三氧化钨陶瓷的压敏特性和机理

采用传统电子陶瓷烧结工艺,制备了无掺杂物的三氧化钨(WO3)陶瓷。分析了陶瓷样品经淬火和不同气氛下处理后的微结构和压敏电学特性。研究表明:陶瓷冷却过程中在氧吸附的作用下,WO3陶瓷晶粒表面呈现氧元素富集。分析认为,晶粒表面吸附的氧与晶粒内的电子作用,在晶粒表面形成界面态,并进一步在晶界形成Schottky势垒,这可能是WO3陶瓷压敏行为的起源。根据实验结果,提出了一种修正的晶界Schottky势垒模型,解释了WO3陶瓷的压敏行为。

Bi2Ru2O7＋WO3复合陶瓷的制备及热电性能

用RuCl_3·6H_2O、Bi(NO_3)3·5H_2O、WO_3及氨水为原料,通过沉淀反应制备水合二氧化钌和氢氧化铋混合包覆的WO_3粉体;再采用传统烧结工艺制备了Bi_2Ru_2O_7+WO_3复合陶瓷,并对其微观结构、形貌、热电性能进行了研究。结果表明,Ru、Bi形成了Bi_2Ru_2O_7第二相分散于体系中,陶瓷样品的电导率随着钌元素浓度的提高而增大。当钌元素的摩尔分数低于5%时,陶瓷样品的Seebeck系数为负值,样品为n型热电材料。该陶瓷具有明显的热电性能,在573K下,浓度为5%的样品的功率因子可达0.125 66μW/(m·K^2)。