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三势垒隧穿结构中由外加垂直磁场引入的高子带非热占据
被引量:
1
1
作者
安龙
唐艳
+4 位作者
章继东
姬扬
谭平恒
杨富华
郑厚植
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期470-473,共4页
在一个特殊设计的三垒双阱异质结构中 ,注入到入射端量子阱中的电子 ,首先经过子带间弛豫填充到较低能级 ,紧接着通过共振隧穿逃逸出后面的双势垒结构 ,流入收集电极 ,完成了整个输运过程。通过比较带间光荧光谱中E2 HH1 与E1 HH1 两...
在一个特殊设计的三垒双阱异质结构中 ,注入到入射端量子阱中的电子 ,首先经过子带间弛豫填充到较低能级 ,紧接着通过共振隧穿逃逸出后面的双势垒结构 ,流入收集电极 ,完成了整个输运过程。通过比较带间光荧光谱中E2 HH1 与E1 HH1 两峰的强度 ,我们发现外加垂直磁场可以抑制子带间的LO声子和LA声子散射 ,使能量较高的子带上出现了明显的非热平衡占据。这一发现提供了一种新的控制子带间散射速率 (量子级联激光器的主要机制 )的有效方法 ,使得在量子阱子带间实现粒子数反转变得更加容易。
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关键词
共振
隧
穿
非热平衡占据
子带间弛豫
三势垒隧穿结构
垂直磁场
量子阱
荧光光谱
半导体
下载PDF
职称材料
题名
三势垒隧穿结构中由外加垂直磁场引入的高子带非热占据
被引量:
1
1
作者
安龙
唐艳
章继东
姬扬
谭平恒
杨富华
郑厚植
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期470-473,共4页
基金
国家重点基础研究专项经费资助No. G0 0 1CB30 95
文摘
在一个特殊设计的三垒双阱异质结构中 ,注入到入射端量子阱中的电子 ,首先经过子带间弛豫填充到较低能级 ,紧接着通过共振隧穿逃逸出后面的双势垒结构 ,流入收集电极 ,完成了整个输运过程。通过比较带间光荧光谱中E2 HH1 与E1 HH1 两峰的强度 ,我们发现外加垂直磁场可以抑制子带间的LO声子和LA声子散射 ,使能量较高的子带上出现了明显的非热平衡占据。这一发现提供了一种新的控制子带间散射速率 (量子级联激光器的主要机制 )的有效方法 ,使得在量子阱子带间实现粒子数反转变得更加容易。
关键词
共振
隧
穿
非热平衡占据
子带间弛豫
三势垒隧穿结构
垂直磁场
量子阱
荧光光谱
半导体
Keywords
resonance tunneling
nonthermal occupation
intersubband relaxation
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
O471.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
三势垒隧穿结构中由外加垂直磁场引入的高子带非热占据
安龙
唐艳
章继东
姬扬
谭平恒
杨富华
郑厚植
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
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职称材料
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参考文献
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