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CoFeB/IrMn/Fe交换偏置三层膜中CoFeB层的磁特性
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作者 张慧 朱晓艳 李振冲 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2021年第6期6-11,共6页
采用磁控溅射镀膜方法制备了非晶CoFeB单层膜及CoFeB/Ir Mn/Fe三层膜。利用XRD进行了物相分析和结构表征,确定了Ir Mn和Fe的生长取向以及二者的外延关系。研究单层CoFeB薄膜翻转场和剩磁比与外磁场的关系,发现其具有微弱的单轴磁各向异... 采用磁控溅射镀膜方法制备了非晶CoFeB单层膜及CoFeB/Ir Mn/Fe三层膜。利用XRD进行了物相分析和结构表征,确定了Ir Mn和Fe的生长取向以及二者的外延关系。研究单层CoFeB薄膜翻转场和剩磁比与外磁场的关系,发现其具有微弱的单轴磁各向异性。研究表明三层膜结构中的CoFeB薄膜具有不同类型的磁滞回线,包括带有偏置的矩形和两步台阶状的磁滞回线及没有偏置的两步台阶状的磁滞回线。用90°畴壁成核与位移模型可以很好地拟合三层膜结构中CoFeB层与Fe层的磁化翻转场与外加磁场的角度关系,发现CoFeB层磁各向异性的转变源于界面的交换耦合作用。 展开更多
关键词 CoFeB/IrMn/Fe交换偏置膜结构 CoFeB层 磁滞回线 交换偏置 磁化翻转 磁各向异性
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我国高压并联补偿电容器介质绝缘耐受水平的研究 被引量:8
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作者 林浩 倪学锋 +3 位作者 姜胜宝 国江 罗天鸣 彭鹏 《电力电容器与无功补偿》 北大核心 2017年第1期61-64,共4页
我国全膜高压并联补偿电容器经过20年的普及使用,不论是生产厂家还是用户均有人提出:当年由全国无功补偿装置专家工作组确定的全膜电容器设计场强不宜大于57 k V/mm(k=1)的指标不适用了,应提高电容器设计场强。经对我国主导生产厂家的... 我国全膜高压并联补偿电容器经过20年的普及使用,不论是生产厂家还是用户均有人提出:当年由全国无功补偿装置专家工作组确定的全膜电容器设计场强不宜大于57 k V/mm(k=1)的指标不适用了,应提高电容器设计场强。经对我国主导生产厂家的三膜结构并联电容器绝缘耐受水平的研究,得出专家工作组的这一规定对我国全膜高压并联电容器健康快速发展起到了十分关键的作用,进一步提高设计场强应谨慎,应在进行充分研究的基础上再做提高设计场强变更,否则对产品的运行可靠性是不利的。 展开更多
关键词 并联补偿电容器 三膜结构 设计场强 绝缘耐受水平
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Impact of nanografting on the local structure of ternary self-assembled monolayers
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作者 Donglei Bu Shawn Riechers Jian Liang Gang-yu Liu 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第6期2102-2114,共13页
Prior studies using single and binary adsorbates indicate that nanografting impacts the reaction pathways and local structure of self-assembled monolayers (SAMs). This work explores the influence of nanografting in ... Prior studies using single and binary adsorbates indicate that nanografting impacts the reaction pathways and local structure of self-assembled monolayers (SAMs). This work explores the influence of nanografting in the case of ternary SAMs. Using atomic force microscopy (AFM) as both a nanografting and imaging tool, the local structures of two ternary SAMs, SC14:SSC10CHO:SC2COOH and SC18:SSC10CHO:SC2COOH, formed under natural growth and nanografting were imaged and compared. The results indicate that nanografting impacts the degree of phase segregation and the domain height in ternary SAMs. In addition to the previously known effect of altering self-assembly pathways, this study reveals an additional impact for these ternary systems: By shaving over the previous trajectory (grafted region), nanografting could start exchange reactions and lateral movement of surface-bound thiols, which leads to new and somewhat unanticipated local structures. 展开更多
关键词 SELF-ASSEMBLEDMONOLAYERS ternary SAMs nanografting surface phases atomic force microscopy
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