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基于TCAD模拟的Buffer单粒子效应解析分析
1
作者
杜明
邹黎
+2 位作者
李晓辉
邱恒功
邓玉良
《电子器件》
CAS
北大核心
2014年第5期808-811,共4页
半导体器件和集成电路的辐射效应,其本质就是电子空穴对的产生和复合、电荷的传输与收集、界面态和氧化层陷阱电荷积累等一系列的物理过程。这些物理过程会受到各种因素的影响,例如上拉补偿管的尺寸、重离子入射角度、器件的外延层浓度...
半导体器件和集成电路的辐射效应,其本质就是电子空穴对的产生和复合、电荷的传输与收集、界面态和氧化层陷阱电荷积累等一系列的物理过程。这些物理过程会受到各种因素的影响,例如上拉补偿管的尺寸、重离子入射角度、器件的外延层浓度等。使用TCAD器件/电路混合模式仿真了以上这些关键变量,同时分析了以上效应对对Buffer电路单粒子效应的影响。最终实验结果证明该模拟方法接近于真实情景。
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关键词
混合模拟
TCAD
单粒子效应
缓冲
上拉补偿
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职称材料
题名
基于TCAD模拟的Buffer单粒子效应解析分析
1
作者
杜明
邹黎
李晓辉
邱恒功
邓玉良
机构
深圳市国微电子有限公司
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2014年第5期808-811,共4页
文摘
半导体器件和集成电路的辐射效应,其本质就是电子空穴对的产生和复合、电荷的传输与收集、界面态和氧化层陷阱电荷积累等一系列的物理过程。这些物理过程会受到各种因素的影响,例如上拉补偿管的尺寸、重离子入射角度、器件的外延层浓度等。使用TCAD器件/电路混合模式仿真了以上这些关键变量,同时分析了以上效应对对Buffer电路单粒子效应的影响。最终实验结果证明该模拟方法接近于真实情景。
关键词
混合模拟
TCAD
单粒子效应
缓冲
上拉补偿
Keywords
mixed-mode
TCAD
Buffer
single event effect
pull-up compensating
分类号
O472.8 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于TCAD模拟的Buffer单粒子效应解析分析
杜明
邹黎
李晓辉
邱恒功
邓玉良
《电子器件》
CAS
北大核心
2014
0
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职称材料
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