三端电压控制型负阻器件（2）

三端电压控制型负阻器件（２）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第二章表面控制负阻晶体管（ＮＥＧＩＴ）［５］表面控制负阻晶体管（Ｓｕｒｆａｃｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｓａｔｉｖｅＩｍｐｅｄａｎｄｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＮＥＧＩＴ是在栅控晶...

三端电压控制型负阻器件（1）

三端电压控制型负阻器件（１）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）负阻器件从１９５２年埃伯斯（Ｊ．Ｊ．Ｅｂｅｒｓ）［１］提出和１９５６年摩尔（Ｊ．Ｌ．ＭＯＭｉ）等［２］研制出晶闸管和１９５８年江崎［３］发现隧道二极管到现在已经近四十年了。在这一段时...

三端电压控制型负阻器件（6）

三端电压控制型负阻器件（６）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第六章新型“∧”负阻晶体管［２１］新型“∧”负阻晶体管（ＮｅｗＬａｍｂｄａＮｅｇａｔｉｖｅ－ＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＮＬＮＲＴ，是近几年来新提出的一种三端负阻...

三端电压控制型负阻器件(5)

4.3 LBT 的一般设计考虑和实验与理论的比较依照以上精确模型所给出的有关公式,LBT 的一般设计程序如下。在直流设计方面主要考虑三个特性参数,即:V_P,I_P,和 V_V,对于一给定的双极工艺,参数 I_S,β_(FM),β_(RM)和 N_A 为已知的,再加上固定的 I_(BO),则通过(4.16)和(4.17)两式可以求出 I_P 来。一般说,对一给定的 I_P 值,β_(FM)愈大所需的 I_(BO)愈小。V_P 则可通过(4.21)到(4.23)式计算出来。对于一特定的 V_V,用已知常数值和 I_(BO)值,通过(4.27)和(4.28)式可计算出 MOS 管的 Z/L 比值。一般来说,若 I_P,,V_P和 V_V 一旦给定,R_N 可通过近似关系 R_N≌(V_V—V_P)/I_P来进行估算。

双路交流供电自动切换装置

该实用新型专利是一种双路交流供电自动切换装置。该装置包括：(1)主电路，由两路输入空气开关接市电，输出分别与可控硅触发模块相连，并接至电源电路，两路可控硅触发模块分别接至控制电路，并与输出空气开关相连；(2)电源由两路结构相同的AC／AC转换、整流滤波、电压调整、互锁器电源组成；(3)控制电路，将两路电压采样电路输入信号接自电源电路三端电压稳压器的电压输出端，