管式反应器内三甲基氯硅烷连续氨化制备六甲基二硅氮烷研究

针对三甲基氯硅烷半连续氨化反应生产效率低下,反应装置容积效率低的问题,设计并制作了三甲基氯硅烷连续氨化生产六甲基二硅氮烷的管式反应装置,探究了液相进料流量和浓度、气液比、循环流量等操作参数对反应装置运行效果的影响。结果表明:在液相进料总流量为9 mL/min,三甲基氯硅烷体积分数为20%,气液物质的量比为1.8,以及循环流量为240 L/h的条件下运行效果较佳,三甲基氯硅烷转化率达到94.91%,生产强度达到348.93 kg/(m^(3)·h)。该反应装置的顺利操作运行为三甲基氯硅烷氨化制备六甲基二硅氮烷提供了新型连续化生产工艺。

三甲基氯硅烷催化羟基取代炔丙酮的环异构化反应合成色酮或3-呋喃酮

目的发展一种合成色酮和3-呋喃酮的方法。方法以甲醇为溶剂,在三甲基氯硅烷的催化作用和70℃加热条件下,羟基取代炔丙酮发生环异构化反应合成了色酮和3-呋喃酮化合物。结果在最优反应条件下,各种邻羟基芳基炔丙酮和γ-羟基炔丙酮能以良好到优异的收率分别得到相应的色酮和3-呋喃酮产物。该环异构化反应具有操作简单、官能团耐受性好以及原子经济性等特点。通过核磁共振和高分辨质谱对所获得的产物结构进行了表征分析。结论开发了三甲基氯硅烷催化邻羟基芳基炔丙酮和γ-羟基炔丙酮的环异构化反应,同时简捷有效地合成了色酮和3-呋喃酮衍生物。

三甲基氯硅烷对纳米多孔二氧化硅薄膜的修饰

以正硅酸乙酯为先驱体,采用溶胶-凝胶法,结合旋转涂胶、超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.用三甲基氯硅烷(TMCS)对该SiO2薄膜进行了表面修饰,采用FTIR、TG-DTA、AFM和椭偏仪等方法研究了TMCS修饰前后薄膜的结构、形貌、厚度与介电常数等性能.超临界干燥后的SiO2薄膜含有Si-O-Si与Si-OR结构,呈疏水性.在空气中250℃以上热处理后SiO2薄膜因含有Si-OH而呈吸水性.TMCS修饰后的SiO2薄膜在温度不高于450℃时可保持其疏水性和多孔结构.SiO2薄膜经TMCS修饰后基本粒子和孔隙尺寸增大,孔隙率提高,介电常数可降低至2.5以下.

三甲基氯硅烷修饰对HZSM-5沸石环己烯水合催化反应性能的影响

采用三甲基氯硅烷对HZSM-5沸石进行外表面修饰,并进行了骨架IR、真空IR和异丙醇催化分解探针反应表征以及环己烯水合反应性能的考察.改性后试样外表面引入憎水性硅烷基,覆盖了部分外表面酸性位.在环己烯水合反应中搅拌的条件下其活性与母体沸石相似,但在静置的反应条件下却表现出远优于改性前HZSM-5沸石的催化活性,显示出潜在的工业应用前景.

金属锡和三甲基氯硅烷存在下芳香醛、酮与醇的还原-偶联-醚化反应

在三甲基氯硅烷(TMSCl)、四氢呋喃(THF)体系中,芳香醛、酮和醇在金属锡的作用下发生还原-偶联-醚化反应生成相应的频那醇二醚类化合物.文中对此反应的应用范围进行了探讨,并提出了合理的反应机理.

