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用In_2O_3薄膜制成的高感度半导体O_3传感器 被引量：6
1
作者 牛文成 徐春林 +3 位作者 张福海 祁增芳 张玉英 赖斌斌 《传感技术学报》 CAS CSCD 1998年第1期7-12,共6页
用In_2O_3作敏感膜研制出小型固态高感度(sensibilty)(10×10^(-9)~1×10^(-6)O_3传感器.研究了膜厚、气体湿度和工作温度等对传感器敏感特性的影响,发现AET(AdsorptionEffect Transistor)型O_3传感器具有灵敏的响应特性.并分... 用In_2O_3作敏感膜研制出小型固态高感度(sensibilty)(10×10^(-9)~1×10^(-6)O_3传感器.研究了膜厚、气体湿度和工作温度等对传感器敏感特性的影响,发现AET(AdsorptionEffect Transistor)型O_3传感器具有灵敏的响应特性.并分析了薄膜表面的化学吸附及其对薄膜电导的影响,以及AET作用对O_3非常敏感的物理机制. 展开更多
关键词 O3 传感器 化学吸附 三氧化二铟薄膜
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