面向脉冲调制器的S波段高效线性MMIC功率放大器

针对脉冲调制全数字发射机中高速数字信号难以高效驱动射频功率放大器的问题,提出了一种高效线性MMIC功率放大器设计方法。采用连续F类功率放大器提高数字发射机系统的效率,采用三阶互调抵消改善临近饱和线性度。基于南京电子器件研究所GaAs pHEMT工艺,研制了一款S波段高效率线性功率放大器进行验证。测试结果表明,在3.4~4.0 GHz频段内,当输入功率为-10 dBm时,输出功率为26.2~26.7 dBm,功率附加效率为53.3%~60.7%,功率增益为36.2~36.7 dB。在3.7 GHz频点,输出功率为24.5 dBm,三阶互调失真小于-30 dBc;9 dB峰均比、40 MHz正交频分多路复用的64-QAM调制信号激励下,平均输出功率及对应的功率附加效率分别为20.5 dBm和28%,实现了-30 dBc的邻道功率比及5.5%的误差向量幅度。

一种基于噪声抵消技术的高线性LNA设计

本文提出了一种基于噪声抵消技术的宽带低噪声放大器(LNA)。通过互补CMOS并联推拉结构的采用,抵消掉二阶互调失真分量(IMD2)。改进的噪声抵消电路也可以有效地抑制三阶互调失真分量(IMD3)。虽然噪声和失真的最优化抵消点不同,但是噪声系数并没有恶化。基于标准的90 nm CMOS工艺对LNA进行流片实现,该LNA在0. 1~3. 9 GHz频段内,取得了21. 5~24. 3 dBm的二阶输入截止点,2. 6~3. 8 dBm的三阶输入截止点,13. 6 d B的最大功率增益,1. 9~3. 8 dB的噪声系数。该LNA在1. 1 V电压的供电下,消耗了19. 5 m W的功耗,芯片面积仅为0. 0095 mm^2。