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掺杂Y_2O_3对BaSrTiO_3介质瓷性能的影响 被引量:3
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作者 曲远方 李远亮 +2 位作者 刘超 韩风龙 李小燕 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期19-21,共3页
以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Y2O3为掺杂剂,制得了BaSrTiO3系介质瓷。用Automatic LCR Meter 4225测试了1 kHz条件下试样的电容量C和介质损耗因数D,并测试了–30~+125℃试样的C和tgδ,得到了试样相对介电常数εr及εr和tgδ随... 以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Y2O3为掺杂剂,制得了BaSrTiO3系介质瓷。用Automatic LCR Meter 4225测试了1 kHz条件下试样的电容量C和介质损耗因数D,并测试了–30~+125℃试样的C和tgδ,得到了试样相对介电常数εr及εr和tgδ随温度的变化曲线。结果表明,在室温下,试样的相对介电常数最大值εr max不小于5 500,tgδ的最小值不大于16×10–4。 展开更多
关键词 无机非金属材料 钛酸锶钡介质陶瓷 三氧化二钇掺杂 介电性能
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