室内分布系统RRU双端口引接暨分布系统隔层覆盖优化方案

文章主要阐述了中国联通内蒙古分公司现网低效单通道室内分布系统的提效整治方案及验证效果。为了提高现网低效室分硬件资源利用率,内蒙古网络优化中心因地制宜,采用了多种创新性手段,分别从34GRRU双端口引接、4G RRU不同端口隔层覆盖、主干分布整改等方面进行了验证测试。可以在不降低现有单通道室分的用户感知的前提下,腾退34G RRU和光模块资源,达到"基站瘦身,降本节能"的效果。

高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理

在TCAD半导体仿真环境中,建立了0.25μm栅长的AlGaAs/InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器与微波脉冲作用的仿真模型,基于器件内部的电场强度、电流密度和温度分布的变化,研究了1GHz的微波从栅极和漏极注入的损伤机理。研究结果表明,从栅极注入约40.1dBm的微波时,HEMT内部峰值温度随着时间的变化振荡上升,最终使得器件失效,栅下靠源侧电流通道和强电场的同时存在使得该位置最容易损伤;从漏极注入微波时,注入功率的高低会使器件内部出现不同的响应过程,注入功率存在一个临界值,高于该值,器件有可能在第一个周期内损伤,损伤位置均在漏极附近。在1GHz的微波作用下,漏极注入比栅极注入更难损伤。