矩形网格三点Fermat射线追踪技术

矩形网格三点Fermat射线追踪法是基于矩形网格三点扰动法的一种提高计算速度的方法.取矩形网格三个点,在Fermat最小旅行时原则下求取扰动中间点的位置,而不象扰动法那样依次扰动.因此,计算速度比扰动法提高2倍多,同时不受扰动摄动量大小选择的困扰.该方法继承了矩形网格三点扰动法的优点,对任意离散的速度场,总能找到最短时间路径,避免了射线盲区和追踪路径并非时间最短路径问题.

Si/SiGe/Si-SOI异质结构的同步辐射双晶貌相术和高分辨三轴晶X射线衍射

运用同步辐射双晶貌相术结合高分辨三轴晶X射线衍射对经原位低温热处理的Si/SiGe/Si SOI异质结构进行研究,发现Si层(004)衍射峰两侧半高宽(FWHMs)处同步辐射双晶形貌像特征存在明显差异.对同步辐射双晶摇摆曲线中Si层(004)衍射峰的不对称性给予了解释,同时阐明了高分辨三轴晶X射线衍射2θω扫描曲线中Si层(004)衍射双峰与Si层衍射结构的对应关系.

基于三轴X射线衍射方法的n-GaN位错密度的测试条件分析

三轴X射线衍射技术广泛应用于半导体材料参数的精确测试,然而应用于纤锌矿n-GaN位错密度的测试却可能隐藏极大的误差.本文采用三轴X射线衍射技术测试了两个氢化物气相外延方法生长的n-GaN样品,发现两样品对应衍射面的半高全宽都基本一致,按照镶嵌结构模型,采用Srikant方法或Williamson-Hall方法,两样品的位错密度也应基本一致.但van der Pauw变温霍尔效应测试表明,其中的非故意掺杂样品是莫特相变材料,而掺Si样品则是非莫特相变材料,位错密度有数量级的差别.实验表明,位错沿晶界生长导致的晶粒尺寸效应,表现为三轴X射线衍射技术检测不到晶界晶格畸变区域的位错,给测试带来极大误差,这对正确使用Srikant方法和Williamson-Hall方法提出了测试要求.分析表明,当扭转角与倾转角之比β_(twist)/β_(tiit)≥2.0时,Srikant方法是准确的,否则需进一步由Williamson-Hall方法确定晶粒大小(面内共格长度L//),当L//≥1.5μm时,Srikant方法是准确的.

三区分划射线追踪法研究及其应用

根据高频(HF)信道的特点和要求,对三区分划射线追踪法的精度进行了深入分析,结果表明三区分划射线追踪法可用于HF信道的模拟研究.提出并实现了利用三区分划射线追踪法替代Vogler法信道模拟中的射线参数理论求解部分,解决了Vogler方法在HF信道模拟应用中存在的适用范围窄等问题.通过与Vogler模拟方法的比较,散射函数的形状完全一样,而且可以得到利用Vogler方法无法确定的射线的入射角等有用信息,从而验证了本文方法的正确性和优越性.

三种天然射线在不同速度选择器中的运动轨迹

放射性物质在衰变过程中产生三种不同射线，即α射线、β射线和γ射线。首先认识这三种射线在原子核中的产生过程，搞明白它们的来历才可能正确认识它们的本质，此外，要认识这三种射线的电量、电性和速度以及三种射线在匀强电场和匀强磁场中发生偏转的方式，需要正确认知这三种天然射线的性质。通过定量计算来论证α射线、β射线和γ射线在不同速度选择器中的偏转情况。

四面体中三面角的计算公式

这是一个“来自四面体的挑战”性质的问题,本文求得了这一公式,但须如下引理.引理(三射线定理)[1]从空间一点O 任意引三条射线 OA,OB,OC.

利用X射线衍射考察不同缓冲层对AlGaN外延薄膜微结构的影响

为了获得高质量的高Al组分AlGaN外延材料,一般是在蓝宝石基片与外延层之间引入缓冲层或模板层(GaN、AlN或两者的交替周期超晶格)来提高AlGaN的外延质量,不同的缓冲层及结构对AlGaN的外延质量产生不同的影响.利用三轴晶高分辨X射线衍射(TAXRD)表征手段对2种生长结构下的AlGaN进行表征分析.

