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用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中的极化电荷
1
作者
周玉刚
沈波
+5 位作者
刘杰
周慧梅
俞慧强
张荣
施毅
郑有炓
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第9期1774-1778,共5页
研究发展了用肖特基电容 电压特性数值模拟确定调制掺杂AlxGa1 -xN GaN异质结中极化电荷的方法 .在调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结上制备了Pt肖特基接触 ,并对其进行了C V测量 .采用三维费米模型对调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 ...
研究发展了用肖特基电容 电压特性数值模拟确定调制掺杂AlxGa1 -xN GaN异质结中极化电荷的方法 .在调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结上制备了Pt肖特基接触 ,并对其进行了C V测量 .采用三维费米模型对调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结上肖特基接触的C V特性进行了数值模拟 ,分析了改变样品参数对C V特性的影响 .利用改变极化电荷、n AlGaN层掺杂浓度和肖特基势垒高度对C V曲线不同部分位置和形状影响不同 ,可以精确地求取极化电荷面密度 .通过模拟 ,得到Al0 2 2 Ga0 78N厚度为 45nm的调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结界面附近极化电荷面密度为 6 78× 10 1 2 cm- 2 .
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关键词
AlxGa1-xN/GaN异质结
极化电荷
肖特基电容-电压特性
数值模拟
三维费米模型
场效应晶体管
调制掺杂
原文传递
题名
用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中的极化电荷
1
作者
周玉刚
沈波
刘杰
周慧梅
俞慧强
张荣
施毅
郑有炓
机构
南京大学物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第9期1774-1778,共5页
基金
国家重点基础研究专项 (批准号 :G2 0 0 0 0 6 83)
国家自然科学基金 (批准号 :6 980 6 0 0 6
+1 种基金
6 9976 0 14及 6 99870 0 1)
国家
文摘
研究发展了用肖特基电容 电压特性数值模拟确定调制掺杂AlxGa1 -xN GaN异质结中极化电荷的方法 .在调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结上制备了Pt肖特基接触 ,并对其进行了C V测量 .采用三维费米模型对调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结上肖特基接触的C V特性进行了数值模拟 ,分析了改变样品参数对C V特性的影响 .利用改变极化电荷、n AlGaN层掺杂浓度和肖特基势垒高度对C V曲线不同部分位置和形状影响不同 ,可以精确地求取极化电荷面密度 .通过模拟 ,得到Al0 2 2 Ga0 78N厚度为 45nm的调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结界面附近极化电荷面密度为 6 78× 10 1 2 cm- 2 .
关键词
AlxGa1-xN/GaN异质结
极化电荷
肖特基电容-电压特性
数值模拟
三维费米模型
场效应晶体管
调制掺杂
Keywords
Al xGa 1-x N/GaN heterostructure, polarization-induced charge, capacitance-voltage characteristics, numerical simulation
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中的极化电荷
周玉刚
沈波
刘杰
周慧梅
俞慧强
张荣
施毅
郑有炓
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
原文传递
已选择
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