提高三氯氢硅合成中淋洗器除尘效率

本文主要介绍了三氯氢硅合成湿法除尘工艺中淋洗器的作用及改造,对淋洗器的设备结构、原理进行研究,结合三氯氢硅合成工序中淋洗器的实际运行情况,分析找出存在的问题和缺陷,提出对淋洗器改造的意见和措施,除尘效率显著提升。

三氯氢硅合成与多晶硅还原尾气全组分干法回收合并新工艺

针对三氯氢硅(TCS)合成尾气与TCS还原尾气各自独立的干法回收处理工艺特点,提出了TCS合成、还原尾气合并干法回收处理的新工艺。其优势在于,最大限度地利用了氯硅烷特殊的吸收特性与冷热量的充分交换,减轻回收HCl、H_2的负荷,保证了回收效率与质量,降低了设备投资成本,实现了多晶硅尾气全闭路循环处理、物料的部分综合利用。

三氯氢硅合成湿法除尘系统的优化改造

介绍了三氯氢硅合成湿法除尘的主要工艺及不足,通过增加蒸发设备对湿法除尘淋洗塔塔底排放的四氯化硅进行部分回收,利用化工模拟软件Aspen Plus对三氯氢硅合成装置进行全流程模拟,并在此基础上完成了该系统的技术改造。

三氯氢硅合成中湿法除尘工艺的探讨及优化

本文主要介绍了湿法除尘的原理及效果、三氯氢硅合成工艺中湿法除尘的除尘效果。并结合实际运行情况介绍三氯氢硅合成工艺中的湿法除尘的运行情况；探讨并分析湿法除尘在三氯氢硅合成中存在的缺陷及问题；提出改进三氯氢硅合成工艺中湿法除尘的一些意见和措施。

硅粉活性对三氯氢硅合成的功效及其评定

硅有着可贵的"品格"和昂贵的价格,一定要珍惜,让它全力贡献天赋的优良品质性能。据此,有必要制定硅的活性标准,使有机硅、硅光伏事业更加兴旺。

三氯氢硅合成湿法除尘系统的优化

采用Aspen Plus流程模拟软件,对三氯氢硅的合成工艺进行了流程模拟与优化,主要考察了洗涤塔的塔盘数量、喷淋量、排渣量、工艺气体进口温度等因素,对三氯氢硅合成洗涤塔的洗涤效果的影响。以三氯氢硅合成装置冷氢化外排的废硅粉为原料,与氯化氢在三氯氢硅合成炉内进行反应生成氯硅烷,工艺气体的进口温度为300℃。为确保产品液中的金属杂质含量低于10ppbw,洗涤塔的塔盘数量≥5块,最佳喷淋量为3700kg·h^(-1),最佳排渣量为190kg·h^(-1)。工艺气体的进口温度与喷淋量的关系可用关系式y=13.26x-313.33表示。

三氯氢硅合成启炉方式的优化改造

介绍了传统三氯氢硅合成启炉的不足,通过对现有启炉方式的改造实现了三氯氢硅合成炉的快速启动,降低了企业的生产成本。

合成三氯氢硅深冷过程的计算及影响因素

分别运用SRK状态方程和PR状态方程对三氯氢硅合成系统中压缩前后深冷的物料量进行了计算,并与实际检测结果进行比较,结果表明SRK方程和PR方程的计算结果均与实际检测结果相符合,可以用于压缩前后深冷的计算;通过计算得出,提高系统压力以及提高氯化氢气体的纯度均有利于氯硅烷的冷凝。

多晶硅生产过程中的硅渣浆处理

针对多晶硅生产TCS合成及冷氢化工艺中产生的副产物硅渣浆,结合污染物硅渣浆的主要成分,介绍了几种硅渣浆的无害化处理方法,包括水解法、干燥法、萃取法。