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三势垒隧穿结构中由外加垂直磁场引入的高子带非热占据 被引量:1
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作者 安龙 唐艳 +4 位作者 章继东 姬扬 谭平恒 杨富华 郑厚植 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期470-473,共4页
在一个特殊设计的三垒双阱异质结构中 ,注入到入射端量子阱中的电子 ,首先经过子带间弛豫填充到较低能级 ,紧接着通过共振隧穿逃逸出后面的双势垒结构 ,流入收集电极 ,完成了整个输运过程。通过比较带间光荧光谱中E2 HH1 与E1 HH1 两... 在一个特殊设计的三垒双阱异质结构中 ,注入到入射端量子阱中的电子 ,首先经过子带间弛豫填充到较低能级 ,紧接着通过共振隧穿逃逸出后面的双势垒结构 ,流入收集电极 ,完成了整个输运过程。通过比较带间光荧光谱中E2 HH1 与E1 HH1 两峰的强度 ,我们发现外加垂直磁场可以抑制子带间的LO声子和LA声子散射 ,使能量较高的子带上出现了明显的非热平衡占据。这一发现提供了一种新的控制子带间散射速率 (量子级联激光器的主要机制 )的有效方法 ,使得在量子阱子带间实现粒子数反转变得更加容易。 展开更多
关键词 共振穿 非热平衡占据 子带间弛豫 三势垒隧穿结构 垂直磁场 量子阱 荧光光谱 半导体
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