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抛光液组分对3D微同轴中铜和光刻胶化学机械抛光速率选择性的影响
1
作者
李森
王胜利
+3 位作者
李红亮
王辰伟
雷双双
刘启旭
《电镀与涂饰》
CAS
北大核心
2022年第7期486-490,共5页
研究了碱性抛光液的pH、SiO_(2)磨料质量分数、H;O_(2)体积分数和甘氨酸质量分数对3D微同轴加工中铜和光刻胶化学机械抛光(CMP)去除速率的影响,得到较佳的抛光液组成为:SiO_(2)5%,H;O_(2)20 mL/L,甘氨酸2.5%,pH=10。采用该抛光液时,铜...
研究了碱性抛光液的pH、SiO_(2)磨料质量分数、H;O_(2)体积分数和甘氨酸质量分数对3D微同轴加工中铜和光刻胶化学机械抛光(CMP)去除速率的影响,得到较佳的抛光液组成为:SiO_(2)5%,H;O_(2)20 mL/L,甘氨酸2.5%,pH=10。采用该抛光液时,铜和光刻胶的去除速率非常接近,满足3D微同轴加工对铜和光刻胶CMP去除速率选择性的要求。
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关键词
三维微同轴
铜
光刻胶
化学机械抛光
碱性抛光液
去除速率
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职称材料
题名
抛光液组分对3D微同轴中铜和光刻胶化学机械抛光速率选择性的影响
1
作者
李森
王胜利
李红亮
王辰伟
雷双双
刘启旭
机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
天津市计量监督检测科学研究院
出处
《电镀与涂饰》
CAS
北大核心
2022年第7期486-490,共5页
基金
河北省自然科学基金(E2019202367)。
文摘
研究了碱性抛光液的pH、SiO_(2)磨料质量分数、H;O_(2)体积分数和甘氨酸质量分数对3D微同轴加工中铜和光刻胶化学机械抛光(CMP)去除速率的影响,得到较佳的抛光液组成为:SiO_(2)5%,H;O_(2)20 mL/L,甘氨酸2.5%,pH=10。采用该抛光液时,铜和光刻胶的去除速率非常接近,满足3D微同轴加工对铜和光刻胶CMP去除速率选择性的要求。
关键词
三维微同轴
铜
光刻胶
化学机械抛光
碱性抛光液
去除速率
Keywords
three-dimensional micro-coaxial
copper
photoresist
chemical mechanical polishing
alkaline slurry
removal rate
分类号
TG175.3 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
抛光液组分对3D微同轴中铜和光刻胶化学机械抛光速率选择性的影响
李森
王胜利
李红亮
王辰伟
雷双双
刘启旭
《电镀与涂饰》
CAS
北大核心
2022
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