Dy_2O_3掺杂(Ba,Sr)TiO_3基电容器陶瓷的研究

采用单因素变量法研究了(B a,S r)T iO3基电容器陶瓷中掺杂稀土氧化物D y2O3对材料介电性能的影响,得到了D y2O3影响其性能的规律,即随着D y2O3加入量的增加材料的介电常数开始增大随后减少,当W(D y2O3)=0.5%时介电常数最大,而介质损耗逐渐减少。得到了介电常数为5245,介质损耗为0.0026,耐压为5.5kV/mm的高压低损耗陶瓷电容器瓷料。利用SEM分析了不同D y2O3加入量样品的表面形貌。结果表明:D y2O3有强烈的偏析晶界、抑制晶粒生长和细晶、形成固溶体等来影响BST性能。这些结果为D y2O3掺杂改性(B a,S r)T iO3基电容器陶瓷提供依据。

Dy_2O_3掺杂对(Ba,Sr)TiO_3基高压电容器陶瓷性能的影响

研究了(Ba,Sr)TiO_3基电容器陶瓷中掺杂稀土氧化物Dy_2O_3对材料介电性能的影响,得到了Dy_2O_3影响其性能的规律,即随着Dy_2O_3加入量的增加材料的介电常数开始增大随后减少,当W(Dy_2O_3)=0.5%时介电常数最大,而介质损耗逐渐减少。得到了介电常数为5245,介质损耗为0.0026,耐压为5.5kV/mm的高压低损耗陶瓷电容器瓷料。探讨了Dy_2O_3掺杂改性的机理。这些结果为Dy_2O_3掺杂改性电容器陶瓷提供依据。

焙烧温度对SO_4^(2-)/ZrO_2-Dy_2O_3-HZSM-5催化性能的影响

运用Hammett指示剂法、比表面测定技术、XRD、SEM和TGA等多种表征手段研究了焙烧温度对SO2 4/ZrO2 Dy2 O3 HZSM 5催化性能的影响。研究结果表明 ,5 5 0℃下焙烧制得的催化剂具有较强的酸性、较大的比表面积和较高的SO2 4含量 ,催化剂中的ZrO2 主要呈四方晶相。

PP/纳米Dy_2O_3复合材料的非等温结晶

用溶液法制备了聚丙烯(PP)/纳米三氧化二镝(Dy_2O_3)复合材料,用差示扫描量热法研究了PP/纳米Dy_2O_3复合材料的非等温结晶行为,采用Caze法和莫志深法对其结晶动力学进行了分析,研究了纳米粒子的成核效率和成核活性。结果表明:纳米Dy_2O_3提高了PP的结晶峰温和结晶速率,使结晶活化能增大;w(Dy_2O_3)为2%的纳米粒子成核效率最高,w(Dy_2O_3)为5%的纳米粒子成核活性最低。

交流高压介质瓷料

在BaTiO3中适量引入Dy2O3，采用固相法合成（Ba1-xDyx)TiO3,外加适量的CuO,MnCO3等添加剂，恰当控制喷雾造粒工艺，试制出交流高压电容器资料，利用Dy^3+易于晶界或晶界附近分凝并使杂质富集于晶界或其附近，阻止晶界移动，使陶瓷晶粒细化的作用，达到提高陶瓷介质交流抗电强度的目,生产资料主要性能：εr为7200－8000，tgδ为（1.0-1.1)×10^-2，△C／C，－30℃时为－（30－40）％，＋85℃时为－（50－53）％，交流抗电强度EAC为3．5－4．1MV／m.