三甲基氯硅烷的性质及其应用研究进展

三甲基氯硅烷是一种非常重要的硅烷化试剂,介绍了三甲基氯硅烷的物理化学性质,重点阐述了三甲基氯硅烷在色谱分析、有机合成、基团保护等方面的应用研究。

三甲基氯硅烷涂层毛细管胶束电动色谱法测定苯甲酸和邻苯二甲酸

[目的]建立测定苯甲酸和邻苯二甲酸含量的毛细管胶束电动色谱涂层新方法。[方法]采用三甲基氯硅烷涂层的毛细管胶束电动色谱-紫外二极管阵列检测的新方法来分离测定饮料中的苯甲酸和实验室废水中的苯甲酸和邻苯二甲酸,考察了波长、pH值、缓冲介质和电压等因素对苯甲酸和邻苯二甲酸分离测定的影响。[结果]以20 mmol/L SDS+35 mmol/L硼砂(pH值9.5)为运行缓冲液,在检测波长为210 nm,分离电压为14 kV条件下,苯甲酸和邻苯二甲酸在3 min内实现分离,在2～800μg/L范围内两者峰高与浓度有良好的线性关系,其相关系数分别为0.999 3和0.999 9,迁移时间的RSD分别为2.65%和3.69%,峰高的RSD分别是3.12%和4.52%,检出限分别为0.106 7和0.121 3μg/ml。[结论]该测定方法具有试样用量少、操作简捷、灵敏度和准确性好的特点,为防腐剂的分析提供了有效的检测方法。

三甲基氯硅烷在有机合成中的应用进展

三甲基氯硅烷是最重要的有机硅试剂之一,在有机合成反应中用于基团的保护、作氯化剂及反应的活化剂等。综述了三甲基氯硅烷的合成方法及其在加速有机反应、提高反应收率和选择性等方面的主要应用。

副产六甲基二硅醚制备三甲基氯硅烷新技术

采用新的管式反应器装置代替釜式反应器，将生产7-ADCA和7-ACA的副产物六甲基二硅醚有效地转化成了三甲基氯硅烷。与釜式反应器相比，管式反应器装置省去了搅拌，简化了生产工序，减少了催化剂的损失，增大了催化剂重复使用次数，操作简便，催化效率高。对反应条件进行了优化，在n（六甲基二硅醚）：n（氯化锌）为1：0．06、反应温度为-2～0℃、反应时间为3h、通氯化氢速度为20mL／min条件下，三甲基氯硅烷收率高达86．8％。

三甲基氯硅烷及六甲基二硅氮烷水解产物分析方法研究

研究采用吹扫捕集-气相色谱-质谱法测定三甲基氯硅烷及六甲基二硅氮烷水解产物的分析方法。结果表明,两种物质遇水迅速水解,水解产物均为三甲基硅醇与六甲基二硅氧烷。以该方法测定六甲基二硅氧烷的检出限为0.02ng/ml,精密度为1.3%～10.6%,线性范围为0.05～60ng/ml。水解动力学研究结果表明,三甲基氯硅烷及六甲基二硅氮烷水解产物含量随时间减少而降低,强酸、强碱条件下测试未发现生成其他的水解产物。该方法可为同类污染物的应急测试提供参考。

三苯基膦和三甲基氯硅烷直接引发丙烯酸乙酯基团转移聚合的核磁共振动力学研究

用ＦＴ－ＮＭＲ的动态￣（３１）ＰＮＭＲ谱及动态￣１ＨＮＭＲ谱对用三苯膦（ＴＰＰ）和三甲基氯硅烷（ＴＭＣＳ）直接引发丙烯酸乙酯（ＥＡ）的基团转移聚合（ＧＴＰ）进行了动力学跟踪，初探了该ＧＴＰ反应的引发阶段、链增长阶段、链终止阶段的基础反应；三苯膦对丙烯酸乙酯的共轭加成的动力学行为；溴化锌在该反应体系的催化作用等，提出了在这种新的引发体系内的ＧＴＰ反应历程。

化学气相沉积三甲基氯硅烷制备两亲性HZSM-5沸石

以三甲基氯硅烷((CH3)3SiCl)为改性剂,采用化学气相沉积法对HZSM-5沸石外表面进行修饰,再通过控制后处理抽空温度,制得两亲性沸石样品.在沉积过程中,改性剂与沸石外表面末端硅羟基作用形成亲油性基团,使得样品主要呈现出亲油性;经423～523K抽空处理后,沉积的(CH3)3Si基团发生Si-C键断裂而脱附出1～2个甲基,样品表现出两亲性能.该改性过程对HZSM-5沸石的孔道大小和内表面性质影响很小.在乙酸异戊酯相界面催化水解反应中,该两亲性沸石分布于水/油两相界面,表现出明显高于亲水性母体HZSM-5沸石的催化活性.

