cu,Al化合物的纳米粒子=Synthesis of nanometer Cu and Al compoundpowders by excimer laser ablation[刊,中]/郑隽,楼祺洪,董景星,魏运荣,宁东(中科院上海光机所.上海(201800))∥中国激光.—1995,22(12).—942—944利用准分子脉冲激光(XeCl,λ=308nm)对Cu,Al靶进行消融,从而得到Cu。