光折变晶体三维存储的几种编码方式之比较

本文讨论了当今较为前沿的三维存储光折变晶体材料写入全息图的几种编码方式的基本原理 ,详细分析了它们的特点。

光折变晶体均匀多重全息图存储研究

本文推导了光折变晶体角度编码多重全息存储中写入均匀光栅时的曝光时间递推公式．分析了散射效应对光栅写入时间常数的影响和写入光耦合对光栅振幅的影响，给出了两种因素影响下曝光时间计算的修正递推公式．数值计算结果表明，按照这种修正公式计算所得多重存储中各幅全息光栅振幅不仅均匀性好，而且振幅相对较大，这种曝光方法有利于提高晶体的存储容量．实验中以递推公式所得时间进行曝光记录，在厚度为０．

优良全息光折变存储材料—双掺铌酸锂晶体

我们生长与后处理了一系列双掺铌酸锂晶体 ,通过光折变存储性能的测试 ,在这些晶体中 ,我们发现了三种双掺晶体 :LN :Fe ,Mg ;LN∶Fe ,In ;LN∶Fe,Zn ,它们具有优良的光折变存储性能 ,即高衍射效率 (高达 6 0～ 80 %)、快光折变响应 (比LN∶Fe晶体缩短了一个数量级 )、和强抗光散射能力 (比LN∶Fe提高近两个数量级 )。我们还系统地研究了光强阈值效应与全息写入的关系以及全息写入与入射光强的关系 ,发现在光强阈值附近耦合强度有一最大值 ,从而提出了最佳写入光强的概念。另外 ,全息光栅热固定研究还显示 ,双掺铌酸锂晶体比单掺Fe的铌酸锂晶体具有更优良的热固定性质 :快固定时间、高固定效率、长固定寿命等。

光折变晶体多重全息存储衍射效率均匀性的研究

推导出了全息多重存储时间递减曝光法各幅图象写入时间的解析表达式，研究了时间递减法和循环曝光法单次曝光时间、总曝光时间以及循环次数随存储图象的幅数之间的变化关系，结果表明时间递减法不但对记录系统的要求较低，而且也可获得相当均匀的衍射效率．

掺杂LN晶体光折变效应及图象光存储特性

利用514.5nm和632.8nm波长的激光,研究了单掺杂Fe和双掺杂Ce:Fe离子铌酸锂晶体的光折变二波耦合及光折变全息存储特性。实验结果表明生长态双掺杂Ce:Fe与单掺杂Fe的LiNbO_3晶体的光折变波耦合增益差异不明显,但双掺杂Ce:Fe的LiNbO_3晶体的图象存储和擦除特性明显得到改善。氧化态样品具有较大的透过率光谱范围和较好的图象存储质量;还原态样品具有较大的光折变二波耦合增益特性。

光折变三维信息存储器

分析光折变三维存储器的机理,探讨了光折变三维存储器的编码方式、光折变材料的选择及存储技术,阐述了其产业化进程。

晶体光折变全息存储实验

将科研成果引入实验教学，将部分研究内容转化为本科生的实验课题，可以保持研究型实验内容的与时俱进．本期刊登南开大学、复旦大学、清华大学和山西大学的典型教学案例． 1 主要内容 依据南开大学培养全面发展、特色鲜明的拔尖创新人才的办学目标要求，为了在近代物理实验教学中进一步锻炼学生的实践能力和创新能力，开设了以研究课题为教学核心的系列研究型实验．将优势学科的部分科研成果转化为实验教学是开展研究型实验的很好的改革思想，晶体光折变全息存储实验内容即来源于此．

三维光折变存储材料及其存储器的研究

未来信息系统中对存储容量、数据传输速率及数据的存储可靠性的要求将更高,高密度数据存储技术始终是信息技术和计算机技术发展中不可缺少的关键研究领域.利用新原理,采用新技术,启用新材料,研究开发新一代高密度、高速存储技术和系统,已经成为国际信息领域的热点和前沿研究方向.

光折变三维存储器^([1])

磁盘和光盘存储是当今最主要的数据存储方式。这种二维存储已经逐渐达到其存储极限 ,已经不能满足当今信息存储的要求。光折变三维全息存储是最有前途的存储新技术 ,可以对数据进行并行处理 ,具有超大容量 (1 0 1 3 bit/cm3 )、数据传输率高 (1 0 9bit/s)等优点。搀杂铌酸锂晶体是目前最理想的三维光折变存储材料。

低噪音光折变体全息存储

光折变全息存储中，透过晶体的散射光会影响再现象的信噪比，本文基于两波耦合理论，对光折变存储中的散射噪音随光斑尺寸的变化作了简化计算和分析，结果表明减小辐照在晶体上的光斑尺寸能降低散射噪音，提高衍射效率和信噪比，采用球面参考波小光斑尺寸入射，在KNSBN光折变晶体中存储了傅里叶全息图，并得到了低噪音的再现象．

Zn:Fe:LiNbO_3晶体光存储性能的研究

Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体光存储性能的研究贾晓林杨久俊（郑州大学建筑材料系，郑州４５００５２）ＳｔｕｄｙｏｎＰｈｏｔｏｍｅｍｏｒｙＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＺｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３ＣｒｙｓｔａｌＪｉａＸｉａｏｌｉｎＹａｎｇＪｉｕｊｕｍ（Ｄｐａｒｔｍｅ...

