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厚栅n—和n—LDMOSFET高压输出电路
被引量:
1
1
作者
黄义定
王卓
+1 位作者
于宗光
李鉴
《微计算机信息》
北大核心
2008年第26期301-302,共2页
对于PDP(plasma display panels)驱动集成电路,为了减小芯片面积和提高开关速度而提出了一种厚栅LDMOSFET(later-al double diffused MOSFETs)这种新颖的高压输出电路。同常规的电路相比,在同样的下降时间下,利用所提出的输出电路,PDP...
对于PDP(plasma display panels)驱动集成电路,为了减小芯片面积和提高开关速度而提出了一种厚栅LDMOSFET(later-al double diffused MOSFETs)这种新颖的高压输出电路。同常规的电路相比,在同样的下降时间下,利用所提出的输出电路,PDP驱动集成电路的芯片面积减少了35%;在同样的芯片面积下,当电源电压为180V,负载电容为100pF时,所提出的输出电路的下降时间比常规的的电路要快2.5倍。
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关键词
n—LDMOSFET
PDP
高压输出电路
驱动能力
下降时间厚栅
下载PDF
职称材料
题名
厚栅n—和n—LDMOSFET高压输出电路
被引量:
1
1
作者
黄义定
王卓
于宗光
李鉴
机构
南阳师范学院
中国电子科技集团
南阳理工学院
出处
《微计算机信息》
北大核心
2008年第26期301-302,共2页
基金
江苏省自然科学基金(BK2007026)系统集成芯片(SOC)中IP模块的设计与验证方法研究
南阳师范学院高层次人才科研启动费资助
文摘
对于PDP(plasma display panels)驱动集成电路,为了减小芯片面积和提高开关速度而提出了一种厚栅LDMOSFET(later-al double diffused MOSFETs)这种新颖的高压输出电路。同常规的电路相比,在同样的下降时间下,利用所提出的输出电路,PDP驱动集成电路的芯片面积减少了35%;在同样的芯片面积下,当电源电压为180V,负载电容为100pF时,所提出的输出电路的下降时间比常规的的电路要快2.5倍。
关键词
n—LDMOSFET
PDP
高压输出电路
驱动能力
下降时间厚栅
Keywords
n-LDMOSFET
PDP
high voltage ouput circuit
driving capabilities
falling time
thick gate.
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
厚栅n—和n—LDMOSFET高压输出电路
黄义定
王卓
于宗光
李鉴
《微计算机信息》
北大核心
2008
1
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