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0.18μm以下低k介质材料上的低离子等离子体去胶工艺
1
作者
AxcelisTechnologies QingyuanHan CarloWaldfried OrlandoExcorcia
《中国集成电路》
2003年第46期81-85,共5页
本文论述了下游式等离子体在多种Cu/低k材料上去胶及去残留物的工艺应用,主要有3类低k材料的实验数据——有机类、掺氮氧化物和多孔性低k材料,同时论述了在这些对应低k材料上新的等离子体气氛:(1)中性等离子体;(2)无氧和还原性等...
本文论述了下游式等离子体在多种Cu/低k材料上去胶及去残留物的工艺应用,主要有3类低k材料的实验数据——有机类、掺氮氧化物和多孔性低k材料,同时论述了在这些对应低k材料上新的等离子体气氛:(1)中性等离子体;(2)无氧和还原性等离子体;(3)无氧和无氮等离子体。
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关键词
下游式等离子体
低K介质材料
去胶工艺
掺氮氧化物
多孔性低k材料
等离子体
气氛
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职称材料
题名
0.18μm以下低k介质材料上的低离子等离子体去胶工艺
1
作者
AxcelisTechnologies QingyuanHan CarloWaldfried OrlandoExcorcia
出处
《中国集成电路》
2003年第46期81-85,共5页
文摘
本文论述了下游式等离子体在多种Cu/低k材料上去胶及去残留物的工艺应用,主要有3类低k材料的实验数据——有机类、掺氮氧化物和多孔性低k材料,同时论述了在这些对应低k材料上新的等离子体气氛:(1)中性等离子体;(2)无氧和还原性等离子体;(3)无氧和无氮等离子体。
关键词
下游式等离子体
低K介质材料
去胶工艺
掺氮氧化物
多孔性低k材料
等离子体
气氛
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
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作者
出处
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1
0.18μm以下低k介质材料上的低离子等离子体去胶工艺
AxcelisTechnologies QingyuanHan CarloWaldfried OrlandoExcorcia
《中国集成电路》
2003
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