毫米波三端器件漏极混频器的研究

对 Ka频段三端器件漏极混频器电路进行了分析和优化设计 .由三端器件小信号 S参数和直流特性测试值拟合出该器件非线性等效电路模型和参数 ;采用谐波平衡和变换矩阵分析法推导出漏极混频器变频增益 ,由此优化设计混频器电路 .实验测试结果射频为 2 7.4GHz、本振为 33.4GHz/ 10 d Bm,获得变频增益为 4d

一种新的Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)薄膜三端器件

设计研制了一种新的YBCO薄膜三端器件,该器件利用半导体硅薄膜与YBCO薄膜相接触,从而发现了微弱信号下的开关和放大效应.器件能在液氮或室温工作.器件制造工艺简单.

高T_c氧化物颗粒超导体的B型电流注入型三端器件实验研究

本文用实验方法研究了B型高T_c氧化物颗拉超导体电流注入三端器件(B-HOGSCITTD)及其颈缩型(NB-HOGSCITTD)的特性,预示了以此构成开关器件和放大器件的可能性。实验表明,B-HOGSCITTD和NB-HOGSCITTD具有类似特性,进一步说明该氧化物超导体的颗粒性和弱连接网络性。

碳化硅纳米带“品”型器件的第一性原理研究

文章基于锯齿形碳化硅纳米带,通过将中间部分结构在空间上进行向上平移,再翻转180°形成异质结,保留碳边缘通道,形成“品”型三端异质结器件,并利用密度泛函理论和非平衡格林函数的计算方法,研究该三端器件的电子输运特性。计算结果表明:无论是在铁磁态还是反铁磁态下,一种自旋电子都能从一端电极经由异质结单边通道渡越到另一端电极,实现了100%的自旋极化电子输运;当对中心区外加栅压时,电流随着栅压增加而减小,当栅压大于0.5 V时,器件内部电子输运通道关闭,2种自旋电子均不能通过三端器件,表明通过栅极电压可以实现对器件内部电子输运能力的调控;若器件受到外力产生形变,只要形变量小于6.7%,电子输运能力几乎不改变。研究结果为基于碳化硅纳米带的纯自旋流器件的设计提供了有力的理论依据。

三端分子电子器件通用模型

三端分子器件对于需要功率增益和信号还原的分子电路来说是非常重要的,本文提出了一种一般的三端分子器件的通用器件模型(UniversalDeviceModel,简记为UDM),用于在纳米尺度下的分子电路仿真和设计。同时,本文还给出了基于UDM的电路的理论设计流程,并通过电路实例以从实际上说明了UDM的作用。

太赫兹固态电子器件和电路

随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性特性得到极大发展。以固态器件为基础的电路的工作频率进入到太赫兹频段。太赫兹固态电子器件与电路技术在空间领域有着重要的应用前景。文章重点介绍InP基三端太赫兹固态电子器件和电路,以及太赫兹肖特基二极管器件和电路的技术发展过程与最新动态。并指出随着器件与电路的整体化与集成化发展趋势,太赫兹单片集成技术是其未来发展方向。

磁控溅射制备Co/Cu/FeNi三端结器件

用磁控溅射及光刻工艺制成了5μm×5μm的Co/Cu/FeNi三端结器件,测量了不同注入电流下样品的输出电压与外磁场的关系,发现其输出电压与外磁场的关系曲线表明样品具有自旋相关的双极输出信号,双极输出信号可达17μV。测量了输出电压与注入电流的关系,发现二者在电流比较小时呈线性变化,当电流比较大时偏离线性。

三端陶瓷器件的正确使用

在摄录像机和彩电等视频设备中,广泛采用了三端陶瓷陷波器(带阻吸收特性)、滤波器(带通选频特性)、鉴频器(移相鉴频特性),分别用于第二伴音中频的吸收、选频滤波和解调。三者的外形相似,在改频、改制及维修中,业余条件下只能以标号来识别。因厂家不同,型号繁杂,很多维修人员常将三者混用,特别是易将滤波器当鉴频器用,造成伴音失真、音轻或无声。

一种高精度基准电压源的设计制作

对能引起电源的时间漂移及电源噪声的诸多因素进行了分析,采用了AD581集成三端器件和uA741运算放大器设计了恒温控制电路,并制作了恒温槽,设计制作高精度基准电压源。该基准源被应用于HHSV-1型高压高稳定性直流电源的基准电压,极大的提高了该直流电源的精度,使其高压高稳定性直流电源在输出电压为10000V,负载电流在2 mA的工作情况下,输出电压和电流的稳定度、时漂、温漂均达到10-6量级,波纹系数达10-7。该电压源可以用作粒子加速器,质谱计,CT机等高精度医疗仪器的基准源。

光控调频效应的实验研究

将双基区晶体管（ＤＵＢＡＴ）与一光电探测器件相结合，首次实现了三端负阻器件的光控调频效应。得到每ｌｕｘ光强改变频率２．０×１０５Ｈｚ（对光敏电阻）和每ｌｕｘ光强改变频率２．

DUBAT负阻参数的推导和功率DUBAT的设计与研制

本文第一部分用较简单而不同于文献[1]的方法推导出双基区晶体管(DUBAT)有关的负阻参数,与实验结果符合良好;第二部分对功率型DUBAT进行了设计并初步制成这种器件。

一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管

利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT).经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其IV特性,器件模拟结果和测试结果基本一致.

超导体——真空界面的潜力

电子在超导体和真空中运动速度极快,采用现有的半导体技术可研制超导体——真空——超导体——真空——超导体的三端器件会获得速度极快、功耗极低、抗辐射、耐低温、可集成的种种优点,本文将讨论它的可能性和某些特点。

双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量

采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"Λ"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6,峰值电流跨导约为3×10-4S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.

朗视电视盒故障检修一例

笔者为显示器配备了朗视牌FlyTV BX100电视盒，上网、看电视两不误，有一次，带电接插有线电视插头，结果电视盒内的喇叭有“呜呜”声，显示器黑屏。经检查，机内一个带散热片的三端器件（其上标号：CYT8117T33 D721-LE）烫手。

CDVB981数字卫星接收机开关电源原理及维修

CDVB981数字卫星接收机的开关电源以TOP224Y为核心构成。 ■一、TOP224Y简介 TOP224Y是TOPSwitch-Ⅱ系列集成芯片中的一种，是典型的三端器件，三个管脚分别为控制极C、源极S和漏极D，如图1所示。该芯片内部的MOSFET管耐压值高达700V，由它构成的开关电源具有宽电压输入（交流输入电压可达AC85V-AC265V），AC／DC变换效率可达90％等优点。