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宽带GaAs三栅MESFET开关模型
1
作者
陈新宇
陈继义
+4 位作者
郝西萍
洪倩
蒋幼泉
李拂晓
陈效建
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期852-854,共3页
提出一种三栅 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,模型是根据三栅 MESFET开关器件的结构 ,考虑了栅极对微波信号的影响 ,适用于 MMIC开关电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性 .器件测试值与模型模拟值吻合较好 .
关键词
开关模型
宽带
三栅mesfet
砷化镓
单片电路
下载PDF
职称材料
题名
宽带GaAs三栅MESFET开关模型
1
作者
陈新宇
陈继义
郝西萍
洪倩
蒋幼泉
李拂晓
陈效建
机构
南京电子器件研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期852-854,共3页
文摘
提出一种三栅 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,模型是根据三栅 MESFET开关器件的结构 ,考虑了栅极对微波信号的影响 ,适用于 MMIC开关电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性 .器件测试值与模型模拟值吻合较好 .
关键词
开关模型
宽带
三栅mesfet
砷化镓
单片电路
Keywords
switch
model
broadband
triple gates
mesfet
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
宽带GaAs三栅MESFET开关模型
陈新宇
陈继义
郝西萍
洪倩
蒋幼泉
李拂晓
陈效建
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
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