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八边形片上螺旋电感等效电路模型研究
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作者 黄智超 赵昭 李洁 《电子制作》 2024年第19期99-103,共5页
片上螺旋电感的电感值、品质因数等参数对高速无源延迟电路的性能影响较大,需要进行精确的建模和分析。本文提出了一种八边形片上螺旋电感的双π等效电路模型。该八边形片上螺旋电感双等效电路模型可以有效反映螺旋电感中的趋肤效应、... 片上螺旋电感的电感值、品质因数等参数对高速无源延迟电路的性能影响较大,需要进行精确的建模和分析。本文提出了一种八边形片上螺旋电感的双π等效电路模型。该八边形片上螺旋电感双等效电路模型可以有效反映螺旋电感中的趋肤效应、邻近效应、衬底涡流效应、衬底耦合、馈通电容、导体间电容等分布电容的影响。推导了该模型中组件的估算公式,由估算公式得出的组件参数,可作为实际数据拟合的参考值。经过拟合后的等效电路模型参数,在0.1~10GHz频率范围内,与电磁场仿真软件ADS所得的仿真结果误差不超过5%,有很好的一致性。 展开更多
关键词 上螺旋电感 双π 等效电路模型 高速无源延时电路
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CMOS兼容高Q值微机电系统悬浮片上螺旋电感 被引量:6
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作者 卢冲赢 徐立新 +2 位作者 李建华 付博 欧修龙 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期634-639,共6页
利用微机电系统(MEMS)表面微加工技术设计并制作了一种应用于无线电引信射频前端的CMOS兼容高Q值悬浮片上螺旋电感.电感的制作工艺在热预算和材料选择上均具有良好的CMOS兼容特性.通过采用铜金属悬浮线圈结构减小了片上螺旋电感损耗因... 利用微机电系统(MEMS)表面微加工技术设计并制作了一种应用于无线电引信射频前端的CMOS兼容高Q值悬浮片上螺旋电感.电感的制作工艺在热预算和材料选择上均具有良好的CMOS兼容特性.通过采用铜金属悬浮线圈结构减小了片上螺旋电感损耗因素,显著提高了片上螺旋电感Q值.采用电磁场有限元分析软件HFSS对该电感模型进行了仿真研究,完成了悬浮片上螺旋电感的制备并进行了测量.测量结果表明:所设计的CMOS兼容MEMS悬浮片上螺旋电感Q值在1~7.6GHz测量频段均大于20,在7.4 GHz频段最大值达到了38. 展开更多
关键词 兵器科学与技术 微机电系统 CMOS兼容工艺 悬浮片上螺旋电感 Q值 无线电引信
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硅衬底片上螺旋电感宽带2π等效电路模型 被引量:1
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作者 杨帆 王向展 +4 位作者 郑薇 任军 尤焕成 李立萍 杨谟华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1084-1088,共5页
针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和全耦合变压器模型,建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感中串联电感和串联电阻频率特性的制约,并通过2π等效电路结构计入了电感中... 针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和全耦合变压器模型,建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感中串联电感和串联电阻频率特性的制约,并通过2π等效电路结构计入了电感中寄生电容的分布特性.通过与全波分析方法对比,验证了在15GHz范围内由该模型导出的等效电感、等效电阻和Q值误差均在8%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感的优化设计和进一步的理论探讨. 展开更多
关键词 上螺旋电感 物理模型 2π等效电路 趋肤效应 邻近效应 衬底涡流损耗
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应用于无线收发机前端的片上螺旋型电感的研究
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作者 池保勇 石秉学 《电子器件》 CAS 2001年第3期165-173,共9页
这篇文章探讨了在现在的标准工艺条件下片上集成电感的设计和分析问题 ,包括片上螺旋型电感的有关版图、损耗机制、模型和参数提取问题 ,最后以一种被学术界广泛接受的模拟工具对电感的有关设计进行了模拟 ,给出了模拟结果 ,并进行了分... 这篇文章探讨了在现在的标准工艺条件下片上集成电感的设计和分析问题 ,包括片上螺旋型电感的有关版图、损耗机制、模型和参数提取问题 ,最后以一种被学术界广泛接受的模拟工具对电感的有关设计进行了模拟 ,给出了模拟结果 ,并进行了分析 ,给出了设计片上电感应遵循的原则。随着工艺技术和人们对电感的寄生效应的认识的加深 。 展开更多
