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Sb_2O_3和In_2O_3对ZnO压敏电阻器性能的影响
1
作者
陈洪存
王矜奉
李明明
《电子元器件应用》
2002年第7期17-18,共2页
研究了Sb_2O_3和In_2O_3对ZnO压敏电阻器性能的影响。适当添Sb_2O_3和In_2O_3可全面提高ZnO压敏电阻器的性能,使其击穿电场强度达326V/mm,漏电流小于1μA,非线性系数α值达107,通流量高达4kA/cm^2。
关键词
非线性系数
漏电流
击穿电场强度
三
氧化铅
三氯化二铟
氧化锌压敏电阻
下载PDF
职称材料
题名
Sb_2O_3和In_2O_3对ZnO压敏电阻器性能的影响
1
作者
陈洪存
王矜奉
李明明
机构
山东大学物理系
济南大学物理系
出处
《电子元器件应用》
2002年第7期17-18,共2页
文摘
研究了Sb_2O_3和In_2O_3对ZnO压敏电阻器性能的影响。适当添Sb_2O_3和In_2O_3可全面提高ZnO压敏电阻器的性能,使其击穿电场强度达326V/mm,漏电流小于1μA,非线性系数α值达107,通流量高达4kA/cm^2。
关键词
非线性系数
漏电流
击穿电场强度
三
氧化铅
三氯化二铟
氧化锌压敏电阻
Keywords
ZnO varistor
Nonlinear coefficient
Drain current
Brokendown electric field intensity
分类号
TM544.5 [电气工程—电器]
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1
Sb_2O_3和In_2O_3对ZnO压敏电阻器性能的影响
陈洪存
王矜奉
李明明
《电子元器件应用》
2002
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