空间两直线平面角与其投影角变化关系的探讨

空间两直线的平面角是工程实际中经常碰到的问题,在工程制图的教学中,未能给出解决任意平面角的图解问题。本文应用三射线定理,在投影角度一定的前提下,详细地分析任意平面角与其投影角之间的变化规律,以期强化工程制图的教学工作,深化空间角度在工程实际中的应用。

张角公式帮你解竞赛题

本文现将张角公式及其在国外数学竞赛解题中的应用介绍如下: 一、张角公式已知由点P发出的三射线PA、PB、PC;且∠APC=α,∠CPB=β,∠APB=α+β【180°,那么A、B、C三点共线的充要条件是:

张角定理帮你解竞赛题

本文拟介绍张角定理及其在数学竞赛解题中的应用.一。

一个值得推广的求二面角公式

对于初学者来说,求二面角的平面角往往感到困惑。笔者根据多年教学经验,认为应用三射线定理来求解二面角的平面角问题,会带来极大的方便。

AlGaN中的应变状态

用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlxGa1-xN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30%,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)时接近0.在本实验条件中,由于GaN层处于压应变状态,导致与AlGaN外延层的失配变小,使得组分约为0.16的AlxGa1-xN外延层可以共格生长在GaN层上.

Three Beam interfering Pressure Gauge

Abstract: In order to solve the problem of high precision, complete electric insulating detection of the pressure measuring system, we have developed the three - beam interferometer. In this paper, the operation principle, structure of the system and measuring results are given.

张角公式帮你解几何题

平面几何中有一个与面积关系有关的张角公式,一般不引人注目。但在教学时,却发现张角公式能帮助解决许多几何题,有的还是典型的难题。现分两方面介绍如下,供初中数学教师教学时参考。一、张角公式已知由点P发出的三射线PA、PB、PC;且∠APC=α,∠CPB=β,∠APB=α+β<180°,那么A、B、C三点在一直线上的充要条件是: sin(α+β)/PC=sinα/PB+sinβ/PA 证明:若A、B、C三点共线, 则△PAB=△PAC+△PCB 故 1/2PA·PBsin(α+β)=1/2PA·sinα+1/2PB·PCsinβ两边同除以1/2PA·PB·PC,即得所欲证的等式。反之,若命题中等式成立,则反推可得: △PAB=△PAC+△PCB。这说明△ABC=|△PAB-△PAC-△PCB|=0,所以A、B、C三点共线。

改进的Voxel模型及其精度验证算法的研究

分析了五轴数控加工仿真中常用的三维实体建模方法的优缺点,并提出了改进的Voxel模型,可以有效的降低模型的空间复杂度,同时结合三向Dexel射线求交算法和动态标志位复位技术,能够有效的提高切削判断计算速度,保证数控仿真的实时性。在此基础上,引入了精度验证的概念,阐述了各种精度验证算法的思想,并将Z&N精度验证算法应用于改进的Voxel模型中,达到验证模型误差在可接受范围内的目的。

认识三余弦公式

高中数学在讲解第九章《直线、平面、简单几何体》（B）直线与平面所成的角时,出现了下面一个关系式:cosθ= cosθ1 cosθ2.如图1,PA⊥α,θ1=∠PBA,是斜线BP与α所成的角;θ2=∠ABC。

HgCdTe探测器应力的多重晶X射线衍射分析

HgCdTe光伏探测器的钝化介质膜应力常常限制其低温性能,利用高分辨率多重晶X射线衍射仪中的三重晶衍射技术和倒易空间作图对钝化介质膜应力进行了表征,发现在较高溅射能量下沉积的钝化膜,由于应力的作用,HgCdTe晶片出现弯曲,并有大量镶嵌结构,而在较低的溅射能量下和热蒸发下沉积的钝化膜,晶面未出现明显弯曲,可获得较低应力的钝化介质层。

质子数Z分别位于Ru之上和之下的A～(100～126)丰中子原子核三轴形变在原子核形状变迁和共存中的重要作用(英文)

