GaAs多结电池宽光谱ZnS/Al_2O_3/MgF_2减反射膜的设计与分析

为了提高砷化镓(GaAs)多结太阳电池的光电转换效率,设计了宽光谱(300nm^1 800nm)ZnS/Al2O3/MgF2三层减反射膜,分析了各层的厚度及折射率对三层膜系有效反射率的影响。结果表明:对于整个波长,ZnS厚度对有效反射率的影响要大于Al2O3和MgF2,MgF2厚度对有效反射率的影响最小;适当减小MgF2的折射率或增加ZnS的折射率可得到更低的有效反射率。同时,当ZnS,Al2O3和MgF2的最优物理厚度分别为52.77nm,82.61nm,125.17nm时,此时最小有效反射率为2.31%。

可应用于四结砷化镓太阳电池的ZnS/MgF_2/SiO_2减反射膜的结构设计

在采用磁控溅射方法分别制备单层ZnS、MgF_2、SiO_2薄膜及表征其折射率基础上,以折射率逐渐减小的三层结构(HML结构)思想,采用TFC光学薄膜软件,设计并模拟了可用于四结砷化镓(GaInP/GaAs/GaInAs/GaInAs)太阳电池的三层ZnS/MgF_2/SiO_2减反射膜系.并分析模拟了窗口层厚度、各膜层厚度和折射率以及光入射角对有效反射率的影响.结果表明:窗口层厚度、SiO_2的折射率和ZnS膜层厚度对有效反射率R_e的影响最为显著;在350~1 800nm宽波段,当窗口层厚度为83nm,膜系厚度分别为57nm、37nm和88nm,且光入射角为0°时,有效反射率Re最小可达3.38%.

超辐射发光管端面AR膜的设计与制备

在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03%的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB的超辐射发光管。