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SOI纳米线波导和相关器件研究进展 被引量:2
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作者 徐学俊 余金中 陈少武 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期5-9,共5页
SOI纳米线波导具有对光场限制作用强、传输损耗低、弯曲半径小、集成度高、与传统CMOS工艺兼容等优点,采用SOI纳米线波导能够大大缩小光子器件的长度和面积,提高器件工作速度和效率,降低器件功耗。介绍了SOI纳米线波导在模式、损耗、偏... SOI纳米线波导具有对光场限制作用强、传输损耗低、弯曲半径小、集成度高、与传统CMOS工艺兼容等优点,采用SOI纳米线波导能够大大缩小光子器件的长度和面积,提高器件工作速度和效率,降低器件功耗。介绍了SOI纳米线波导在模式、损耗、偏振等方面与传统大尺寸硅基波导所表现出来的不同特性,评述了当前关于SOI纳米线波导和基于SOI纳米线波导光子器件的最新研究进展。 展开更多
关键词 光子集成回 纳米线波导 上/下路滤波器 调制器 光开关
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