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题名磷化铟单晶片三步抛光技术研究
被引量:6
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作者
杨洪星
王云彪
刘春香
赵权
林健
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第10期693-697,共5页
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文摘
在磷化铟单晶片的抛光工艺中,将整个抛光过程分为粗抛、中抛以及精抛三个阶段,分别实现对磷化铟抛光片的总厚度变化、局部厚度变化以及表面粗糙度的控制。在粗抛阶段,采取压纹结构的抛光布、硅胶直径大的抛光液、有效氯含量高的氧化剂等措施,使化学作用、机械作用在较高的作用模式下达到平衡,使磷化铟单晶片表面快速达到镜面水平。在中抛阶段,采取平面结构抛光布、硅胶直径较小的抛光液、过氧化氢为氧化剂等措施,使化学作用、机械作用在较低的作用模式下达到平衡,实现对磷化铟单晶片局部平整度的控制。在精抛阶段,采取绒毛结构抛光布、硅胶直径更小的抛光液、过氧化氢为氧化剂等措施,实现对磷化铟单晶片表面粗糙度的控制。
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关键词
磷化铟(InP)
三步抛光技术
表面粗糙度
总厚度变化
局部厚度变化
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Keywords
indium phosphorous(InP)
three-step polishing technology
surface roughness
total thickness variation
local thickness variation
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分类号
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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