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题名一种60 GHz CMOS高效率功率放大器
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作者
王巍
黄孟佳
杨皓
杨正琳
袁军
王伊昌
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机构
重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期14-18,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61404019)
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文摘
为了满足短距离无线高速传输的应用需求,基于SMIC 90nm 1P9M CMOS工艺,设计了一种可工作在60GHz的功率放大器(PA)。该PA为单端三级级联结构。采用顶层金属方法,设计具有高品质因子的小感值螺旋电感,用于输入、输出和级间匹配电路,以提高电路的整体性能。通过减少传输损耗和输出匹配损耗,提高了附加功率效率。仿真结果表明,在1.2V电源电压下,该PA的功率增益为17.2dB,1dB压缩点的输出功率为8.1dBm,饱和输出功率为12.1dBm,峰值功率附加效率为15.7%,直流功耗为70mW。各性能指标均满足60GHz通信系统的要求。
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关键词
CMOS
功率放大器
三级级联结构
功率附加效率
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Keywords
CMOSI power amplifier
three-stage cascade structure
power additional efficiency
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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