相转移催化法合成三甲基氯硅烷

介绍了三甲基氯硅烷的四种制备工艺,研究了在特殊催化剂存在下适合工业化生产的工艺路线,对旧工艺进行了改进,详细研究了本工艺的原料配比、溶剂用量和反应温度对收率的影响,使收率达到95%以上。

三甲基氯硅烷的合成

以三甲基硅醚和氯化氢气体为原料,浓硫酸为催化剂合成了三甲基氯硅烷。通过考察反应影响因素,确定了合成三甲基氯硅烷的工艺条件,收率可达93%。通过IR和GC对目标产物进行了定性和定量分析,三甲基氯硅烷的纯度可达99.9%。

三甲基氯硅烷水解合成六甲基二硅氧烷的研究

以三甲基氯硅烷为原料,采用水解缩合法合成六甲基二硅氧烷(MM)。探讨了加料方式、平衡温度、反应时间及原料配比对MM收率的影响。结果表明,室温下,按质量比2∶3将三甲基氯硅烷在4 h内滴加到水中,在40℃下平衡反应2 h,水洗中和后MM收率可达87%,纯度高达99%。

管内三甲基氯硅烷和氨气连续化制备六甲基二硅氮烷工艺研究

设计了管内三甲基氯硅烷和氨气连续化制备六甲基二硅氮烷的反应工艺,实验结果表明,此工艺可以连续制备六甲基二硅氮烷,实验中还探究了进料流量、进料液浓度配比、气液原料比对反应程度的影响。混合液流量3.6 mL/min、液体进料TMS-MM体积比1∶3、进料氨气与液体摩尔比1.5∶1为反应的最佳条件。在此条件下,氨气利用率基本达到100%,TMS转化率达到99%以上,副产物氯化铵不会堵塞管路。

三甲基氯硅烷催化合成2-芳基苯并咪唑的研究

采用三甲基氯硅烷（TMSCl）作为路易斯催化剂催化芳醛和邻苯二胺合成了2-芳基苯并咪唑化合物。以苯甲醛和邻苯二胺的反应为模型反应,考察了催化剂与反应底物质量比、反应温度和反应溶剂对反应效果的影响,验证了三甲基氯硅烷对合成反应的催化作用。实验结果表明,三甲基氯硅烷能大大加快芳醛和邻苯二胺合成2-芳基苯并咪唑反应的进行,其合成的适宜条件为：温度60-80℃,芳醛和邻苯二胺物质量比为1.0∶1.0（mol）,催化剂三甲基氯硅烷用量为10%mol反应底物芳胺,溶剂选用DMF,反应时间为6-8 h,能够获得收率为64.0%-91.1%的目标化合物。

HMI触摸屏与TMC控制器在试验机上的应用

触摸屏广泛应用于各种工业设备中,用来控制下位机、设置参数、显示数据、监控设备状态、显示报警信息等,触摸屏的应用可大幅提升工业机械设备的智能化和信息化水平。本文将HMI触摸屏与TMC控制器通过串口RS232通信连接,完美解决了电子蠕变试验机的现场使用需求,简化了用户操作,简单明了的数据显示和参数设置方式让现场操作更加舒适、高效。

二维TMC忆阻器在神经形态计算中的研究进展

忆阻器和突触器件作为一种有潜力的神经形态器件,近年来得到了广泛的研究。二维过渡金属硫族化合物(2D TMC)由于其独特的性能,使基于其的电子器件制造工艺具有高集成度、高兼容性和高扩展性等优势。对基于2D TMC的高性能忆阻器在神经形态计算中的应用进行了全面的综述。首先介绍了2D TMC及其异质结在忆阻器中的应用潜力,然后基于该类材料的基本结构和物理性能,对近年来报道的器件进行了分类介绍,接着讨论了这些新兴材料和器件在神经形态计算中的应用,最后基于目前存在的问题,提出了解决方案,并对该类器件在其他场景的应用进行了展望。