基于Ru(Z=44)丰中子同位素中存在最大三轴形变的理论预言和实验证据,综述了近年来Rh(Z=45),Pd(Z=46),Ag(Z=47),Cd(Z=48)(质子数Z位于Ru,Z=44之上)及Zr(Z=40),Nb(Z=41),Mo(Z=42),Tc(Z=43)(质子数Z位于Ru,Z=44之下)的A～(100～126)丰中子同位素中关于三轴形变的形状变迁和形状共存系统性研究的重要进展。252Cf自发裂变瞬发γ射线γ-γ-γ三重符合、特别是新建立的γ-γ-γ-γ四重符合数据的系统观测和研究,在Ru,Pd,Cd和Nb丰中子同位素中显著扩展或首次观测到了一系列能带,为这个核区原子核形状的研究提供了新的、重要的实验数据。联系此前报道的有关进展,使用PES,TRS,PSM,CCCSM和SCTAC理论模型计算拟合新的实验数据,在该核区沿同中素和同位素链,并随自旋和激发能变化各自由度,跟踪原子核形状渐进变化,获得了新的系统性研究成果,显著扩展和深化了人们对原子核形状变迁和形状共存的认知。对于Ru及其上的Rh(Z=45),Pd(Z=46),Ag(Z=47)和Cd(Z=48)丰中子同位素的研究表明:Rh丰中子核具有比最大值稍小的三轴形变,γ=-28°,并在103–106Rh同位素链上鉴别出了手征对称破缺;在三轴形变核112Ru和114Pd(N=68)中发现了三轴原子核的摆动运动,该摆动运动也可能在114Ru(N=70)中存在;观察到了从具有最大三轴形变的110,112Ru中手征破缺到稍小三轴形变的112,114,116Pd中扰动的手征破缺的过渡;在较软的Ag核中观察到了丰富的谱学结构,在104,105Ag中鉴别出了可能的手征对称破缺,在较重的115,117Ag中提出了趋于三轴形变的γ软度;具有小形变的Cd核的能级结构被解释为准粒子耦合、准转动和软三轴形变;最近的库伦激发的研究提供了Z=50,N=82满壳附近122,124,126Cd核中出现核集体性的实验和理论证据;上述研究成果展现出从Ru中的最大三轴形变(γ=-30°,三轴形变极小增益为0.67 Me V),经具有大三轴形变的Rh核(γ=-28°),到Pd核中的稍小、但稳定于中等自旋到高自旋区的三轴形变(γ～-41°,三轴形变极小增益为0.32 Me V),再经Ag核中的γ软度,最后到具有很小形变、但仍出现集体性质、包括软三轴形变的Cd核的过渡。对于Pd核转动带交叉系统性的研究揭示了其第一带交叉(νh11/2)2中子转动顺排的上行γ驱动,和第二带交叉(πg9/2)2质子转动顺排的下行γ驱动效应,成功地解释了114Pd中的三轴摆动运动,并给出了110-118Pd同位素链中理论早已预言、而比早期理论预言更为完整准确的形状渐进变迁和形状共存的图像。根据该核区的系统研究,发现最大三轴形变出现在112Ru,而在相邻的偶Z(Pd)同位素链,三轴形变极小的中心在114Pd,两者均为N=68。上述系统性研究沿相邻的Ru和Pd偶Z同位素链,在N=68同中素中鉴别出最大三轴形变,均比理论预言的108Ru和110Pd多4个中子。在Z值位于Ru(Z=44)之下的Zr(Z=40),Nb(Z=41),Mo(Z=42)and Tc(Z=43)丰中子同位素中,Y和Zr核具有很强的轴对称四极形变,而在较重的Zr同位素中出现了γ自由度;较重的Nb核(A=104～106)基态具有中等程度的软三轴形变和强四极形变,随着自旋和激发能的增加,过渡到接近于轴对称的强四极形变;而较轻的Nb核(A 103)基态均接近轴对称形状;在Nb同位素链上基态由球形到强四极形变的形状突变发生在100Nb(N=59),在100–106Nb同位素链中基态的软三轴形变随中子数增加而增加;在Nb核中还观察到关于软三轴形变的形状共存;Mo核具有大的三轴形变,观察到了γ振动和手征对称破缺;Tc核具有比最大值稍小的三轴形变,γ=-26°,并观察到了手征对称破缺。质子数Z从41到48的A～(100～126)丰中子同位素,特别是Pd和Nb同位素,呈现出关于三轴形变的过渡特征。

In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响

利用x射线三轴晶衍射和光致发光谱研究了生长参数In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN GaN多量子阱结构缺陷 (如位错密度和界面粗糙度 )和光致发光的影响 .通过对 (0 0 0 2 )对称和 (1 0 1 2 )非对称联动扫描的每一个卫星峰的ω扫描 ,分别测量出了多量子阱的螺位错和刃位错平均密度 ,而界面粗糙度则由 (0 0 0 2 )对称衍射的卫星峰半高全宽随级数的变化得出 .试验发现多量子阱中的位错密度特别是刃位错密度和界面粗糙度随In源流量与Ⅲ族源流量比值的增加而增加 ,导致室温下光致发光性质的降低 ,从而也证明了刃位错在InGaN GaN多量子阱中充当非辐射复合中心 .