关键词 上螺旋型电感 射频电路 无线收发机 前端 片上集成电路
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金属线宽与间距渐变的片上螺旋电感设计规则研究 被引量:2
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作者 刘婧 石艳玲 +6 位作者 曹福全 唐深群 陈大为 黄浩 叶红波 王勇 薛琳艳 《电子器件》 CAS 2008年第4期1116-1119,共4页
在分析片上螺旋电感的磁场分布及射频损耗机制的基础上,研究了电感的金属线宽及线圈间距的变化对电感性能的影响,在大量数值分析基础上提出了金属线宽与间距之和不变,而金属线宽与间距之比从外圈到内圈逐渐减小的渐变型片上螺旋电感,并... 在分析片上螺旋电感的磁场分布及射频损耗机制的基础上,研究了电感的金属线宽及线圈间距的变化对电感性能的影响,在大量数值分析基础上提出了金属线宽与间距之和不变,而金属线宽与间距之比从外圈到内圈逐渐减小的渐变型片上螺旋电感,并得到了实验验证,多组样品的测试结果与数值分析结果相吻合,以2.4GHz频段处为例,在高阻硅衬底上制备的5nH渐变结构电感的品质因子Q为11,比具有相同外径和电感值的固定金属线宽及间距的传统电感高19.6%。 展开更多
关键词 上螺旋电感 欧姆损耗 磁场损耗 渐变结构 品质因子
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硅基片上螺旋电感宽带物理模型 被引量:1
6
作者 郑薇 王向展 +4 位作者 任军 杨帆 尤焕成 李竞春 杨谟华 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第5期1254-1257,共4页
针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和麦克斯韦电磁场理论,计入了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感串联电感Ls与串联电阻Rs频率特性的制约,并通过nπ等效电路结构模拟了寄生电容的分布特性,从而建立了一种新的片上螺... 针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和麦克斯韦电磁场理论,计入了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感串联电感Ls与串联电阻Rs频率特性的制约,并通过nπ等效电路结构模拟了寄生电容的分布特性,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型。通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的等效电感Leff,等效电阻Reff和Q值误差均在7%以内。该模型可望用于硅基射频集成电路中螺旋电感进一步的理论探讨和优化设计。 展开更多
关键词 上螺旋电感 物理模型 何等效电路 邻近效应 涡流损耗
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片上螺旋电感宽频带等效电路模型的建立 被引量:1
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作者 罗晓斌 于伟华 +1 位作者 吕昕 习国爱 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第1期1-5,共5页
介绍了一种简单而有效的对片上螺旋电感建立集总等效电路模型的方法,并提出了用电容和电感补偿等效代替的思想,实现了9个参数的宽频带电路。通过仿真ADS中空气桥横跨式结构和电介质隔离地下通道式结构,该等效模型在26~40GHz带宽内获得... 介绍了一种简单而有效的对片上螺旋电感建立集总等效电路模型的方法,并提出了用电容和电感补偿等效代替的思想,实现了9个参数的宽频带电路。通过仿真ADS中空气桥横跨式结构和电介质隔离地下通道式结构,该等效模型在26~40GHz带宽内获得了S参数、有效电感值和Q值比较好的拟合效果,为片上螺旋电感的提参建模提供了快速、可行的方案。 展开更多
关键词 上螺旋电感 集总电路模型 等效代替 宽频带
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一种基于微\纳米加工技术的新型太赫兹片上螺旋天线 被引量:1
8
作者 郭林 潘杰 《电子器件》 CAS 北大核心 2017年第2期276-279,共4页
给出了一种基于微\纳米加工技术的3D片上天线结构,天线工作频率为1.5 THz。该天线结构包含圆柱形金属螺旋和衬底上的微带馈线2个部分。所提出的天线结构可以在单片晶圆上利用微\纳米加工技术实现,且方便与系统其他部分的电路集成于同一... 给出了一种基于微\纳米加工技术的3D片上天线结构,天线工作频率为1.5 THz。该天线结构包含圆柱形金属螺旋和衬底上的微带馈线2个部分。所提出的天线结构可以在单片晶圆上利用微\纳米加工技术实现,且方便与系统其他部分的电路集成于同一芯片内部。天线在1.4 THz~1.6 THz频段内具有很高的增益(11 dBi)和很宽的工作带宽(200 GHz),非常适合应用于太赫兹通信系统。 展开更多
