三维掩模光刻成像快速计算模型

掩模吸收层厚度引起的散射效应会导致深紫外和极紫外光刻成像产生偏差。传统光刻模型建立在满足薄掩模近似的Hopkins成像理论上,但随着掩模上吸收层的高宽比增大,掩模厚度成为衍射计算中不可忽略的因素。为实现对空间像的精准预测,提出一种三维掩模成像模型,利用严格电磁学仿真生成的掩模衍射近场来修正Hopkins模型结果。严格电磁学仿真需要的计算开销可以通过一种基于旋转变换和仿真维度减少的快速掩模边沿近场生成方法来减少。因此,将三维掩模成像模型和快速衍射近场生成方法结合后可以快速构建精准的三维掩模光刻成像模型。

EUV光刻三维掩模成像研究进展

极紫外(EUV)光刻是目前最先进的光刻技术,是芯片向更高集成度发展的重要保障。高成像质量是确保EUV光刻机性能指标的前提,而反射式三维掩模和特殊的光学成像系统给提高成像质量带来了更多挑战。研究三维掩模成像是提高EUV光刻成像质量的基础,三维掩模成像模型是重要的研究工具。本文结合本团队在EUV光刻三维掩模成像领域的研究,介绍了EUV光刻三维掩模成像的基本原理,总结了典型的三维掩模模型,介绍了提高EUV光刻三维掩模成像质量相关技术的研究进展,并展望了该领域的发展趋势。