二维应力对PbTiO_3多晶薄膜相变的影响

用热力学唯象埋论研究了二维应力对PbTiO3多晶铁电薄膜相转变的影响。理论分析表明，在二维应力的作用下，薄膜的相转变温度Tc将发生移动，该移动量△T的大小和正负不仅与应力的性质有关，而且与晶粒的取向有关。经推导给出了△T与晶粒取向之间的关系式。对晶粒呈随机取向的多晶薄膜，在二维张应力的作用下，平均Tc将向高温移动，并且相转变温区将展宽。

Sb_2O_3和In_2O_3对ZnO压敏电阻器性能的影响

研究了Sb_2O_3和In_2O_3对ZnO压敏电阻器性能的影响。适当添Sb_2O_3和In_2O_3可全面提高ZnO压敏电阻器的性能,使其击穿电场强度达326V/mm,漏电流小于1μA,非线性系数α值达107,通流量高达4kA/cm^2。

退火处理对PMN弛豫铁电体B位有序性研究

本文采用退火热处理方法， 利用高分辨透射电镜（ Ｈ Ｒ Ｅ Ｍ） 、选区电子衍射（ Ｓ Ａ Ｅ Ｄ） 、 Ｒａｍａｎ 光谱等技术对 Ｐ Ｍ Ｎ 中 Ｂ 位离子有序无序结构与微区化学组成的关系进行分析研究表明， 退火热处理有助于 Ｂ 位离子有序化； 并且 Ｂ