关键词 太赫兹(THz)天线 上螺旋天线 微/纳米加工技术 微带线
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宽带硅衬底RF片上螺旋电感物理模型
9
作者 任军 杨帆 +4 位作者 郑薇 尤焕成 王向展 李立萍 杨谟华 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1517-1521,共5页
针对高损耗硅衬底,源自部分元等效电路方法考虑了趋肤效应和邻近效应对螺旋电感中串联电感Ls、串联电阻Rs频率特性的制约,并基于全耦合变压器模型计入了复杂的衬底涡流损耗,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.通过与全波分析方法... 针对高损耗硅衬底,源自部分元等效电路方法考虑了趋肤效应和邻近效应对螺旋电感中串联电感Ls、串联电阻Rs频率特性的制约,并基于全耦合变压器模型计入了复杂的衬底涡流损耗,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的等效电感Leff、等效电阻Reff和Q值误差仅在7%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感进一步的理论探讨和优化设计. 展开更多
关键词 上螺旋电感 物理模型 趋肤效应 邻近效应 衬底涡流损耗
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基于厚铜工艺的高Q值片上螺旋电感研究
10
作者 黄寅 毛志刚 +1 位作者 王勇 赵宇航 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期850-854,共5页
为了减少片上螺旋电感的金属导体损耗,基于200mm晶圆的铜后道互连工艺线,开发了适用于射频电路的3μm厚铜工艺。流片测试结果显示,基于低阻硅衬底制作的电感器件在很宽的频率范围内,其品质因子Q值超过10,最高达到19.1;建立了用于电路设... 为了减少片上螺旋电感的金属导体损耗,基于200mm晶圆的铜后道互连工艺线,开发了适用于射频电路的3μm厚铜工艺。流片测试结果显示,基于低阻硅衬底制作的电感器件在很宽的频率范围内,其品质因子Q值超过10,最高达到19.1;建立了用于电路设计的精确电感宏模型,根据该模型仿真与实测得到的电感Q值与L值随频率变化的比较,发现在20GHz的频率应用范围内该模型具有较高的精度,误差基本在10%以内,能够满足射频电路设计的需要。 展开更多
关键词 上螺旋电感 厚铜工艺 品质因子 宏模型
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片上螺旋电感集总模型中衬底因子的分析与拟合
11
作者 陈大为 石艳玲 +3 位作者 李曦 王鹏 刘婧 丁艳芳 《电子器件》 CAS 2009年第3期550-553,共4页
石英、高阻SOI、高阻硅等衬底上实现的电感具有比低电阻率衬底的电感更优的高频性能,因而研究基于不同衬底的电感性能,并在高频模型中进行精确的衬底因子表征就显得十分重要。综合考虑高频下的趋肤效应和邻近效应及衬底电磁损耗对电感... 石英、高阻SOI、高阻硅等衬底上实现的电感具有比低电阻率衬底的电感更优的高频性能,因而研究基于不同衬底的电感性能,并在高频模型中进行精确的衬底因子表征就显得十分重要。综合考虑高频下的趋肤效应和邻近效应及衬底电磁损耗对电感性能的影响,实现了片上螺旋电感的集总元件模型,并通过与SOI、石英衬底的电感仿真参数及高阻硅衬底的电感测试参数进行了模型验证,结果表明,该模型拟合的S参数及Q值曲线能与仿真及测试结果吻合,同时模型中衬底因子的提取值与衬底性质相符合,因而该模型适用于片上电感的模拟与设计。 展开更多
关键词 上螺旋电感 集总模型 衬底因子 趋肤效应和邻近效应
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基于“8字螺旋”的课程诊断与改进体系研究--以“空中交通管理基础”课程为例
12
作者 张晓燕 顾云鹭 《教育教学论坛》 2024年第34期73-76,共4页
作为高职院校持续提高技术技能人才培养质量的有效措施,教学诊断与改进制度至关重要。根据“8字形质量改进螺旋”对上海民航职业技术学院机场运行服务与管理(航空器机坪管制)专业核心专业课程“空中交通管理基础”课程诊断与改进的运行... 作为高职院校持续提高技术技能人才培养质量的有效措施,教学诊断与改进制度至关重要。根据“8字形质量改进螺旋”对上海民航职业技术学院机场运行服务与管理(航空器机坪管制)专业核心专业课程“空中交通管理基础”课程诊断与改进的运行进行了实践。首先提出了“空中交通管理基础”课程诊改的总体思路,其次构建了诊改的运行规划,然后基于“8字螺旋”对“空中交通管理基础”课程诊改体系及上螺旋和下螺旋的具体运行进行了实施,最后剖析了“空中交通管理基础”课程诊改的不同阶段存在的问题,并提出了相应的改进策略。 展开更多
关键词 课程诊改 8字螺旋 空中交通管理基础 上螺旋 螺旋
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一种CMOS集成MEMS片上螺旋电感设计与仿真 被引量:1
