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Sb_2O_3和In_2O_3对ZnO压敏电阻器性能的影响
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作者 陈洪存 王矜奉 李明明 《电子元器件应用》 2002年第7期17-18,共2页
研究了Sb_2O_3和In_2O_3对ZnO压敏电阻器性能的影响。适当添Sb_2O_3和In_2O_3可全面提高ZnO压敏电阻器的性能,使其击穿电场强度达326V/mm,漏电流小于1μA,非线性系数α值达107,通流量高达4kA/cm^2。
关键词 非线性系数 漏电流 击穿电场强度 氧化铅 三氯化二铟 氧化锌压敏电阻
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