Ce:Fe:LiNbO_3晶体生长及其在红光波段的体全息存储特性

用提拉法从熔体中生长了 Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体．研究了 Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体在 ６３３ｎｍ波段的体全息存储特性，对不同掺杂浓度的 Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３和Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体进行了全息时间常数和吸收光谱的测定与比较．实验表明，Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体对红光的灵敏度优于Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体，它是一种优良的体全息记录材料．

掺钼近化学计量比铌酸锂晶体的光折变性能研究

通过生长一系列掺钼近化学计量比铌酸锂晶体,研究了晶体的光折变性能,发现在488 nm和532 nm波长辐照下,当Mo的掺入量为0.5mol%时,晶体的光折变灵敏度分别达到0.25 cm/J和0.21 cm/J。此外,极化条件的改变可以缩短晶体在488 nm波长辐照下的光折变响应时间。通过红外光谱、紫外可见吸收光谱和X射线光电子能谱的测试,对掺钼近化学计量比铌酸锂晶体的光折变性能变化的机制进行了研究。

LiNbO_3:Fe晶体三维全息最佳曝光时间研究

对LiNbO3:Fe晶体在三维体全息记录过程中出现的噪声逐渐放大,最终对记录图像产生影响的机制进行探究.通过实验对噪声光强度变化规律进行了定量研究,并运用光感应光散射与二波耦合的能量转移理论,解释了体全息记录中噪声光的产生和放大的机理,提出优化方案.

铌酸锂晶体的光折变效应

铌酸锂(LiNbO_(3),LN)是一种多功能多用途的人工晶体,被称为“光学硅”。近期以铌酸锂薄膜(LNOI)为平台的集成光子学发展迅速,有将“光学硅”变为现实的趋势。高集成意味着高局域高光强密度,使铌酸锂晶体的光折变效应变得不容忽视。光折变效应是光致折射率变化的简称,是非线性光学的重要组成部分。本文回顾了铌酸锂晶体光折变效应的发现和机理、不同掺杂及掺杂组合对光折变效应的调控,重点介绍了铋镁双掺铌酸锂晶体的光折变性能及相关理论和实验结果,概述了铌酸锂光折变波导和孤子,及基于LNOI的集成光子学器件中的光折变效应,并对未来的研究趋势进行了展望。期待我国发挥铌酸锂光折变研究及LNOI产业化的优势,在光子学芯片的竞争中占据主导地位。

光折变聚合物材料在光电子技术中的应用

光折变聚合物材料与光折变晶体相比,其非线性光学系数大,响应时间快,成本低廉,制备灵活,有可能成为制作光子学集成器件的材料。简要介绍了光折变聚合物材料在图像识别、光信息存储及光学相干层析技术等方面的应用情况,指出光折变聚合物材料中存在光子带隙。最后预测了光折变聚合物材料作为光子晶体在光子学器件中的应用前景。

光信息技术中的光折变材料

简要介绍光折变材料的光折变效应及其在光信息技术中的应用 :全息存储、实时信息处理。

Sc_x:Fe_y:Cu_z:LN晶体的生长及非挥发性全息存储的研究

本文首次采用Czochralski法生长优质的Scx:Fey:Cuz:LN(x=0,1%,2%,3%,3.5%,y=0.1%,z=0.06%)晶体。测试了晶体抗光致散射能力,以二波耦合光路测试晶体的衍射效率、写入时间和擦除时间,计算光折变灵敏度和动态范围。结果表明:Sc(2mol%):Fe:Cu:LN和Sc(3mol%):Fe:Cu:LN晶体抗光致散射能力比Fe:Cu:LN晶体高两个数量级以上,Scx:Fey:Cuz:LN晶体的写入速度、光折变灵敏度和动态范围等全息存储性能优于Fe:LN晶体。首次采用氪离子激光(482.0nm,蓝光)作开关光,氦氖激光(632.8nm,红光)做记录光,以Sc:Fe:Cu:LN晶体作为双光子全息存储记录介质,实现了双光子全息存储固定(非挥发性全息存储)。

光折变聚合物材料的应用研究

光折变聚合物材料是一种具有良好的光学处理能力的非线性光学材料,近年来引起了研究者的广泛关注。简要介绍了光折变聚合物材料在自相位共轭及光信息存储等方面的应用,并指出光折变聚合物材料中存在光子带隙,预测了光折变聚合物材料有可能作为光子晶体来应用。

Zn:Ce:Mn:LiNbO_3晶体的存储特性

分别在 Ce∶Mn∶ Li Nb O3中掺入浓度为 3mol%和 7mol%的 Zn O,采用 Czochralski方法生长的 Zn∶Ce∶ Mn∶ L i Nb O3晶体 ,测量其抗光损伤能力、指数增益系数、衍射效率。