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作者 卢冲赢 徐立新 王婷 《科技导报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期20-23,共4页
设计了一种与CMOS工艺兼容的MEMS片上螺旋电感。电感为矩形平面螺旋线圈结构,并采用电导率较高的铜代替铝制作线圈。利用MEMS技术设计了厚金属线圈,同时在CMOS级低阻硅衬底中刻蚀空腔,减小了线圈的串联电阻和衬底损耗,提高了电感的Q值... 设计了一种与CMOS工艺兼容的MEMS片上螺旋电感。电感为矩形平面螺旋线圈结构,并采用电导率较高的铜代替铝制作线圈。利用MEMS技术设计了厚金属线圈,同时在CMOS级低阻硅衬底中刻蚀空腔,减小了线圈的串联电阻和衬底损耗,提高了电感的Q值。设计了与CMOS工艺相兼容的低温MEMS工艺和基于该工艺的1nH电感模型。使用HFSS软件对该电感模型进行仿真,结果表明,该电感在仿真频率为6.6GHz和10GHz时Q值分别达到了22.37和20.74,且自谐振频率大于20GHz,较传统的CMOS片上集成电感有明显改善;同时随着电感线圈厚度的增加,电感的Q值增加,而电感值(L值)则减小,且在仿真频段内电感值的变化小于5.5%。 展开更多
关键词 MEMS 上螺旋电感 COMS集成 Q值
原文传递
片上自卷曲太赫兹三维螺旋阵列天线仿真设计 被引量:1
14
作者 何晴 黄文 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第S01期302-305,共4页
当前片上天线的结构形式均局限在二维或二维半的空间内,衬底引入的寄生效应严重,天线的增益和效率相对较低。为了解决上述问题,本文提出一种基于氮化硅(SiNx)自卷曲薄膜(S-RuM)纳米技术的片上太赫兹螺旋阵列天线的加工和设计方法。通过... 当前片上天线的结构形式均局限在二维或二维半的空间内,衬底引入的寄生效应严重,天线的增益和效率相对较低。为了解决上述问题,本文提出一种基于氮化硅(SiNx)自卷曲薄膜(S-RuM)纳米技术的片上太赫兹螺旋阵列天线的加工和设计方法。通过对SiNx自卷曲薄膜结构的设计,实现了对三维螺旋结构的内直径、螺距和匝数等特征参数的精确控制,并且其制造工艺与常规半导体工艺完全兼容。HFSS有限元仿真结果表明具有反射环结构的5匝单螺旋天线的相对带宽为9%,增益可达到9.8dB@0.3THz,半功率波束宽度为45°;2×1阵列的增益可达到12.3dB。 展开更多
关键词 自卷曲薄膜技术 太赫兹天线 上螺旋天线
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一种3.8 GHz 0.25 μm CMOS低噪声放大器的设计 被引量:3
15
作者 王磊 余宁梅 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期101-104,共4页
从优化电路结构出发,提出并设计了一种工作于3.8 GHz的低噪声放大器。与传统级联结构相比,该电路引入了级间匹配网络。级间匹配网络的实现,可以使整个电路的功率增益、噪声系数等关键性能指标得到改善。电路采用0.25μm RF CMOS工艺制作... 从优化电路结构出发,提出并设计了一种工作于3.8 GHz的低噪声放大器。与传统级联结构相比,该电路引入了级间匹配网络。级间匹配网络的实现,可以使整个电路的功率增益、噪声系数等关键性能指标得到改善。电路采用0.25μm RF CMOS工艺制作,用Hspice软件对电路进行了模拟。结果表明,该电路的正向功率增益为15.67 dB,NF为2.88 dB,IIP3为-0.21 dBm,功耗为25.79 mW。 展开更多
关键词 CMOS 低噪声放大器 级间匹配网络 上螺旋电感 噪声系数
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LC振荡器的设计要点
16
作者 满家汉 赵坤 叶青 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期40-43,共4页
主要介绍了LC振荡器的设计要点.从LC振荡器的模型出发,研究了VCO的电路结构、谐振回路对于输出幅度的影响、VCO的噪声源、VCO的相位噪声以及谐振回路的Q值对于VCO的影响.给出了LC振荡器的设计要点及设计中需要考虑的约束条件.
关键词 集成LC VCO 上螺旋电感 相位噪声
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Design of 2.5GHz Low Phase Noise CMOS LC-VCO 被引量:3
17
作者 张海清 章倩苓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1154-1158,共5页
