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基于CRC与比特交织的LDPC码3D Flash差错控制方法研究
被引量:
1
1
作者
郏宏鑫
郭锐
《软件导刊》
2020年第4期247-251,共5页
为解决3D Flash存储密度增大导致Flash整体误码率不断提高、数据可靠存储时间缩短的问题,提出一种基于循环冗余校验与比特交织的LDPC码3D Flash差错控制方法。该方法首先用CRC判决读取数据是否出错,若出错则实施LDPC纠错,避免浪费纠错...
为解决3D Flash存储密度增大导致Flash整体误码率不断提高、数据可靠存储时间缩短的问题,提出一种基于循环冗余校验与比特交织的LDPC码3D Flash差错控制方法。该方法首先用CRC判决读取数据是否出错,若出错则实施LDPC纠错,避免浪费纠错资源。在数据读写过程中使用比特交织的方法改变3D TLC Flash逻辑页的比特信息存放顺序,降低3D Flash单一逻辑页误码率过高引起的不必要坏区发生概率。仿真结果表明,在3D TLC Flash信道下,LSB逻辑页的比特误码率下降约35.7%,Flash数据保留时间增加了30.9%。该差错控制方法可在3D TLC Flash控制器中实现,不仅可提高3D TLC Flash数据存储可靠性,还可延长3D TLC Flash数据可靠存储时间。
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关键词
三维三层单元闪存
低密度奇偶检验码
循环冗余校验
比特交织
差错控制
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职称材料
题名
基于CRC与比特交织的LDPC码3D Flash差错控制方法研究
被引量:
1
1
作者
郏宏鑫
郭锐
机构
杭州电子科技大学通信工程学院
出处
《软件导刊》
2020年第4期247-251,共5页
基金
浙江省自然科学基金项目(LY16F010013)
浙江省重点科技创新团队基金项目(2013TD03)。
文摘
为解决3D Flash存储密度增大导致Flash整体误码率不断提高、数据可靠存储时间缩短的问题,提出一种基于循环冗余校验与比特交织的LDPC码3D Flash差错控制方法。该方法首先用CRC判决读取数据是否出错,若出错则实施LDPC纠错,避免浪费纠错资源。在数据读写过程中使用比特交织的方法改变3D TLC Flash逻辑页的比特信息存放顺序,降低3D Flash单一逻辑页误码率过高引起的不必要坏区发生概率。仿真结果表明,在3D TLC Flash信道下,LSB逻辑页的比特误码率下降约35.7%,Flash数据保留时间增加了30.9%。该差错控制方法可在3D TLC Flash控制器中实现,不仅可提高3D TLC Flash数据存储可靠性,还可延长3D TLC Flash数据可靠存储时间。
关键词
三维三层单元闪存
低密度奇偶检验码
循环冗余校验
比特交织
差错控制
Keywords
3D TLC flash memory
LDPC
CRC
Bit interleaving
error control
分类号
TP393 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于CRC与比特交织的LDPC码3D Flash差错控制方法研究
郏宏鑫
郭锐
《软件导刊》
2020
1
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