A 2 5GHz fully integrated LC VCO is fabricated in a standard single poly 4 metal 0 35μm digital CMOS process,using a complementary cross coupled topology for lowering power dissipation and reducing the effect of... A 2 5GHz fully integrated LC VCO is fabricated in a standard single poly 4 metal 0 35μm digital CMOS process,using a complementary cross coupled topology for lowering power dissipation and reducing the effect of 1/ f noise.An on chip LC filtering technique is used to lower the high frequency noise.Accumulation varactors are used to widen frequency tuning.The measured tuning range is 23 percent.A single hexadecagon symmetric on chip spiral is used with grounded shield pattern to reduce the chip area and maximize the quality factor.A phase noise of -118dBc/Hz at 1MHz offset is measured.The power dissipation is 4mA at V DD =3 3V. 展开更多
关键词 2.5GHz LC VCO phase noise accumulation varactors on chip spiral inductor
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CMOS宽带放大器的设计
18
作者 陈珂 《江苏电器》 2007年第B12期8-10,18,共4页
利用中芯国际(SMIC)0.18μm CMOS工艺设计了应用于高速率光接收机的前置放大器。该放大器采用了RGC放大器的电路拓扑结构,应用了优化的片上螺旋电感,通过并联峰化技术实现了带宽放大。仿真结果表明跨阻放大器的跨阻增益为52.8dB·Ω... 利用中芯国际(SMIC)0.18μm CMOS工艺设计了应用于高速率光接收机的前置放大器。该放大器采用了RGC放大器的电路拓扑结构,应用了优化的片上螺旋电感,通过并联峰化技术实现了带宽放大。仿真结果表明跨阻放大器的跨阻增益为52.8dB·Ω,-3dB带宽为8.6GHz,1.8V单电源供电功耗小于37mW。 展开更多
关键词 CMOS工艺 前置放大器 并联峰化技术 上螺旋电感
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Adherent properties of Helicobacter pylori to human epithelial cells *
19
作者 王正祥 申厚凤 陈红菊 《World Journal of Gastroenterology》 SCIE CAS CSCD 1997年第1期40+38-39,38-39,共3页
AIM To study the properties and factors of Helicobacter pylori adherence to human epithelial cells. METHODS The adherent properties of human epithelial cells were studied by using a group of isolated H. pylor... AIM To study the properties and factors of Helicobacter pylori adherence to human epithelial cells. METHODS The adherent properties of human epithelial cells were studied by using a group of isolated H. pylori strains, anti H. pylori monoclonal antibodies and varied pH environment in in vitro adherence model with HEp 2 cell. 展开更多
关键词 Helicobacter pylori Epithelial cells Antibodies monoclonal Hydrogen ion concentration
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Evaluation of Normal Adrenal Gland Volume by 64-slice CT 被引量:4
20
作者 Xuan Wang Zheng-yu Jin +4 位作者 Hua-dan Xue Wei Liu Hao Sun Yu Chen Kai Xu 《Chinese Medical Sciences Journal》 CAS CSCD 2012年第4期220-224,共5页
Objective To measure volume and other parameters of normal adrenal glands in Chinese adults with 64-slice multidetector CT, to evaluate the relationship of volume result with age, sex and body size, and to explore the... Objective To measure volume and other parameters of normal adrenal glands in Chinese adults with 64-slice multidetector CT, to evaluate the relationship of volume result with age, sex and body size, and to explore the correlations between adrenal volume and other measurements. Methods This study was based on 125 acquired contrast-enhanced upper abdominal CT scans performed with a 64-slice CT. The final study group consisted of 81 patients (49 males, 32 females). Portal venous phase images were studied for the measurements. Both the reconstruction interval and thickness were 1.5 mm. Each adrenal gland was outlined manually with computer-assistant technology to calculate its volume. The maximal sectional area, length, width and thickness of each adrenal gland were also measured. Results The mean age of total population was 47.9±13.0 (range: 20-76) years. The left, right, and total adrenal gland volumes were 4.23±0.74 (range: 2.85-5.83) cm 3 , 4.26±0.86 (2.59-6.56) cm 3 , and 8.50±1.40 (5.80-11.39) cm 3 , respectively. These volumes increased with weight (r=0.381, 0.389, and 0.437 respectively, all P<0.001), height (r=0.386, P<0.001; r=0.297, P=0.007; r=0.384, P<0.001) and body surface area (r=0.406, 0.392, and 0.452, all P<0.001). There was no significant difference in left, right or total adrenal volume with regard to sex after applying General Linear Model procedure to reduce the impact of weight (F=1.304, 0.064, and 0.597, all P>0.05), nor did volume change significantly with age (r=-0.033, -0.014, and -0.026, all P>0.05). Nearly all descriptors of bilateral adrenal glands correlated with ipsilateral volume except thickness (r=-0.027, P=0.814) and width (r=0.166, P=0.138) in the left side. Among these parameters, length had a stronger correlation with volume than others in the both left (r=0.412, P<0.001) and right (r=0.516, P<0.001) adrenal glands. Conclusion Our study has defined the volume distribution and other parameters of normal adrenal glands in Chinese adults, which provide a baseline for future studies. 展开更多
关键词 adrenal gland VOLUMETRY volume determination computed tomography
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